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IGBT モジュール,1200V 300A,3レベル 1つのパッケージ
特徴
典型的なほら申請
絶対値ほら最大ほら評価ほらtc について=25ほらc についてほらしない限りほら違うならほら確認
T1,T2 IGBT
ほら
シンボル |
記述 |
値 |
ユニット |
v についてCES |
集合器-放出器の電圧 |
1200 |
v について |
v について総エネルギー |
ゲート・エミッター・ボルト |
±20 |
v について |
i についてc について |
コレクター ストリーム @ Tc について=25ほらc について @ Tc について= 違うほら100ほらc について |
483 300 |
a について |
i についてセンチメートル |
パルスコレクター電流 tp=1ms |
600 |
a について |
pd |
最大電源分散 @ Tほら=175ほらc について |
1612 |
ワ |
D1,D2ダイオード
ほら
シンボル |
記述 |
値 |
ユニット |
v についてRRM |
繰り返しのピーク逆電圧 |
1200 |
v について |
i についてf について |
ダイオード 連続前向き賃貸 |
300 |
a について |
i についてfm |
ダイオード最大前向き電流 tp=1ms |
600 |
a について |
T3,T4 IGBT
ほら
シンボル |
記述 |
値 |
ユニット |
v についてCES |
集合器-放出器の電圧 |
650 |
v について |
v について総エネルギー |
ゲート・エミッター・ボルト |
±20 |
v について |
i についてc について |
コレクター ストリーム @ Tc について=25ほらc について @ Tc について=60ほらc について |
372 300 |
a について |
i についてセンチメートル |
パルスコレクター電流 tp=1ms |
600 |
a について |
pd |
最大電源分散 @ Tほら=175ほらc について |
920 |
ワ |
D3,D4ダイオード
ほら
シンボル |
記述 |
値 |
ユニット |
v についてRRM |
繰り返しのピーク逆電圧 |
650 |
v について |
i についてf について |
ダイオード 連続前向き賃貸 |
300 |
a について |
i についてfm |
ダイオード最大前向き電流 tp=1ms |
600 |
a について |
模組
ほら
シンボル |
記述 |
値 |
ユニット |
tjmax |
交差点最大温度 |
175 |
ほらc について |
tショウジョウ |
交差点の動作温度 |
-40から+150 |
ほらc について |
tSTG |
保存温度範囲 |
-40から+125 |
ほらc について |
v についてサイロ |
隔離電圧 RMS,f=50Hz,t=1ポイント |
4000 |
v について |
T1,T2ゲンほら特徴ほらtc について=25ほらc についてほらしない限りほら違うならほら確認
ほら
シンボル |
パラメーター |
試験条件 |
ポイント |
タイプする |
オーケー |
ユニット |
ほら ほら v について衛星 |
ほら ほら 収集機から発信機へ 飽和電圧 |
i についてc について=300A,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について=25ほらc について |
ほら |
1.70 |
2.15 |
ほら ほら v について |
i についてc について=300A,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について=125 についてほらc について |
ほら |
1.95 |
ほら |
|||
i についてc について=300A,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について=150 についてほらc について |
ほら |
2.00 |
ほら |
|||
v について遺伝子組み換え( ありがとうございました)について) について |
ゲート発信者の限界値ほら圧力は |
i についてc について=7.50ママほらv についてザ= 違うv について遺伝子組み換えほらほらtj について=25ほらc について |
5.2 |
6.0 |
6.8 |
v について |
i についてCES |
収集家ほら切る- わかったオフ 流動 |
v についてザ= 違うv についてCESほらv について遺伝子組み換え=0V tj について=25ほらc について |
ほら |
ほら |
1.0 |
ママ |
i について総エネルギー |
ゲート発射器の漏れほら流動 |
v について遺伝子組み換え= 違うv について総エネルギーほらv についてザ=0Vtj について=25ほらc について |
ほら |
ほら |
400 |
ほら |
rゲント |
内部ゲート抵抗アンス |
ほら |
ほら |
2.5 |
ほら |
オー |
c についてほら |
