1200V

シンボル

記述

GD400SGK120C2S について

単位

v についてCES

集合器-放出器の電圧

1200

v について

シンボル

記述

GD400SGK120C2S について

単位

v について総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20v

v について

i についてc について

コレクター ストリーム @ Tc について=25°C

@ Tc について=80 について°C

550

a について

400

i についてCM (CM) (1)

パルスコレクター電流 tp=1ms

800

a について

i についてf について

ダイオード連続前流について

400

a について

i についてfm

ダイオード最大前向き電流について

800

a について

pd

最大電源 消耗tj について=150 について°C

2500

ワ

tスコ

短回路 耐える時間 @ Tj について=125°C

10

μs

tj について

交差点の動作温度

-40からほら+150

°C

tSTG

貯蔵温度範囲

-40からほら+125

°C

i について2ダイオード

v についてr=0V,t=10ms,Tj について=125 について°C

27500

a について2s

v についてサイロ

隔離電圧 RMS,f=50Hz,t=1min

2500

v について

設置

トーク

電力端末ほらスクリュー:M4

電力端末ほらスクリュー:M6

1.1 からほら2.0

2.5からほら5.0

ラング

設置ほらスクリュー:M6

平均的なほら6.0

ラング

シンボル

パラメーター

試験条件

ポイント

タイプする

オーケー

単位

バイCES

収集-発信

断定電圧

tj について=25°C

1200

ほら

ほら

v について

i についてCES

収集家ほら切る- わかったオフほら流動

v についてザ=VCESバイト遺伝子組み換え=0Vほらtj について=25°C

ほら

ほら

5.0

ママ

i について総エネルギー

ゲート発射器の漏れ

流動

v について遺伝子組み換え=V総エネルギーバイトザ=0Vほらtj について=25°C

ほら

ほら

400

ほら

シンボル

パラメーター

試験条件

ポイント

タイプする

オーケー

単位

v について総額

ゲート発信機

限界電圧

i についてc について=5.0mA,Vザ=V遺伝子組み換えほら

tj について=25°C

4.5

5.1

5.5

v について

ほら

v について衛星

収集機から発信機へ

飽和電圧

i についてc について=400A,V遺伝子組み換え=15V,Tj について=25°C

ほら

2.2

ほら

ほら

v について

i についてc について=400A,V遺伝子組み換え=15V

tj について=125 について°C

ほら

2.5

ほら

シンボル

パラメーター

試験条件

ポイント

タイプする

オーケー

単位

tオンに

オンする遅延時間

v についてcc=600V,Ic について=400A,

ほら

258

ほら

NS

tr

昇る時間

rg=3.3Ω,V遺伝子組み換えほら= 違う±15V

ほら

110

ほら

NS

td( ありがとうございました)オフ) について

切断するほら遅延時間

tj について= 25°C

ほら

285

ほら

NS

tf について

秋の時間

ほら

v についてcc=600V,Ic について=400A,

rg=3.3Ω,V遺伝子組み換えほら= 違う±15Vほらtj について= 25°C

ほら

70

ほら

NS

e についてについて

オンほら切り替えほら損失

ほら

45

ほら

ロープ

e についてオフ

切断するほら損失

ほら

26

ほら

ロープ

tオンに

オンする遅延時間

ほら

ほら

ほら

v についてcc=600V,Ic について=400A,

rg=3.3Ω,V遺伝子組み換えほら= 違う±15Vほらtj について= 違うほら125°C

ほら

260

ほら

NS

tr

昇る時間

ほら

120

ほら

NS

td( ありがとうございました)オフ) について

切断するほら遅延時間

ほら

300

ほら

NS

tf について

秋の時間

ほら

80

ほら

NS

e についてについて

オンほら切り替えほら損失

ほら

60

ほら

ロープ

e についてオフ

切断するほら損失

ほら

40

ほら

ロープ

c についてほら

入力容量

ほら

v についてザほら=25V,f=1.0MHz,

v について遺伝子組み換えほら=0V

ほら

74.7

ほら

ロープ

c についてオーエス

輸出容量

ほら

3.3

ほら

ロープ

c についてレス

逆転移転

容量

ほら

0.64

ほら

ロープ

ほら

i についてスコ

ほら

SC データ

tsc について≤10μs,V遺伝子組み換え=15V

tj について=125 について°Cについてcc=900V

v について単数ほら≤1200V

ほら

ほら

2400

ほら

ほら

a について

わかったザ

流れる誘導力

ほら

ほら

16

ほら

ほら

ほら

rcc+ロープ’

模板リード

抵抗力ほらターミナルほらについてほらチップ

ほら

tc について=25°C

ほら

ほら

0.50

ほら

ほら

ロープオー

シンボル

パラメーター

試験条件

ポイント

タイプする

オーケー

単位

v についてf について

ダイオード 前向き

圧力は

i についてf について=400A

tj について=25°C

ほら

2.0

2.3

v について

tj について=125 について°C

ほら

2.2

2.5

qr

逆ダイオード

リカバリーチャージ

ほら

ほら

i についてf について=400A,

v についてr=600V

di/dt=-4100A/μs,ほらv について遺伝子組み換え=15V

tj について=25°C

ほら

31

ほら

微分

tj について=125 について°C

ほら

66

ほら

ほら

i についてロープ

ダイオードピーク

逆転回復ほら流動

tj について=25°C

ほら

300

ほら

ほら

a について

tj について=125 について°C

ほら

410

ほら

e についてレス

逆転回復ほらエネルギー

tj について=25°C

ほら

12

ほら

ロープ

tj について=125 について°C

ほら

28

ほら

シンボル

パラメーター

タイプする

オーケー

単位

rθJC

接続 (IGBT 部品,各)ほら半モジュール)

ほら

0.05

総量

rθJC

ケースへの接続 (DIOD 部品,毎ほら半モジュール)

ほら

0.08

総量

rθCS

ケースからシンク (電導性油脂)回答しました)

0.035

ほら

総量

体重

重さほら模組

340

ほら

g