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1200V

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GD400HFQ120C2SD 試料の表示

IGBTモジュール,1200V 400A

Brand:
ストアパワー
Spu:
GD400HFQ120C2SD 試料の表示
  • 紹介
紹介

特徴

  • 低VCE(sat)トレンチIGBT技術
  • 10μs短回路能力
  • 陽性温度係数を持つ VCE (sat)
  • 最大接合温度 175oC
  • 低感受性ケース
  • 速くて柔らかい逆回復 対称性のないFWD
  • DBC技術を用いた隔離銅基板

典型的なほら申請

  • 切り替えモード電源
  • 感電式加熱
  • 電子溶接機

絶対値ほら最大ほら評価ほらtc について=25ほらc についてほらしない限りほら違うならほら確認

ゲン

ほら

シンボル

記述

ユニット

v についてCES

集合器-放出器の電圧

1200

v について

v について総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

v について

i についてc について

コレクター ストリーム @ Tc について=25ほらc について

@ Tc について=100ほらc について

769

400

a について

i についてセンチメートル

パルスコレクター電流 tp=1ms

800

a について

pd

最大電源分散 @ Tvj=175ほらc について

2272

ダイオード

シンボル

記述

ユニット

v についてRRM

繰り返しのピーク リバース・ボルト年齢

1200

v について

i についてf について

ダイオード 連続前向きCurrent

400

a について

i についてfm

ダイオード最大前向き電流 tp=1ms

800

a について

ほら

模組

ほら

シンボル

記述

価値

ユニット

tvjmax

交差点最大温度

175

ほらc について

tバイト

交差点の動作温度

-40から+150

ほらc について

tSTG

貯蔵温度範囲

-40から+125

ほらc について

v についてサイロ

隔離電圧 RMS,f=50Hz,t=1分前

2500

v について

ほら

ゲンほら特徴ほらtc について=25ほらc についてほらしない限りほら違うならほら確認

ほら

シンボル

パラメーター

試験条件

ポイント

タイプする

オーケー

ユニット

ほら

ほら

v について衛星

ほら

ほら

収集機から発信機へ

飽和電圧

i についてc について=400A,V遺伝子組み換え=15Vほらtvj=25ほらc について

ほら

1.85

2.30

ほら

ほら

v について

i についてc について=400A,V遺伝子組み換え=15Vほらtvj=125 についてほらc について

ほら

2.25

ほら

i についてc について=400A,V遺伝子組み換え=15Vほらtvj=150 についてほらc について

ほら

2.35

ほら

v について遺伝子組み換え( ありがとうございました)について) について

ゲート発信者の限界値ほら圧力は

i についてc について=16.00ママほらv について= 違うv について遺伝子組み換えほらtvj=25ほらc について

5.6

6.2

6.8

v について

i についてCES

収集家ほら切る- わかったオフ

流動

v について= 違うv についてCESほらv について遺伝子組み換え=0V

tvj=25ほらc について

ほら

ほら

1.0

ママ

i について総エネルギー

ゲート発射器の漏れほら流動

v について遺伝子組み換え= 違うv について総エネルギーほらv について=0Vtvj=25ほらc について

ほら

ほら

400

ほら

rゲント

内部ゲート抵抗

ほら

ほら

0.5

ほら

オー

c についてほら

入力容量

v について電気回路が25Vで,f=100KHzで,ほらv について遺伝子組み換え=0V

ほら

43.2

ほら

ロープ

c についてレス

逆転移転

容量

ほら

1.18

ほら

ロープ

qg

ゲートチャージ

v について遺伝子組み換え=- やってるほら15...+15V

ほら

3.36

ほら

微分

td( ありがとうございました)について) について

オンする遅延時間

ほら

ほら

v についてcc=600V,Ic について=400A,ほらrg=2Ωわかったs=45ほらほら

v について遺伝子組み換え=±15Vtvj=25ほらc について

ほら

288

ほら

NS

tr

昇る時間

ほら

72

ほら

NS

t消して

切断するほら遅延時間

ほら

314

ほら

NS

tf について

秋の時間

ほら

55

ほら

NS

e についてについて

オンほら切り替え

損失

ほら

43.6

ほら

ロープ

e についてオフ

切断する

損失

ほら

