YMIF750-65, IGBT Modul, Egységes kapcsoló IGBT, CRRC

V. _{A CES}

6500 V

V. _{CE (szombat)} - Tipikus.

3,0 V

Én... _C - Max, kérlek!

750 A

Én... _C(RM) - Max, kérlek!

1500 A

Szimbólum

Paraméter

A vizsgálati feltételek

Érték

Egység

V. _{A CES}

A kollektor-kibocsátó feszültség

A VGE = 0V, TC = 25 °C

6500

V.

V. _GES

Kapu-kibocsátó feszültség

TC= 25 °C

± 20

V.

Én... _C

A kollektor-kibocsátó áram

TC = 80 °C

750

A

Én... _{C (((PK)}

A kollektor csúcsárama

tP=1 ms

1500

A

P _max.

Max. transzisztor-energia-szennyezés

Tvj = 150 °C, TC = 25 °C

11.7

kW

Én... ²t

Diódák

A vizsgálati eljárás során a vizsgált anyagokat a vizsgált anyagokat tartalmazó összes anyagnak kell megadniuk.

460

kA2s

V. _{az önálló}

A szigetelési feszültség - modulonként

(közös végpontok az alaplemezhez), AC RMS,1 perc, 50Hz, TC= 25 °C

10.2

kV

Q _PD

Részleges kiürítés - modulonként

A 1287 sz. V1=6900V,V2=5100V,50Hz RMS

10

pC

Rth(J-C) IGBT

Hőellenállás - IGBT

8.5

K / kW

Rth(J-C) Dióda

Hőellenállás - Dióda

19.0

K / kW

Rth(C-H) IGBT

Hőellenállás -

ház és hűtőborda (IGBT)

Szerelési nyomaték 5Nm,

szerelési zsírral 1W/m·°C

9

K / kW

Rth(C-H) Dióda

Hőellenállás -

ház és hűtőborda (Dióda)

Szerelési nyomaték 5Nm,

szerelési zsírral 1W/m·°C

18

K / kW

Tvjop

A csatlakozó üzemfoka hőmérséklete

( IGBT )

-40

125

°C

( Dióda )

-40

125

°C

TSTG

tárolási hőmérséklet

Tárolóhőmérséklet-tartomány

-40

125

°C

M

Csavar nyomaték

A felszerelés M6

5

Nm

Elektromos csatlakozások M4

2

Nm

Elektromos csatlakozások M8

10

Nm

符号 Szimbólum

参数名称 Paraméter

条件

A vizsgálati feltételek

最小值 Min.

典型值 - Tipikus.

legnagyobb érték - Max, kérlek!

egység Egység

ICES-szel

集电极截止电流

A kollektor leállító áramát

VGE = 0V,VCE = VCES

1

mA

VGE = 0V, VCE = VCES, TC=125 °C

90

mA

IGES

极漏电流

A kapu szivárgási áram

VGE = ±20V, VCE = 0V

1

μA

VGE (TH)

rács -emittáló küszöb feszültség A kapcsoló küszöbfeszültség

IC = 120mA, VGE = VCE

5.00

6.00

7.00

V.

VCE (szt.)

集电极 -emittáló telítési feszültség

A kollektor-kibocsátó telítettsége

feszültség

VGE =15V, IC = 750A

3.0

3.4

V.

VGE =15V, IC = 750A, Tvj = 125 °C

3.9

4.3

V.

Ha

dióda előre irányuló egyenáram Diódás előre áram

DC

750

A

A FVK

dióda előre irányuló ismétlődő csúcsáram Diód csúcs előre áram

tP = 1 ms

1500

A

VF(*1)

dióda előre irányuló feszültség

Diódás előrehajtás

A járműveknek a következőkre kell figyelniük:

2.55

2.90

V.

A vizsgálatot a következők alapján kell elvégezni:

2.90

3.30

V.

A VTK

rövidzárlati áram

Rövid áram

Tvj = 125°C, VCC = 4500V, VGE ≤15V, tp ≤10μs,

A VCE (max) = VCES L (max) *2) ×di/dt, IEC 6074-9

2800

A

A csúcs

bevezető kapacitás

Bevezető kapacitás

VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz

123

nF

Qg

极电荷

Kapu díj

±15V

9.4

μC

Cres

visszafelé történő átviteli kapacitás

Visszafordító kapacitás

VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz

2.6

nF

LM

modul induktivitás

Modul induktivitás

10

nH

RINT

belső ellenállás

Belső transzistor ellenállás

90

mΩ

tD _(ki)

kikapcsolási késleltetés

A kikapcsoló késleltetési idő

IC =750A,

A VCE = 3600V, a VGE = ±15V, az RG ((OFF) = 6,8Ω, a CGE = 330nF, az LS = 280nH,

Tvj= 25 °C

3060

cs

Tvj= 125 °C

3090

t _f

- Lecsökkentő idő. Őszidő

Tvj= 25 °C

2390

cs

mJ

cs

cs

mJ

μC

Tvj= 125 °C

2980

E _{Ki van kapcsolva.}

kikapcsolási veszteség

A kikapcsolt energiaveszteség

Tvj= 25 °C

3700

Tvj= 125 °C

4100

tD _(meghajtva)

开通延迟时间

Beállítási késleltetési idő

IC =750A,

A VCE = 3600V, a VGE = ±15V, az RG ((ON) = 1,0Ω, a CGE = 330nF, az LS = 280nH,

Tvj= 25 °C

670

Tvj= 125 °C

660

tr

fejlődési idő Felemelkedési idő

Tvj= 25 °C

330

Tvj= 125 °C

340

E _A

kapcsolási veszteség

Beállítási energiaveszteség

Tvj= 25 °C

4400

Tvj= 125 °C

6100

Qrr

dióda visszafelé helyreállító töltés Diódás vissza

behajtási díj

IF =750A,

VCE = 3600V,

- diF/dt = 3000A/us, (Tvj= 125 °C).

Tvj= 25 °C

1300

Tvj= 125 °C

1680

A következők:

dióda visszafelé helyreállító áram Diódás vissza

visszanyerési áram

Tvj= 25 °C

1310

A

mJ

Tvj= 125 °C

1460

Erec

dióda visszafelé helyreállító veszteség Diódás vissza

energia-visszanyerés

Tvj= 25 °C

2900

Tvj= 125 °C

4080