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1200V

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GD400CEY120C2S

IGBTモジュール;1200V 400A

Brand:
ストアパワー
Spu:
GD400CEY120C2S
  • 紹介
紹介

特徴

  • 低VCE(sat)トレンチIGBT技術
  • 10μs短回路能力
  • 陽性温度係数を持つ VCE (sat)
  • 最大接合温度 175oC
  • 低感受性ケース
  • 速くて柔らかい逆回復 対称性のないFWD
  • DBC技術を用いた隔離銅基板

典型的なほら申請

  • モータードライブ用インバータ
  • ACおよびDCサーボドライブアンプ
  • 断続性のある電源

絶対値ほら最大ほら評価ほらtc について=25ほらc についてほらしない限りほら違うならほら確認

ゲン

ほら

シンボル

記述

価値

ユニット

v についてCES

集合器-放出器の電圧

1200

v について

v について総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

v について

i についてc について

コレクター ストリーム @ Tc について=25ほらc について

@ Tc について= 違うほら100ほらc について

630

400

a について

i についてセンチメートル

パルスコレクター電流 tp=1ms

800

a について

pd

最大電源分散 @ Tほら=175ほらc について

2083

ダイオード

ほら

シンボル

記述

価値

ユニット

v についてRRM

繰り返しのピーク逆電圧

1200

v について

i についてf について

ダイオード 連続前向き賃貸

400

a について

i についてfm

ダイオード最大前向き電流 tp=1ms

800

a について

模組

ほら

シンボル

記述

価値

ユニット

tjmax

交差点最大温度

175

ほらc について

tショウジョウ

交差点の動作温度

-40から+150

ほらc について

tSTG

保存温度範囲

-40から+125

ほらc について

v についてサイロ

隔離電圧 RMS,f=50Hz,t=1分前

4000

v について

ゲンほら特徴ほらtc について=25ほらc についてほらしない限りほら違うならほら確認

ほら

シンボル

パラメーター

試験条件

ポイント

タイプする

オーケー

ユニット

ほら

ほら

v について衛星

ほら

ほら

収集機から発信機へ

飽和電圧

i についてc について=400A,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について=25ほらc について

ほら

1.70

2.15

ほら

ほら

v について

i についてc について=400A,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について=125 についてほらc について

ほら

1.95

ほら

i についてc について=400A,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について=150 についてほらc について

