1700V

シンボル

記述

価値

ユニット

v についてCES

集合器-放出器の電圧

1700

v について

v について総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

v について

i についてc について

コレクター ストリーム @ Tc について=25ほらC   @ Tc について= 違うほら100ほらc について

493

300

a について

i についてセンチメートル

パルスコレクター電流 tp=1ms

600

a について

pd

最大電源分散 @ Tほら=175ほらc について

1829

ワ

シンボル

記述

価値

ユニット

v についてRRM

繰り返しのピーク逆電圧

1700

v について

i についてf について

ダイオード 連続前向き賃貸

300

a について

i についてfm

ダイオード最大前向き電流 tp=1ms

600

a について

シンボル

記述

価値

ユニット

tjmax

交差点最大温度

175

ほらc について

tショウジョウ

交差点の動作温度

-40から+150

ほらc について

tSTG

保存温度範囲

-40から+125

ほらc について

v についてサイロ

隔離電圧 RMS,f=50Hz,t=1ポイント

4000

v について

シンボル

パラメーター

試験条件

ポイント

タイプする

オーケー

ユニット

ほら

ほら

v について衛星

ほら

ほら

収集機から発信機へほら飽和電圧

i についてc について=300A,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について=25ほらc について

ほら

1.85

2.20

ほら

ほら

v について

i についてc について=300A,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について=125 についてほらc について

ほら

2.25

ほら

i についてc について=300A,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について=150 についてほらc について