12.4

ほら

ロープ

td( ありがとうございました)について) について

オンする遅延時間

ほら

ほら

v についてcc=600V,Ic について=400A,ほらrg=2Ωわかったs=45ほらほら

v について遺伝子組み換え=±15Vtvj=125 についてほらc について

ほら

291

ほら

NS

tr

昇る時間

ほら

76

ほら

NS

t消して

切断するほら遅延時間

ほら

351

ほら

NS

tf について

秋の時間

ほら

88

ほら

NS

e についてについて

オンほら切り替え

損失

ほら

57.6

ほら

ロープ

e についてオフ

切断する

損失

ほら

17.1

ほら

ロープ

td( ありがとうございました)について) について

オンする遅延時間

ほら

ほら

v についてcc=600V,Ic について=400A,ほらrg=2Ωわかったs=45ほらほら

v について遺伝子組み換え=±15Vtvj=150 についてほらc について

ほら

293

ほら

NS

tr

昇る時間

ほら

78

ほら

NS

t消して

切断するほら遅延時間

ほら

365

ほら

NS

tf について

秋の時間

ほら

92

ほら

NS

e についてについて

オンほら切り替え

損失

ほら

62.8

ほら

ロープ

e についてオフ

切断する

損失

ほら

18.6

ほら

ロープ

ほら

i についてスコ

ほら

SC データ

tp≤10μsv について遺伝子組み換え=15V

tvj=150 についてほらC,Vcc=800Vほらv について単数≤1200V

ほら

ほら

1500

ほら

ほら

a について

ダイオードほら特徴ほらtc について=25ほらc についてほらしない限りほら違うならほら確認

ほら

シンボル

パラメーター

試験条件

ポイント

タイプする

オーケー

単位

ほら

v についてf について

ダイオード 前向き

圧力は

i についてf について=400A,V遺伝子組み換え=0V,Tvj=25ほらc について

ほら

1.85

2.30

ほら

v について

i についてf について=400A,V遺伝子組み換え=0V,Tvj=125 についてほらc について

ほら

1.90

ほら

i についてf について=400A,V遺伝子組み換え=0V,Tvj=150 についてほらc について

ほら

1.95

ほら

qr

回復した

料金

ほら

v についてr=600V,If について=400A,

-di/dt=4130A/μs,V遺伝子組み換え=- やってるほら15Vわかったs=45ほらほらtvj=25ほらc について

ほら

38.8

ほら

微分

i についてロープ

ピーク逆

回復電流

ほら

252

ほら

a について

e についてレス

逆転回復ほらエネルギー

ほら

11.2

ほら

ロープ

qr

回復した

料金

ほら

v についてr=600V,If について=400A,

- わかったダイ/ わかったdt=3860A/μsv について遺伝子組み換え=- やってるほら15Vわかったs=45ほらほらtvj=125 についてほらc について

ほら

61.9

ほら

微分

i についてロープ

ピーク逆

回復電流

ほら

255

ほら

a について

e についてレス

逆転回復ほらエネルギー

ほら

18.7

ほら

ロープ

qr

回復した

料金

ほら

v についてr=600V,If について=400A,

- わかったダイ/ わかったdt=3720A/μsv について遺伝子組み換え=- やってるほら15Vわかったs=45ほらほらtvj=150 についてほらc について

ほら

75.9

ほら

微分

i についてロープ

ピーク逆

回復電流

ほら

257

ほら

a について

e についてレス

逆転回復ほらエネルギー

ほら

20.5

ほら

ロープ

ほら

模組ほら特徴ほらtc について=25ほらc についてほらしない限りほら違うならほら確認

ほら

シンボル

パラメーター

ポイント

タイプする

オーケー

ユニット

わかった

流れる誘導力

ほら

ほら

20

ほら

rCC+EE

モジュールリード抵抗,端末からチップ

ほら

0.35

ほら

rthJC

ケース対ケース (IGBごとに)T) について

ケースへの接点 (DIあたり)オーデ)

ほら

ほら

0.066

0.115

総量

ほら

rthCH

ケースからヒートシンクへの(per IGBT)

ケースからヒートシンク (pe)ダイオード)

ケースからヒートシンク (Mあたり)臭い)

ほら

0.031

0.055

0.010

ほら

総量

ロープ

端末接続トークほらスクリューM6ほら固定トークほらスクリューM6

2.5

3.0

ほら

5.0

5.0

ラング

g

体重ほらについてほら模組

ほら

300

ほら

g

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