ほら

2.00

ほら

v について遺伝子組み換え( ありがとうございました)について) について

ゲート発信者の限界値ほら圧力は

i についてc について= 違うほら10.0mA,V=V遺伝子組み換えについてj について=25ほらc について

5.2

6.0

6.8

v について

i についてCES

収集家ほら切る- わかったオフ

流動

v について= 違うv についてCESほらv について遺伝子組み換え=0V

tj について=25ほらc について

ほら

ほら

5.0

ママ

i について総エネルギー

ゲート発射器の漏れほら流動

v について遺伝子組み換え= 違うv について総エネルギーほらv について=0Vtj について=25ほらc について

ほら

ほら

400

ほら

rゲント

内部ゲート抵抗アンス

ほら

ほら

1.9

ほら

オー

td( ありがとうございました)について) について

オンする遅延時間

ほら

ほら

v についてcc=600V,Ic について=400A,わかったrg=2.0Ω

v について遺伝子組み換え=±15Vほらtj について=25ほらc について

ほら

257

ほら

NS

tr

昇る時間

ほら

96

ほら

NS

td( ありがとうございました)オフ) について

切断するほら遅延時間

ほら

628

ほら

NS

tf について

秋の時間

ほら

103

ほら

NS

e についてについて

オンほら切り替え

損失

ほら

23.5

ほら

ロープ

e についてオフ

切断する

損失

ほら

34.0

ほら

ロープ

td( ありがとうございました)について) について

オンする遅延時間

ほら

ほら

v についてcc=600V,Ic について=400A,わかったrg=2.0Ω

v について遺伝子組み換え=±15Vほらtj について= 違うほら125ほらc について

ほら

268

ほら

NS

tr

昇る時間

ほら

107

ほら

NS

td( ありがとうございました)オフ) について

切断するほら遅延時間

ほら

659

ほら

NS

tf について

秋の時間

ほら

144

ほら

NS

e についてについて

オンほら切り替え

損失

ほら

35.3

ほら

ロープ

e についてオフ

切断する

損失

ほら

51.5

ほら

ロープ

td( ありがとうございました)について) について

オンする遅延時間

ほら

ほら

v についてcc=600V,Ic について=400A,わかったrg=2.0Ω

v について遺伝子組み換え=±15Vほらtj について= 違うほら150ほらc について

ほら

278

ほら

NS

tr

昇る時間

ほら

118

ほら

NS

td( ありがとうございました)オフ) について

切断するほら遅延時間

ほら

680

ほら

NS

tf について

秋の時間

ほら

155

ほら

NS

e についてについて

オンほら切り替え

損失

ほら

38.5

ほら

ロープ

e についてオフ

切断する

損失

ほら

56.7

ほら

ロープ

ほら

i についてスコ

ほら

SC データ

tp≤10μs,V遺伝子組み換え=15V

tj について=150 についてほらC,Vcc=900Vほらv について単数≤1200V

ほら

ほら

1600

ほら

ほら

a について

ダイオードほら特徴ほらtc について=25ほらc についてほらしない限りほら違うならほら確認

ほら

シンボル

パラメーター

試験条件

ポイント

タイプする

オーケー

ユニット

ほら

v についてf について

ダイオード 前向き

圧力は

i についてf について=400A,V遺伝子組み換え=0V,Tj について=25ほらc について

ほら

1.65

2.10

ほら

v について

i についてf について=400A,V遺伝子組み換え=0V,Tj について= 違うほら125ほらc について

ほら

1.65

ほら

i についてf について=400A,V遺伝子組み換え=0V,Tj について= 違うほら150ほらc について

ほら

1.65

ほら

qr

回収された電荷

v についてr=600V,If について=400A,

-di/dt=5000A/μs,V遺伝子組み換え=- やってるほら15vtj について=25ほらc について

ほら

38.0

ほら

微分

i についてロープ

ピーク逆

回復電流

ほら

285

ほら

a について

e についてレス

逆転回復エネルギー

ほら

19

ほら

ロープ

qr

回収された電荷

v についてr=600V,If について=400A,

-di/dt=5000A/μs,V遺伝子組み換え=- やってるほら15vほらtj について= 違うほら125ほらc について

ほら

66.5

ほら

微分

i についてロープ

ピーク逆

回復電流

ほら

380

ほら

a について

e についてレス

逆転回復エネルギー

ほら

36.6

ほら

ロープ

qr

回収された電荷

v についてr=600V,If について=400A,

-di/dt=5000A/μs,V遺伝子組み換え=- やってるほら15vほらtj について= 違うほら150ほらc について

ほら

76.0

ほら

微分

i についてロープ

ピーク逆

回復電流

ほら

399

ほら

a について

e についてレス

逆転回復エネルギー

ほら

41.8

ほら

ロープ

ほら

ほら

模組ほら特徴ほらtc について=25ほらc についてほらしない限りほら違うならほら確認

ほら

シンボル

パラメーター

ポイント

タイプする

オーケー

ユニット

わかった

流れる誘導力

ほら

ほら

20

ほら

rCC+EE

モジュールリードレジスタターミナルからチップへ

ほら

0.35

ほら

rthJC

ケース対ケース (IGBごとに)T) について

ケースへの接点 (DIあたり)オーデ)

ほら

ほら

0.072

0.095

総量

ほら

rthCH

ケースからヒートシンクへの(per IGBT)

ケースからヒートシンクへの(per ダイオード)

ケースからヒートシンクへの(per模块)

ほら

0.035

0.046

0.010

ほら

総量

ロープ

端末接続トークほらスクリューM6ほら固定トークほらスクリューM6

2.5

3.0

ほら

5.0

5.0

ラング

g

体重ほらについてほら模組

ほら

300

ほら

g

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