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1200V

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GD1000HFA120C6S_B39

IGBT モジュール,1200V 1000A

Brand:
ストアパワー
Spu:
GD1000HFA120C6S_B39
  • 紹介
紹介

特徴

  • 低VCE(sat)トレンチIGBTT 技術
  • 短回路能力
  • 陽性温度係数を持つ VCE (sat)
  • 最大接合温度175oc について
  • 低感受性ケース
  • 速くて柔らかい逆回復 アンチパラレル FWD
  • AMB技術を用いた隔離銅ピンフィンベースプレート

典型的なほら申請

  • ハイブリッドおよび電気自動車
  • モータードライブ用インバータ
  • 断続性のある電源

絶対値ほら最大ほら評価ほらtF=25°C 異なることが記載されていない限り

ゲン

シンボル

記述

ユニット

v についてCES

集合器-放出器の電圧

1200

v について

v について総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

v について

i についてについて

実装されたコレクター Current

1000

a について

i についてc について

コレクター ストリーム @ Tf について=75ほらc について

765

a について

i についてCRM

繰り返すほら頂点ほら収集家ほら流動ほらほら限定ほらによるほらtバイト

2000

a について

pd

最大電力損失行動ほらありがとうございましたtf について=75ほらc についてほらtj について=175ほらc について

1515

ダイオード

ほら

シンボル

記述

ユニット

v についてRRM

繰り返しのピーク リバース・ボルト年齢

1200

v について

i についてフラン

実装されたコレクター Current

1000

a について

i についてf について

ダイオード 連続前向きCurrent

765

a について

i についてFRM

繰り返すほら頂点ほらフォワードほら流動ほらほら限定ほらによるほらtバイト

2000

a について

i についてFSM

サージ前方電流  tp=10ms  @ Tvj= 違う25ほらc について@ Tvj=150 についてほらc について

4100

3000

a について

i について2t

i について2t-価値ほらtp=10msありがとうございましたtvj=25ほらC @ Tvj=150 についてほらc について

84000

45000

a について2s

模組

ほら

シンボル

記述

価値

ユニット

tjmax

交差点最大温度

175

ほらc について

tバイト

交差点の動作温度

-40から+150

ほらc について

tSTG

貯蔵温度範囲

-40から+125

ほらc について

v についてサイロ

絶縁電圧  RMS,f=50Hz,t=1分

4000

v について

ほら

ほら

ゲンほら特徴ほらtf について=25ほらc についてほらしない限りほら違うならほら確認

ほら

シンボル

パラメーター

試験条件

ポイント

タイプする

オーケー

ユニット

ほら

ほら

v について衛星

ほら

ほら

収集機から発信機へほら飽和電圧

i についてc について=1000A,V遺伝子組み換え=15Vほらtvj=25ほらc について

ほら

1.45

1.90

ほら

ほら

v について

i についてc について=1000A,V遺伝子組み換え=15Vほらtvj=125 についてほらc について

ほら

1.65

ほら

i についてc について=1000A,V遺伝子組み換え=15Vほらtvj=175ほらc について

ほら

1.80

ほら

v について遺伝子組み換え( ありがとうございました)について) について

ゲート発信者の限界値ほら圧力は

i についてc について=24.0ママほらv について= 違うv について遺伝子組み換えほらほらtvj=25ほらc について

5.5

6.3

7.0

v について

i についてCES

収集家ほら切る- わかったオフ流動

v について= 違うv についてCESほらv について遺伝子組み換え=0Vほらtvj=25ほらc について

ほら

ほら

1.0

ママ

i について総エネルギー

ゲート発射器の漏れほら流動

v について遺伝子組み換え= 違うv について総エネルギーほらv について=0Vtvj=25ほらc について

ほら

ほら

400

ほら

rゲント

内部ゲート抵抗アンス

ほら

ほら

0.5

ほら

オー

c についてほら

入力容量

v について電気回路が25Vで,f=100KHzで,ほらv について遺伝子組み換え=0V

ほら

51.5

ほら

ロープ

c についてレス

逆転移転ほら容量

ほら

0.36

ほら

ロープ

qg

ゲートチャージ

v について遺伝子組み換え=-15...+15V

ほら

13.6

ほら

微分

td( ありがとうございました)について) について

オンする遅延時間

ほら

ほら

v についてcc=600V,Ic について=900A,わかった

rg=0.51Ω, Ls=40nH,ほらv について遺伝子組み換え=-8V/+15V,

tvj=25ほらc について

ほら

330

ほら

NS

tr

昇る時間

ほら

140

ほら

NS

t消して

切断するほら遅延時間

ほら

842

ほら

NS

tf について

秋の時間

ほら

84

ほら

NS

e についてについて

オンほら切り替えほら損失

ほら

144

ほら

ロープ

e についてオフ

切断するほら損失

ほら

87.8

ほら

ロープ

td( ありがとうございました)について) について

オンする遅延時間

ほら

ほら

v についてcc=600V,Ic について=900A,わかった

rg=0.51Ω, Ls=40nH,ほらv について遺伝子組み換え=-8V/+15V,

