YMIBD800-17,IGBT Modul,Két kapcsolós IGBT,CRRC

(szimbólum)

(Paraméter)

(Kísérleti feltételek)

(érték)

(egység)

VCES

A kollektor-kibocsátó feszültség

V GE = 0V, TC= 25 。C

1700

V.

V GES

Kapu-kibocsátó feszültség

TC= 25 。C

± 20

V.

C

A kollektor-kibocsátó áram

TC = 80 。C

800

A

I C (((PK)

A kollektor csúcsárama

t P=1ms

1600

A

P max

Max. transzisztor-energia-szennyezés

Tvj = 150 。C, TC = 25 。C

6.94

kW

I 2t

Dióda I 2t

VR =0V, t P = 10ms, Tvj = 125 。C

120

kA2s

Visol

Elszigetelési feszültség modulonként

(Közös terminálok az alaplaphoz),

AC RMS,1 perc, 50Hz,TC= 25 。C

4000

V.

Q PD

Részleges kiürítés modulonként

IEC1287. V 1 = 1800V, V2 = 1300V, 50Hz RMS, TC= 25 。C

10

pC

(Szimbólum )

(Paraméter )

(Kísérleti feltételek)

(Min. )

(A típus )

(Max. )

(Egység )

I CES

A kollektor leállító áramát

V GE = 0V,VCE = VCES

1

mA

V GE = 0V, VCE = VCES , TC=125 ° C

25

mA

I GES

A kapu szivárgási áram

V GE = ±20V, VCE = 0V

4

μA

V GE (TH)

A kapcsoló küszöbfeszültség

I C = 40mA, V GE = VCE

5.00

5.70

6.50

V.

VCE (szt.)

Gyűjtő-Kibocsátó Telítési Feszültség

V GE =15V, I C = 800A

2.30

2.60

V.

V GE =15V, I C = 800A,Tvj = 125 ° C

2.80

3.10

V.

I F

Diódás előre áram

egyenáram DC

800

A

I FRM

Diódás maximális előre áram

t P = 1ms

1600

A

VF(*1)

Diódás előrehajtás

I F = 800A

1.70

2.00

V.

I F = 800A, Tvj = 125 ° C

1.80

2.10

V.

C ies

Bevezető kapacitás

VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz

60

nF

Q g

Kapu díj

±15V

9

μC

C res

Visszafordító kapacitás

VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz

-

nF

L M

Modul induktivitás

20

nH

R INT

Belső transzistor ellenállás

270

μΩ

I SC

Rövidzárlati áram, ISC

Tvj = 125° C, VCC = 1000V,

V GE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE(max) = VCES – L (*2)×di/dt,

IEC 6074-9

3700

A

csv (ki)

A kikapcsoló késleltetési idő

I C =800A

VCE =900V

L ~ 100nH

V GE = ±15V

RG(ON) = 2.2Ω

RG(OFF)= 2.2Ω

890

cs

a f

Őszidő

220

cs

E LEJÁLLÁS

A kikapcsolt energiaveszteség

220

mJ

tg ((on)

Beállítási késleltetési idő

320

cs

t r

Felemelkedési idő

190

cs

EON

Beállítási energiaveszteség

160

mJ

Q rr

Diódás fordított visszanyerő töltés

I F = 800A

VCE = 900V

diF/dt =4000A/us

260

μC

A

Diódás fordított visszanyerő áram

510

A

E rec

Diódák visszafordított energiatermelése

180

mJ

csv (ki)

A kikapcsoló késleltetési idő

I C =800A

VCE =900V

L ~ 100nH

V GE = ±15V

RG(ON) = 2.2Ω

RG(OFF)= 2.2Ω

980

cs

a f

Őszidő

280

cs

E LEJÁLLÁS

A kikapcsolt energiaveszteség

290

mJ

tg ((on)

Beállítási késleltetési idő

400

cs

t r

Felemelkedési idő

250

cs

EON

Beállítási energiaveszteség

230

mJ

Q rr

Diódás fordított visszanyerő töltés

I F = 800A

VCE = 900V

diF/dt =4000A/us

420

μC

A

Diódás fordított visszanyerő áram

580

A

E rec

Diódák visszafordított energiatermelése

280

mJ