入力容量 |
v についてザ電気回路が1Mhzで v について遺伝子組み換え=0V |
ほら |
21.0 |
ほら |
ロープ |
c についてレス |
逆転移転 容量 |
ほら |
1.20 |
ほら |
ロープ |
|
qg |
ゲートチャージ |
v について遺伝子組み換え=-15...+15V |
ほら |
2.60 |
ほら |
微分 |
td( ありがとうございました)について) について |
オンする遅延時間 |
ほら ほら v についてcc=600V,Ic について=300Aわかったrg= 違うほら1.3Ω v について遺伝子組み換え=±15Vtj について=25ほらc について |
ほら |
182 |
ほら |
NS |
tr |
昇る時間 |
ほら |
54 |
ほら |
NS |
|
td( ありがとうございました)オフ) について |
切断するほら遅延時間 |
ほら |
464 |
ほら |
NS |
|
tf について |
秋の時間 |
ほら |
72 |
ほら |
NS |
|
e についてについて |
オンほら切り替え 損失 |
ほら |
10.6 |
ほら |
ロープ |
|
e についてオフ |
切断する 損失 |
ほら |
25.8 |
ほら |
ロープ |
|
td( ありがとうございました)について) について |
オンする遅延時間 |
ほら ほら v についてcc=600V,Ic について=300Aわかったrg= 違うほら1.3Ω v について遺伝子組み換え=±15Vほらtj について= 違うほら125ほらc について |
ほら |
193 |
ほら |
NS |
tr |
昇る時間 |
ほら |
54 |
ほら |
NS |
|
td( ありがとうございました)オフ) について |
切断するほら遅延時間 |
ほら |
577 |
ほら |
NS |
|
tf について |
秋の時間 |
ほら |
113 |
ほら |
NS |
|
e についてについて |
オンほら切り替え 損失 |
ほら |
16.8 |
ほら |
ロープ |
|
e についてオフ |
切断する 損失 |
ほら |
38.6 |
ほら |
ロープ |
|
td( ありがとうございました)について) について |
オンする遅延時間 |
ほら ほら v についてcc=600V,Ic について=300Aわかったrg= 違うほら1.3Ω v について遺伝子組み換え=±15Vほらtj について= 違うほら150ほらc について |
ほら |
203 |
ほら |
NS |
tr |
昇る時間 |
ほら |
54 |
ほら |
NS |
|
td( ありがとうございました)オフ) について |
切断するほら遅延時間 |
ほら |
618 |
ほら |
NS |
|
tf について |
秋の時間 |
ほら |
124 |
ほら |
NS |
|
e についてについて |
オンほら切り替え 損失 |
ほら |
18.5 |
ほら |
ロープ |
|
e についてオフ |
切断する 損失 |
ほら |
43.3 |
ほら |
ロープ |
|
ほら i についてスコ |
ほら SC データ |
tp≤10μs,V遺伝子組み換え=15V tj について=150 についてほらC,Vcc=900Vほらv について単数≤1200V |
ほら |
ほら 1200 |
ほら |
ほら a について |
D1,D2ダイオードほら特徴ほらtc について=25ほらc についてほらしない限りほら違うならほら確認
ほら
シンボル |
パラメーター |
試験条件 |
ポイント |
タイプする |
オーケー |
単位 |
ほら v についてf について |
ダイオード 前向き 圧力は |
i についてc について=300A,V遺伝子組み換え=0V,Tj について=25ほらc について |
ほら |
1.65 |
2.10 |
ほら v について |
i についてc について=300A,V遺伝子組み換え=0V,Tj について=125 についてほらc について |
ほら |
1.65 |
ほら |
|||
i についてc について=300A,V遺伝子組み換え=0V,Tj について=150 についてほらc について |
ほら |
1.65 |
ほら |
|||
qr |
回復した 料金 |
ほら v についてcc=600V,If について=300A -di/dt=6050A/μs,V遺伝子組み換え=15Vtj について=25ほらc について |
ほら |
29 |
ほら |
微分 |
i についてロープ |
ピーク逆 回復電流 |
ほら |
318 |
ほら |
a について |
|
e についてレス |
逆転回復エネルギー |
ほら |
18.1 |
ほら |
ロープ |
|
qr |
回復した 料金 |
ほら v についてcc=600V,If について=300A -di/dt=6050A/μs,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について= 違うほら125ほらc について |
ほら |
55 |
ほら |
微分 |
i についてロープ |
ピーク逆 回復電流 |
ほら |
