Minden Kategória

IGBT Modul 1200V

IGBT Modul 1200V

Főoldal /  Termékek  /  IGBT modul /  IGBT Modul 1200V

GD300SGY120C2S, IGBT Modul, STARPOWER

1200V 300A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD300SGY120C2S
  • Bevezetés
  • Az ábrázolás
Bevezetés

Rövid bevezetés

IGBT modul , amelyet a STARPOWER gyártott. 1200V 600A.

Jellemző

  • Alacsony VCE(sat) árok IGBT technológia
  • 10 μs rövidzárlat-képesség
  • VCE (sat) pozitív hőmérsékleti együtthatóval
  • Maximális csomóponti hőmérséklet 175oC
  • Alacsony induktancia
  • Gyors és puha fordított helyreállítási anti-párhuzamos FWD
  • DBC technológiát használó, szigetelt réz alaplemez

Tipikus A kérelmek

  • Inverter motor meghajtáshoz
  • AC és DC szervó meghajtó erősítő
  • Folyamatlan Ultraszintű Áramellenállás

Abszolút Legfeljebb Szabályozás t C =25 O C kivéve, ha egyébként Megjegyzés

IGBT

Szimbólum

Leírás

érték

egység

V. A CES

A kollektor-kibocsátó feszültség

1200

V.

V. GES

Kapu-kibocsátó feszültség

±20

V.

Én... C

Gyűjtőáram @ T C =25 O C

@ T C =100 O C

480

300

A

Én... A CM

Pulzáló gyűjtőáram t P =1 ms

600

A

P d

Maximális teljesítmény disszipáció @ T j =175 O C

1613

W

Diódák

Szimbólum

Leírás

érték

egység

V. RRM

Ismétlődő csúcs visszafelé feszültség

1200

V.

Én... F

Diódák folyamatos előrehajtás bérleti díj

300

A

Én... FM

Dióda maximális előre irányuló áram t P =1 ms

600

A

Modul

Szimbólum

Leírás

érték

egység

t jmax

A csatlakozás maximális hőmérséklete

175

O C

t Jopp

A csatlakozó üzemfoka hőmérséklete

-40 és +150 között

O C

t STG

tárolási hőmérséklet Hatótávolság

-40 és +125 között

O C

V. ISO-k

A szigetelési feszültség RMS,f=50Hz,t=1 Min.

4000

V.

IGBT A tulajdonságok t C =25 O C kivéve, ha egyébként Megjegyzés

Szimbólum

Paraméter

A vizsgálati feltételek

Min.

- Tipikus.

- Max, kérlek!

egység

VCE (szaturány)

A gyűjtő a kibocsátóhoz

Telítettség

A vizsgálati eljárás során a vizsgált anyagokat a vizsgálati eljárás során vizsgáló vizsgálatok során kell alkalmazni.

1.70

2.15

V.

A vizsgálati eljárás során a vizsgált anyagokat a vizsgált anyagokat tartalmazó anyagokból kell állítani.

1.95

A vizsgálati eljárás során a vizsgált anyagokat a vizsgálati eljárás során vizsgáló vizsgálatok során kell alkalmazni.

2.00

VGE (h)

Gát-Kibocsátó Küszöb Feszültség

A vizsgálati módszerek a következők szerint működnek:

5.2

6.0

6.8

V.

ICES-szel

Gyűjtő leválasztás

A jelenlegi

VCE=VCES,VGE=0V,

Tj=25oC

1.0

mA

IGES

Gát-Kibocsátó Szivárgási Áram

A VGE=VGES,VCE=0V,Tj=25oC

400

NA

RGint

Belső kapu ellenállás

2.5

Ó

A csúcs

Bevezető kapacitás

A VCE=25V, f=1Mhz,

VGE=0V

31.1

NF

Cres

Visszafordítás

A kapacitás

0.87

NF

Qg

Kapu díj

VGE=- 15...+15V

2.33

μC

Tg ((on)

Beállítási késleltetési idő

A VCC=600V, IC=300A, RG=1.3Ω, VGE=±15V, Tj=25oC

182

cs

tr

Felemelkedési idő

54

cs

csv (ki)

