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1200V

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GD1200SGL120C3S

IGBT モジュール,1200V 1200A

Brand:
ストアパワー
Spu:
GD1200SGL120C3S
  • 紹介
紹介

特徴

  • 高速回路能力,自己制限6*IC
  • 10μs短回路能力
  • 陽性温度係数を持つ VCE (sat)
  • 低感受性ケース
  • 速くて柔らかい逆回復 対称性のないFWD
  • DBC技術を用いた隔離銅基板

典型的なアプリケーション

  • ACインバーター駆動装置
  • 切り替えモードの電源
  • 電子溶接機

絶対値ほら最大ほら評価ほらtc について=25°Cほらしない限りほら違うならほら確認

ほら

シンボル

記述

GD1200SGL120C3S

単位

v についてCES

集合器-放出器の電圧

1200

v について

v について総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

v について

i についてc について

コレクター電流

@ Tc について=25°C

@ Tc について= 違うほら100°C

1900

a について

1200

i についてセンチメートル(1) について

パルスコレクター電流 tp= 違うほら1ミリ秒

2400

a について

i についてf について

ダイオード 連続前流

1200

a について

i についてfm

ダイオード 最大前向き回転賃貸

2400

a について

pd

最大電源 消耗 @ Tj について= 違うほら175°C

8823

tスコ

短回路 耐える時間 @ Tj について=125 について°C

10

μs

tj について

交差点の動作温度

-40から+150

°C

tSTG

貯蔵温度範囲

-40から+125

°C

i について2ダイオード

v についてr=0V,t=10ms,Tj について=125 について°C

300

2s

v についてサイロ

隔離電圧 RMS,f=50Hz,t=1min

2500

v について

設置

トーク

電力端末スクリュー:M4

電力端末スクリュー:M8

年間ほら2.3

平均値ほら10

ラング

設置ほらスクリュー:M6

4.25からほら5.75

ラング

ほら

ほら

電気ほら特徴ほらについてほらゲンほらtc について=25°Cほらしない限りほら違うならほら確認

特徴から外れている

ほら

シンボル

パラメーター

試験条件

ポイント

タイプする

オーケー

単位

バイほらCES

収集-発信

断定電圧

tj について=25°C

1200

ほら

ほら

v について

i についてCES

収集家ほら切る- わかったオフほら流動

v について= 違うv についてCESほらv について遺伝子組み換え=0Vほらtj について=25°C

ほら

ほら

5.0

ママ

i について総エネルギー

ゲート発射器の漏れ

流動

v について遺伝子組み換え= 違うv について総エネルギーほらv について=0Vほらtj について=25°C

ほら

ほら

800

ほら

特徴について

ほら

シンボル

パラメーター

試験条件

ポイント

タイプする

オーケー

単位

v について遺伝子組み換え( ありがとうございました)について) について

ゲート発信者の限界値

圧力は

i についてc について=48.0ママほらv について= 違うv について遺伝子組み換えほらtj について=25°C

5.0

6.5

7.0

v について

ほら

ほら

v について衛星

ほら

収集機から発信機へ

飽和電圧

i についてc について= 違うほら1200A,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について=25°C

ほら

1.9

ほら

ほら

ほら

v について

i についてc について= 違うほら1200A,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について= 違うほら125°C

ほら

2.1

ほら

ほら

変形する特性

ほら

シンボル

パラメーター

試験条件

ポイント

タイプする

オーケー

単位

rゲント

内部ゲートレジスタ

tj について=25°C

ほら

1.2

ほら

オー

q遺伝子組み換え

ゲートチャージ

i についてc について= 違うほら1200A,V=600Vほらv について遺伝子組み換え=- やってるほら15...+15V

ほら

12.5

ほら

微分

td( ありがとうございました)について) について

オンする遅延時間

v についてcc=600V,Ic について=1200A

rg=0.82Ω,V遺伝子組み換えほら= 違うほら±15Vほらtj について=25°C

ほら

790

ほら

NS

tr

昇る時間

ほら

170

ほら

NS

td( ありがとうございました)オフ) について

切断するほら遅延時間

ほら

1350

ほら

NS

tf について

秋の時間

ほら

180

ほら

NS

td( ありがとうございました)について) について

オンする遅延時間

ほら

ほら

v についてcc=600V,Ic について=1200A

rg=0.82Ω,V遺伝子組み換えほら= 違う±15ほらv,ほら

tj について= 違うほら125°C

ほら

850

ほら

NS

tr

昇る時間

ほら

170

ほら

NS

td( ありがとうございました)オフ) について

切断するほら遅延時間

ほら

1500

ほら

NS

tf について

秋の時間

ほら

220

ほら

NS

e についてについて

オンほら切り替え損失

ほら

155

ほら

ロープ

e についてオフ

切断切換損失

ほら

190

ほら

ロープ

c についてほら

入力容量

ほら

v について電気回路が1MHzで

v について遺伝子組み換え=0V

ほら

92.0

ほら

ロープ

c についてオーエス

輸出容量

ほら

8.40

ほら

ロープ

c についてレス

逆転移転

容量

ほら

6.10

ほら

ロープ

ほら

i についてスコ

ほら

SC データ

tsc について10μs,V遺伝子組み換え=15V ほらtj について=125 について°Cほら

v についてcc=900Vほらv について単数1200V

ほら

ほら

7000

ほら

ほら

a について

わかった

流れる誘導力

ほら

ほら

15

ほら

ほら

rcc+ロープほら

モジュールリード抵抗e についてほらターミナルからチップへ

tc について=25°C切り替えるごとに

ほら

0.10

ほら

ロープオー

ほら

ほら

ほら

電気ほら特徴ほらについてほらダイオードほらtc について=25°Cほらしない限りほら違うならほら確認

ほら

シンボル

パラメーター

試験条件

ポイント

タイプする

オーケー

単位

v についてf について

ダイオード 前向き

圧力は

i についてf について= 違うほら1200a

tj について=25°C

ほら

1.9

ほら

v について

tj について= 違うほら125°C

ほら

2.1

ほら

qr

逆ダイオード

リカバリーチャージ

ほら

i についてf について= 違うほら1200A

v についてr=600V

di/dt=-6800A/μs,ほらv について遺伝子組み換え=- やってるほら15v

tj について=25°C

ほら

110

ほら

微分

tj について= 違うほら125°C

ほら

220

ほら

ほら

i についてロープ

ダイオードピーク

逆転回復ほら流動

tj について=25°C

ほら

760

ほら

ほら

a について

tj について= 違うほら125°C

ほら

990

ほら

e についてレス

逆転回復ほらエネルギー

tj について=25°C

ほら

47

ほら

ロープ

tj について= 違うほら125°C

ほら

82

ほら

熱特性バイアス

ほら

シンボル

パラメーター

タイプする

オーケー

単位

rθJC さん

接続 (IGBT 部分,pe)模块)

ほら

0.017

総量

rθJC さん

ケースへの接点 (モードごとに二極管部品)について)

ほら

0.025

総量

rθcs

ケースからシンク

(電導性脂肪が適用され,模块)

0.006

ほら

総量

体重

体重ほらについてほら模組

1500

ほら

g

ほら

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