371 |
ほら |
a について |
|
e についてレス |
逆転回復エネルギー |
ほら |
28.0 |
ほら |
ロープ |
|
qr |
回復した 料金 |
ほら v についてcc=600V,If について=300A -di/dt=6050A/μs,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について= 違うほら150ほらc について |
ほら |
64 |
ほら |
微分 |
i についてロープ |
ピーク逆 回復電流 |
ほら |
390 |
ほら |
a について |
|
e についてレス |
逆転回復エネルギー |
ほら |
32.8 |
ほら |
ロープ |
T3,T4ゲンほら特徴ほらtc について=25ほらc についてほらしない限りほら違うならほら確認
ほら
シンボル |
パラメーター |
試験条件 |
ポイント |
タイプする |
オーケー |
ユニット |
ほら ほら v について衛星 |
ほら ほら 収集機から発信機へ 飽和電圧 |
i についてc について=300A,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について=25ほらc について |
ほら |
1.45 |
1.90 |
ほら ほら v について |
i についてc について=300A,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について=125 についてほらc について |
ほら |
1.60 |
ほら |
|||
i についてc について=300A,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について=150 についてほらc について |
ほら |
1.70 |
ほら |
|||
v について遺伝子組み換え( ありがとうございました)について) について |
ゲート発信者の限界値ほら圧力は |
i についてc について=4.8ママほらv についてザ= 違うv について遺伝子組み換えほらほらtj について=25ほらc について |
5.1 |
5.8 |
6.5 |
v について |
i についてCES |
収集家ほら切る- わかったオフ 流動 |
v についてザ= 違うv についてCESほらv について遺伝子組み換え=0V tj について=25ほらc について |
ほら |
ほら |
1.0 |
ママ |
i について総エネルギー |
ゲート発射器の漏れほら流動 |
v について遺伝子組み換え= 違うv について総エネルギーほらv についてザ=0Vtj について=25ほらc について |
ほら |
ほら |
400 |
ほら |
rゲント |
内部ゲート抵抗アンス |
ほら |
ほら |
1.0 |
ほら |
オー |
c についてほら |
入力容量 |
v についてザ電気回路が1Mhzで v について遺伝子組み換え=0V |
ほら |
17.1 |
ほら |
ロープ |
c についてレス |
逆転移転 容量 |
ほら |
0.51 |
ほら |
ロープ |
|
qg |
ゲートチャージ |
v について遺伝子組み換え=-15ほらほら+15V |
ほら |
2.88 |
ほら |
微分 |
td( ありがとうございました)について) について |
オンする遅延時間 |
ほら ほら v についてcc=300V,Ic について=300Aわかったrg=2.4Ω, v について遺伝子組み換え=±15Vほらtj について=25ほらc について |
ほら |
88 |
ほら |
NS |
tr |
昇る時間 |
ほら |
40 |
ほら |
NS |
|
td( ありがとうございました)オフ) について |
切断するほら遅延時間 |
ほら |
294 |
ほら |
NS |
|
tf について |
秋の時間 |
ほら |
43 |
ほら |
NS |
|
e についてについて |
オンほら切り替え 損失 |
ほら |
1.34 |
ほら |
ロープ |
|
e についてオフ |
切断する 損失 |
ほら |
8.60 |
ほら |
ロープ |
|
td( ありがとうございました)について) について |
オンする遅延時間 |
ほら ほら v についてcc=300V,Ic について=300Aわかったrg=2.4Ω, v について遺伝子組み換え=±15Vほらtj について=125 についてほらc について |
ほら |
96 |
ほら |
NS |
tr |
昇る時間 |
ほら |
48 |
ほら |
NS |
|
td( ありがとうございました)オフ) について |
切断するほら遅延時間 |
ほら |
312 |
ほら |
NS |
|
tf について |
秋の時間 |
ほら |
60 |
ほら |
NS |
|
e についてについて |
オンほら切り替え 損失 |
ほら |
1.86 |
ほら |
ロープ |
|
e についてオフ |
切断する 損失 |
ほら |
10.8 |
ほら |
ロープ |
|
td( ありがとうございました)について) について |
オンする遅延時間 |