A kikapcsoló késleltetési idő

464

cs

Tf

Őszidő

72

cs

EON

Kapcsolási idő

Veszély

10.6

MJ

EOFF

Kiállító kapcsoló

Veszély

25.8

MJ

Tg ((on)

Beállítási késleltetési idő

A VCC=600V, IC=300A, RG=1.3Ω, VGE=±15V, Tj=125oC

193

cs

tr

Felemelkedési idő

54

cs

csv (ki)

A kikapcsoló késleltetési idő

577

cs

Tf

Őszidő

113

cs

EON

Kapcsolási idő

Veszély

16.8

MJ

EOFF

Kiállító kapcsoló

Veszély

38.6

MJ

Tg ((on)

Beállítási késleltetési idő

A VCC=600V, IC=300A, RG=1.3Ω, VGE=±15V, Tj=150oC

203

cs

tr

Felemelkedési idő

54

cs

csv (ki)

A kikapcsoló késleltetési idő

618

cs

Tf

Őszidő

124

cs

EON

Kapcsolási idő

Veszély

18.5

MJ

EOFF

Kiállító kapcsoló

Veszély

43.3

MJ

A VTK

SC-adatok

tP≤10μs,VGE=15V,

A Tj=150oC, a VCC=900V, a VCEM≤1200V

1200

A

Diódák A tulajdonságok t C =25 O C kivéve, ha egyébként Megjegyzés

Szimbólum

Paraméter

A vizsgálati feltételek

Min.

- Tipikus.

- Max, kérlek!

egység

VF

Előrehajtó diódák

Feszültség

IF=300A,VGE=0V,Tj=25oC

1.65

2.10

V.

A vizsgálatot a következők alapján kell elvégezni:

1.65

A vizsgálatot a következők alapján kell elvégezni:

1.65

Qr

helyreállított töltés

VCC=600V,IF=300A,

-di/dt=6050A/μs,VGE=- 15V,Tj=25oC

29

μC

IRM

A csúcs fordított

visszanyerési áram

318

A

Erec

Visszafelé nyert energia

18.1

MJ

Qr

helyreállított töltés

VCC=600V,IF=300A,

-di/dt=6050A/μs,VGE=- 15V,Tj= 125oC

55

μC

IRM

A csúcs fordított

visszanyerési áram

371

A

Erec

Visszafelé nyert energia

28.0

MJ

Qr

helyreállított töltés

VCC=600V,IF=300A,

-di/dt=6050A/μs,VGE=- 15V,Tj=150oC

64

μC

IRM

A csúcs fordított

visszanyerési áram

390

A

Erec

Visszafelé nyert energia

32.8

MJ

Modul A tulajdonságok t C =25 O C kivéve, ha egyébként Megjegyzés

Szimbólum

Paraméter

Min.

- Tipikus.

- Max, kérlek!

egység

LCE

Sétáló induktancia

20

nH

RCC+EE

Modul vezeték ellenállás, terminál és chip között

0.35

RthJC

A csatlakozó a tárolóhoz (IGBT-enként)

A "Hall-to-Case" csatlakozó (diódánként)

0.093

0.155

K/W

RthCH

A hőfolyadékok közötti átállás (IGBT-enként)

A hőfolyadékok közötti átállás (diódánként)

Ház-hűtőborda (modulonként)

0.016

0.027

0.010

K/W

m

A végső csatlakozó nyomaték, csavar M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.m.

G

A modul súlya

300

G

Az ábrázolás

image(6b521639e0).png

Kérjen ingyenes árajánlatot

Képviselőnk hamarosan felveszi Önnel a kapcsolatot.
Email
Név
Cég neve
Üzenet
0/1000

KAPCSOLÓDÓ TERMÉK

Van kérdése bármely termékről?

A professzionális értékesítési csapatunk várja a konzultációját.
Követheti terméklistájukat, és kérdezheti az Ön által fontosnak tartott kérdéseket.

Kérjen árajánlatot

Kérjen ingyenes árajánlatot

Képviselőnk hamarosan felveszi Önnel a kapcsolatot.
Email
Név
Cég neve
Üzenet
0/1000