igbt型
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)は、金属酸化物半導体フィールド効果トランジスタ(MOSFET)のシンプルなゲート駆動特性とバイポーラ接合トランジスタ(BJT)の高電流および低飽和電圧能力を組み合わせた電力電子デバイスの一種です。その主な機能には、さまざまなアプリケーションにおける電流の流れのスイッチングと制御が含まれます。技術的には、IGBTは入力に金属酸化物半導体(MOS)構造を、出力にバイポーラ接合を特徴としており、電圧と電流の両方を効率的に処理することができます。この半導体デバイスは、高い効率と信頼性で高出力レベルを管理する能力により、電気自動車、鉄道牽引システム、電源、再生可能エネルギーシステムなどのアプリケーションで広く使用されています。