1200V

シンボル

記述

GD1600SGL120C3S

単位

v についてCES

集合器-放出器の電圧

1200

v について

v について総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

v について

i についてc について

@ Tc について=25°C

@ Tc について=80 について°C

2500

a について

1600

i についてCM (CM) (1)

パルスコレクター電流 tp= 違うほら1ミリ秒

3200

a について

i についてf について

ダイオード 連続前流

1600

a について

i についてfm

ダイオード最大順方向電流

3200

a について

pd

最大電源 消耗tj について=150 について°C

8.3

kw

tスコ

短回路 耐える時間 @ Tj について=125 について°C

10

μs

tj について

交差点最大温度

150

°C

tSTG

貯蔵温度範囲

-40からほら+125

°C

i について2ダイオード

v についてr=0V,t=10ms,Tj について=125 について°C

300

カ2s

v についてサイロ

隔離電圧 RMS,f=50Hz,t=1分

2500

v について

設置

トーク

電力端末ほらスクリュー:M4

電力端末ほらスクリュー:M8

平均ほら2.1

平均値ほら10

ラング

設置ほらスクリュー:M6

4.25からほら5.75

ラング

シンボル

パラメーター

試験条件

ポイント

タイプする

オーケー

単位

バイほらCES

収集-発信

断定電圧

tj について=25°C

1200

ほら

ほら

v について

i についてCES

収集家ほら切る- わかったオフほら流動

v についてザ=VCESバイト遺伝子組み換え=0Vほらtj について=25°C

ほら

ほら

5.0

ママ

i について総エネルギー

ゲート発射器の漏れ

流動

v について遺伝子組み換え=V総エネルギーバイトザ=0Vほらtj について=25°C

ほら

ほら

400

ほら

シンボル

パラメーター

試験条件

ポイント

タイプする

オーケー

単位

v について総額

ゲート発信者の限界値

圧力は

i についてc について=64mA,Vザ=V遺伝子組み換えほらほらtj について=25°C

5.0

6.2

7.0

v について

ほら

ほら

v について衛星

ほら

収集機から発信機へ

飽和電圧

i についてc について=1600A,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について=25°C

ほら

1.8

ほら

ほら

ほら

v について

i についてc について=1600A,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について=125 について°C

ほら

2.0

ほら

シンボル

パラメーター

試験条件

ポイント

タイプする

オーケー

単位

q遺伝子組み換え

ゲートチャージ

v について遺伝子組み換え=-15...+15V

ほら

16.8

ほら

微分

tオンに

オンする遅延時間

ほら

ほら

v についてcc=600V,Ic について=1600A,ほら

rg=0.82Ω

v について遺伝子組み換え=± について15V,Tj について=25°C

ほら

225

ほら

NS

tr

昇る時間

ほら

105

ほら

NS

td( ありがとうございました)オフ) について

切断するほら遅延時間

ほら

1100

ほら

NS

tf について

秋の時間

ほら

100

ほら

NS

e についてについて

オンほら切り替え損失

ほら

148

ほら

ロープ

e についてオフ

切断切換損失

ほら

186

ほら

ロープ

tオンに

オンする遅延時間

ほら

ほら

v についてcc=600V,Ic について=1600A,ほら

rg=0.82Ω

v について遺伝子組み換え=± について15V,Tj について=125 について°C

ほら

235

ほら

NS

tr

昇る時間

ほら

105

ほら

NS

td( ありがとうございました)オフ) について

切断するほら遅延時間

ほら

1160

ほら

NS

tf について

秋の時間

ほら

105

ほら

NS

e についてについて

オンほら切り替え損失

ほら

206

ほら

ロープ

e についてオフ

切断切換損失

ほら

239

ほら

ロープ

c についてほら

入力容量

ほら

v についてザ電気回路が1Mhzで

v について遺伝子組み換え=0V

ほら

119

ほら

ロープ

c についてオーエス

輸出容量

ほら

8.32

ほら

ロープ

c についてレス

逆転移転

容量

ほら

5.44

ほら

ロープ

ほら

i についてスコ

ほら

SC データ

tsc について≤10μs,V遺伝子組み換え=15Vほら

tj について=125 について°Cほら

v についてcc=900Vほらv について単数ほら≤1200V

ほら

ほら

7000

ほら

ほら

a について

rゲント

内部ゲート抵抗タンス

ほら

ほら

0.1

ほら

オー

わかったザ

流れる誘導力

ほら

ほら

12

ほら

ほら

rcc+ロープ’

モジュールリードレジスタについてほらターミナルからチップへ

tc について=25°C

ほら

0.19

ほら

ロープオー

シンボル

パラメーター

試験条件

ポイント

タイプする

オーケー

単位

v についてf について

ダイオード 前向き

圧力は

i についてf について=1600A

tj について=25°C

ほら

2.1

ほら

v について

tj について=125 について°C

ほら

2.2

ほら

qr

回収された電荷

ほら

i についてf について=1600A,

v についてr=600V

di/dt=-7500A/μs,ほらv について遺伝子組み換え=15V

tj について=25°C

ほら

73

ほら

微分

tj について=125 について°C

ほら

175

ほら

i についてロープ

ピーク逆

回復電流

tj について=25°C

ほら

510

ほら

a について

tj について=125 について°C

ほら

790

ほら

e についてレス

逆転回復ほらエネルギー

tj について=25°C

ほら

17

ほら

ロープ

tj について=125 について°C

ほら

46

ほら

シンボル

パラメーター

タイプする

オーケー

単位

rθJC

接続 (IGBT 部品,各)模块)

ほら

15

電力量

rθJC

ケースへの接点 (ダイオード部品,Mあたり)臭い)

ほら

26

電力量

rθCS

ケースからシンク

(電導性脂肪が塗り込まれ,模块)

6

ほら

電力量

体重

重さほら模組

1500

ほら

g