tvj=125 についてほらc について

ほら

373

ほら

NS

tr

昇る時間

ほら

155

ほら

NS

t消して

切断するほら遅延時間

ほら

915

ほら

NS

tf について

秋の時間

ほら

135

ほら

NS

e についてについて

オンほら切り替えほら損失

ほら

186

ほら

ロープ

e についてオフ

切断するほら損失

ほら

104

ほら

ロープ

td( ありがとうございました)について) について

オンする遅延時間

ほら

ほら

v についてcc=600V,Ic について=900A,わかった

rg=0.51Ω, Ls=40nH,ほらv について遺伝子組み換え=-8V/+15V,

tvj=175ほらc について

ほら

390

ほら

NS

tr

昇る時間

ほら

172

ほら

NS

t消して

切断するほら遅延時間

ほら

950

ほら

NS

tf について

秋の時間

ほら

162

ほら

NS

e についてについて

オンほら切り替えほら損失

ほら

209

ほら

ロープ

e についてオフ

切断するほら損失

ほら

114

ほら

ロープ

ほら

ほら

i についてスコ

ほら

ほら

SC データ

tp≤8μs,V遺伝子組み換え=15V

tvj=150 についてほらC,Vcc=800Vほら

v について単数ほら1200V

ほら

ほら

3200

ほら

ほら

a について

tp≤6μs,V遺伝子組み換え=15V

tvj=175ほらC,Vcc=800Vほら

v について単数ほら1200V

ほら

ほら

3000

ほら

ほら

a について

ほら

ダイオードほら特徴ほらtf について=25ほらc についてほらしない限りほら違うならほら確認

ほら

シンボル

パラメーター

試験条件

ポイント

タイプする

オーケー

単位

ほら

v についてf について

ダイオード 前向きほら圧力は

i についてf について=1000A,V遺伝子組み換え=0V,Tvj=25ほらc について

ほら

1.60

2.05

ほら

v について

i についてf について=1000A,V遺伝子組み換え=0V,Tvj=125 についてほらc について

ほら

1.70

ほら

i についてf について=1000A,V遺伝子組み換え=0V,Tvj=175ほらc について

ほら

1.60

ほら

qr

回収された電荷

ほら

v についてr=600V,If について=900A,

-di/dt=4930A/μs,V遺伝子組み換え=-8V,わかったs=40ほらほらtvj=25ほらc について

ほら

91.0

ほら

微分

i についてロープ

ピーク逆

回復電流

ほら

441

ほら

a について

e についてレス

逆転回復ほらエネルギー

ほら

26.3

ほら

ロープ

qr

回収された電荷

ほら

v についてr=600V,If について=900A,

-di/dt=4440A/μs,V遺伝子組み換え=-8V,わかったs=40ほらほら

tvj=125 についてほらc について

ほら

141

ほら

微分

i についてロープ

ピーク逆

回復電流

ほら

493

ほら

a について

e についてレス

逆転回復ほらエネルギー

ほら

42.5

ほら

ロープ

qr

回収された電荷

ほら

v についてr=600V,If について=900A,

-di/dt=4160A/μs,V遺伝子組み換え=-8V,わかったs=40ほらほら

tvj=175ほらc について

ほら

174

ほら

微分

i についてロープ

ピーク逆

回復電流

ほら

536

ほら

a について

e についてレス

逆転回復ほらエネルギー

ほら

52.4

ほら

ロープ

ほら

ほら

ほら

NTCほら特徴ほらtf について=25ほらc についてほらしない限りほら違うならほら確認

ほら

シンボル

パラメーター

試験条件

ポイント

タイプする

オーケー

ユニット

r25

定数抵抗

ほら

ほら

5.0

ほら

∆R/R

偏差ほらについてほらr100

tc について=100ほらほらc についてロープ100=493.3Ω

-5

ほら

5

%

p25

電力

消散

ほら

ほら

ほら

20.0

mw

b について25/50

B値

r2=R25経験[B25/501/T2- わかったほら半角形から

ほら

3375

ほら

k

b について25/80

B値

r2=R25経験[B25/801/T2- わかったほら半角形から

ほら

3411

ほら

k

b について25/100

B値

r2=R25経験[B25/1001/T2- わかったほら半角形から

ほら

3433

ほら

k

模組ほら特徴ほらtf について=25ほらc についてほらしない限りほら違うならほら確認

ほら

シンボル

パラメーター

ポイント

タイプする

オーケー

ユニット

わかった

流れる誘導力

ほら

20

ほら

ほら

rcc+ロープほら

モジュールリード抵抗,端末からチップ

ほら

0.80

ほら

ほら

rthJF

接合- わかったについて- わかった冷却ほら流体( ありがとうございました)perIGBT) について結合冷却液 (Dあたり)ヨード)ほらV/t=10.0dm3/ わかったポイントほらtf について=75ほらc について

ほら

ほら

0.066ほら0.092

総量

ロープ

端末接続トークほらスクリューM6ほら固定トークほらスクロール M5

3.0ほら3.0

ほら

6.0ほら6.0

ラング

g

体重ほらについてほら模組

ほら

400

ほら

g

p

最大圧ほら冷却回路

ほら

ほら

3

バー

∆p

圧縮降冷却回数キュート

∆V/∆t=10.0dm3/分f について=25ほらC 冷却ほら液体=50% 水/50% エチレングリコール

ほら

47

ほら

mbar

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