ほら ほら v についてcc=300V,Ic について=300Aわかったrg=2.4Ω, v について遺伝子組み換え=±15Vほらtj について=150 についてほらc について |
ほら |
104 |
ほら |
NS |
tr |
昇る時間 |
ほら |
48 |
ほら |
NS |
|
td( ありがとうございました)オフ) について |
切断するほら遅延時間 |
ほら |
318 |
ほら |
NS |
|
tf について |
秋の時間 |
ほら |
60 |
ほら |
NS |
|
e についてについて |
オンほら切り替え 損失 |
ほら |
1.98 |
ほら |
ロープ |
|
e についてオフ |
切断する 損失 |
ほら |
11.3 |
ほら |
ロープ |
|
ほら i についてスコ |
ほら SC データ |
tp≤6μsv について遺伝子組み換え=15V tj について=150 についてほらC,Vcc=360Vほらv について単数≤650V |
ほら |
ほら 1500 |
ほら |
ほら a について |
D3,D4ダイオードほら特徴ほらtc について=25ほらc についてほらしない限りほら違うならほら確認
ほら
シンボル |
パラメーター |
試験条件 |
ポイント |
タイプする |
オーケー |
ユニット |
ほら v についてf について |
ダイオード 前向き 圧力は |
i についてf について=300A,V遺伝子組み換え=0V,Tj について=25ほらc について |
ほら |
1.55 |
1.95 |
ほら v について |
i についてf について=300A,V遺伝子組み換え=0V,Tj について=125 についてほらc について |
ほら |
1.50 |
ほら |
|||
i についてf について=300A,V遺伝子組み換え=0V,Tj について=150 についてほらc について |
ほら |
1.45 |
ほら |
|||
qr |
回復した 料金 |
ほら v についてr=300V,If について=300A -di/dt=7150A/μs,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について=25ほらc について |
ほら |
14.3 |
ほら |
微分 |
i についてロープ |
ピーク逆 回復電流 |
ほら |
209 |
ほら |
a について |
|
e についてレス |
逆転回復エネルギー |
ほら |
3.74 |
ほら |
ロープ |
|
qr |
回復した 料金 |
ほら v についてr=300V,If について=300A -di/dt=7150A/μs,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について=125 についてほらc について |
ほら |
26.4 |
ほら |
微分 |
i についてロープ |
ピーク逆 回復電流 |
ほら |
259 |
ほら |
a について |
|
e についてレス |
逆転回復エネルギー |
ほら |
6.82 |
ほら |
ロープ |
|
qr |
回復した 料金 |
ほら v についてr=300V,If について=300A -di/dt=7150A/μs,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について=150 についてほらc について |
ほら |
30.8 |
ほら |
微分 |
i についてロープ |
ピーク逆 回復電流 |
ほら |
275 |
ほら |
a について |
|
e についてレス |
逆転回復エネルギー |
ほら |
7.70 |
ほら |
ロープ |
ほら
模組ほら特徴ほらtc について=25ほらc についてほらしない限りほら違うならほら確認
ほら
シンボル |
パラメーター |
ポイント |
タイプする |
オーケー |
ユニット |
ほら rthJC |
交差点からケース (T1あたり)T2 IGBT) 交差点とケース (D1,D2 Dio 単位で)de) について 交差点からケース (T3あたり)T4 IGBT) ケースへの接点 (D3,D4 Dioごとに)de) について |
ほら |
ほら |
0.093 0.158 0.163 0.299 |
ほら 総量 |
ほら ほら rthCH |
ケースからヒートシンクへの(perT1,T2 IGBT) ケースからヒートシンク (D1,D2あたり)ダイオード) ケースからヒートシンクへの(perT3,T4 IGBT) ケースからヒートシンク (D3,D4あたり)ダイオード) ケースからヒートシンクへの(per模块) |
ほら |
0.050 0.083 0.087 0.160 0.010 |
ほら |
ほら ほら 総量 |
ロープ |
端末接続トークほらスクリューM6ほら固定トークほらスクリューM6 |
2.5 3.0 |
ほら |
5.0 5.0 |
ラング |
g |
体重ほらについてほら模組 |
ほら |
340 |
ほら |
g |
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