ほら

2.35

ほら

v について遺伝子組み換え( ありがとうございました)について) について

ゲート発信者の限界値ほら圧力は

i についてc について= 違うほら電気回路ザ=V遺伝子組み換えほらtj について=25ほらc について

5.6

6.2

6.8

v について

i についてCES

収集家ほら切る- わかったオフ流動

v についてザ= 違うv についてCESほらv について遺伝子組み換え=0Vtj について=25ほらc について

ほら

ほら

5.0

ママ

i について総エネルギー

ゲート発射器の漏れほら流動

v について遺伝子組み換え= 違うv について総エネルギーほらv についてザ=0Vtj について=25ほらc について

ほら

ほら

400

ほら

rゲント

内部ゲート抵抗アンス

ほら

ほら

2.5

ほら

オー

c についてほら

入力容量

v についてザ電気回路が1Mhzでほらv について遺伝子組み換え=0V

ほら

36.1

ほら

ロープ

c についてレス

逆転移転ほら容量

ほら

0.88

ほら

ロープ

qg

ゲートチャージ

v について遺伝子組み換え=-15ほら...+15V

ほら

2.83

ほら

微分

td( ありがとうございました)について) について

オンする遅延時間

ほら

v についてcc=900V,Ic について=300Aほらrゲン=3.3Ω

rゲッフ=4.7Ωほらv について遺伝子組み換え=±15V

tj について=25ほらc について

ほら

213

ほら

NS

tr

昇る時間

ほら

83

ほら

NS

td( ありがとうございました)オフ) について

切断するほら遅延時間

ほら

621

ほら

NS

tf について

秋の時間

ほら

350

ほら

NS

e についてについて

オンほら切り替えほら損失

ほら

79.2

ほら

ロープ

e についてオフ

切断するほら損失

ほら

70.2

ほら

ロープ

td( ありがとうございました)について) について

オンする遅延時間

ほら

v についてcc=900V,Ic について=300Aほらrゲン=3.3Ω

rゲッフ=4.7Ωほらv について遺伝子組み換え=±15V

tj について= 違うほら125ほらc について

ほら

240

ほら

NS

tr

昇る時間

ほら

92

ほら

NS

td( ありがとうございました)オフ) について

切断するほら遅延時間

ほら

726

ほら

NS

tf について

秋の時間

ほら

649

ほら

NS

e についてについて

オンほら切り替えほら損失

ほら

104

ほら

ロープ

e についてオフ

切断するほら損失

ほら

108

ほら

ロープ

td( ありがとうございました)について) について

オンする遅延時間

ほら

v についてcc=900V,Ic について=300Aほらrゲン=3.3Ωrゲッフ=4.7Ωほら

v について遺伝子組み換え=±15Vtj について= 違うほら150ほらc について

ほら

248

ほら

NS

tr

昇る時間

ほら

95

ほら

NS

td( ありがとうございました)オフ) について

切断するほら遅延時間

ほら

736

ほら

NS

tf について

秋の時間

ほら

720

ほら

NS

e についてについて

オンほら切り替えほら損失

ほら

115

ほら

ロープ

e についてオフ

切断するほら損失

ほら

116

ほら

ロープ

ほら

i についてスコ

ほら

SC データ

tp≤10μs,V遺伝子組み換え=15V

tj について=150 についてほらC,Vcc= 違うほら1000V,v について単数≤1700V

ほら

ほら

1200

ほら

ほら

a について

シンボル

パラメーター

試験条件

ポイント

タイプする

オーケー

単位

ほら

v についてf について

ダイオード 前向き圧力は

i についてf について=300A,V遺伝子組み換え=0V,Tj について=25ほらc について

ほら

1.80

2.25

ほら

v について

i についてf について=300A,V遺伝子組み換え=0V,Tj について= 違うほら125ほらc について

ほら

1.90

ほら

i についてf について=300A,V遺伝子組み換え=0V,Tj について= 違うほら150ほらc について

ほら

1.95

ほら

qr

回収された電荷

v についてr=900V,If について=300A

-di/dt=3300A/μs,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について=25ほらc について

ほら

82.5

ほら

微分

i についてロープ

ピーク逆

回復電流

ほら

407

ほら

a について

e についてレス

逆転回復エネルギー

ほら

46.6

ほら

ロープ

qr

回収された電荷

v についてr=900V,If について=300A

-di/dt=3300A/μs,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について=125 についてほらc について

ほら

138

ほら

微分

i についてロープ

ピーク逆

回復電流

ほら

462

ほら

a について

e についてレス

逆転回復エネルギー

ほら

92.2

ほら

ロープ

qr

回収された電荷

v についてr=900V,If について=300A

-di/dt=3300A/μs,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について=150 についてほらc について

ほら

154

ほら

微分

i についてロープ

ピーク逆

回復電流

ほら

460

ほら

a について

e についてレス

逆転回復エネルギー

ほら

109

ほら

ロープ

シンボル

パラメーター

試験条件

ポイント

タイプする

オーケー

ユニット

r25

定数抵抗

ほら

ほら

5.0

ほら

kΩ

ΔR/R

偏差ほらについてほらr100

tc について= 違うほら100ほらほらC,R100=493.3Ω

-5

ほら

5

%

p25

電力

消散

ほら

ほら

ほら

20.0

mw

b について25/50

B値

r2=R25経験[B25/501/T2- わかったほら半角形から

ほら

3375

ほら

k

b について25/80

B値

r2=R25経験[B25/801/T2- わかったほら半角形から

ほら

3411

ほら

k

b について25/100

B値

r2=R25経験[B25/1001/T2- わかったほら半角形から

ほら

3433

ほら

k

シンボル

パラメーター

ポイント

タイプする

オーケー

ユニット

わかったザ

流れる誘導力

ほら

20

ほら

ほら

rCC+EE

モジュール鉛抵抗端末からチップへ

ほら

1.10

ほら

mΩ

rthJC

ケース対ケース (IGBごとに)T) について交差点 (Dあたり)ヨード)

ほら

ほら

0.082ほら0.129

総量

ほら

rthCH

ケースからヒートシンクへの（per IGBT）    ケースからヒートシンク (per ダイオード）    ケースからヒートシンク (per模块)

ほら

0.029ほら0.046ほら0.009

ほら

総量

ロープ

端末接続トークほらスクリューM6ほら固定トークほらスクロール M5

3.0ほら3.0

ほら

6.0ほら6.0

ラング

g

体重ほらについてほら模組

ほら

350

ほら

g