Rövid bevezetés
A tirisztor/ Diódás modul , MTx 820 MFx 820 MT 800，820A ,Légi hűtés ，A TECHSEM készítette.
VRRM ,VDRM |
Típus & Vázlat |
|
600V |
MTC820-06-416F3 |
MFC820-06-416F3 |
800V |
MTC820-08-416F3 |
MFC820-08-416F3 |
1000V |
MTC820-10-415F3 |
MFC820-10-416F3 |
1200V |
MTC820-12-416F3 |
MFC820-12-416F3 |
1400V |
MTC820-14-416F3 |
MFC820-14-416F3 |
1600V |
MTC820-16-416F3 |
MFC820-16-416F3 |
1800V |
MTC820-18-416F3 |
MFC820-18-416F3 |
1800V |
MT820-18-416F3G |
|
Jellemzők
Tipikus alkalmazások
|
Szimbólum |
A tulajdonságok |
A vizsgálati feltételek |
Tj(℃) |
érték |
egység |
||
Min. |
Típus |
Max. |
|||||
IT ((AV) |
Átlagos bekapcsolt állapotú áram |
180° félszínus hullám 50Hz, egyoldalúan hűtött, Tc=85℃ |
135 |
|
|
820 |
A |
IT(RMS) |
RMS bekapcsolt állapotú áram |
180。fél szinuszos hullám 50Hz |
|
|
1287 |
A |
|
Idrm Irrm |
Ismétlődő csúcsáram |
VDRM-nél VRRM-nél |
135 |
|
|
120 |
mA |
ITSM |
Túlfeszültség bekapcsolt állapotú áram |
10 ms fél sinus hullám, VR=0V |
135 |
|
|
20.1 |
kA |
Én... 2t |
I2t az olvadási koordinációhoz |
|
|
2020 |
A 2s* 10 3 |
||
VTO |
Küszöbfeszültség |
|
135 |
|
|
0.81 |
V. |
rt |
Bekapcsolt állapotú lejtési ellenállás |
|
|
0.24 |
mΩ |
||
VTM |
Csúcs bekapcsolt állapotú feszültség |
ITM= 1500A |
25 |
|
|
1.38 |
V. |
dv/dt |
Kritikus feszültségnövekedési sebesség kikapcsolt állapotban |
VDM=67%VDRM |
135 |
|
|
1000 |
V/μs |
di/dt |
Kritikus emelkedési sebesség a bekapcsolt állapotú áramra |
Kapu forrás 1.5A tr ≤0.5μs Ismétlődő |
135 |
|
|
200 |
A/μs |
Tgd |
Kapuvezérelt késleltetési idő |
IG= 1A dig/dt=1A/μs |
25 |
|
|
4 |
μs |
Tq |
Áramkör által vezérelt kikapcsolási idő |
ITM=800A, tp=2000μs, VR =50V dv/dt=20V/μs,di/dt=-10A/μs |
135 |
|
250 |
|
μs |
IGT |
Kapu indító áram |
VA= 12V, IA= 1A |
25 |
30 |
|
250 |
mA |
Vgt. |
Kapu indító feszültség |
0.8 |
|
3.0 |
V. |
||
IH |
Tartó áram |
10 |
|
300 |
mA |
||
A II. |
Rögzítő áram |
A vizsgált anyagokat a következők alapján kell vizsgálni: |
25 |
|
|
1500 |
mA |
VGD |
Nem indító kapu feszültség |
VDM=67%VDRM |
135 |
|
|
0.25 |
V. |
IGD |
Nem indító porták áram |
VDM=67%VDRM |
135 |
|
|
5 |
mA |
Rth(j-c) |
Hőellenállás csatlakozótól a házig |
Egyoldali hűtés chipenként |
|
|
|
0.047 |
℃/W |
Rth(c-h) |
Hőellenállás a háztól a hűtőbordáig |
Egyoldali hűtés chipenként |
|
|
|
0.015 |
℃/W |
VISO |
Szigetelési feszültség |
50Hz, R.M.S, t= 1min, Iiso:1mA(MAX) |
|
3000 |
|
|
V. |
|
FM |
Terminál csatlakozási nyomaték (M10) |
|
|
10.0 |
|
12.0 |
N·m |
Rögzítési nyomaték (M6) |
|
|
4.5 |
|
6.0 |
N·m |
|
Tvj |
Kötési hőmérséklet |
|
|
-40 |
|
135 |
℃ |
TSTG |
Tárolási hőmérséklet |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
Wt |
Súly |
|
|
|
1410 |
|
G |
Az ábrázolás |
416F3 |
||||||
Profi értékesítési csapatunk várja tanácsát.
Követheti terméklistájukat, és kérdezheti az Ön által fontosnak tartott kérdéseket.
EN
