IGBT Modul 4500V

Paraméter

Szimbólum

Körülmények

érték

egység

Gyűjtő ‐Kibocsátó Feszültség

V. A CES

V. Általános energia =0V, t Vj =25 ° C

4500

V.

DC Gyűjtő A jelenlegi

Én... C

t C =100 ° C, t Vj = 125 ° C

3000

A

Felső Gyűjtő A jelenlegi

Én... A CM

t P = 1 ms

6000

A

Gát ‐Kibocsátó Feszültség

V. GES

± 20

V.

Teljes Teljesítmény Disszipáció

P tot

t C =25 ° C, t Vj = 125 ° C

31200

W

DC Előre A jelenlegi

Én... F

3000

A

Felső Előre A jelenlegi

Én... A FRM

t P = 1 ms

6000

A

Folyamat A jelenlegi

Én... FSM

V. r =0V, t Vj = 125 ° C,

t P = 10 ms ,fél ‐szinózus hullám

21000

A

IGBT Rövid ÁRAMKÖR SOA

t psc

V. CC = 3400V, V. A CEM Chip ≤4500V V. Általános energia ≤ 15V, t Vj ≤125 ° C

10

μs

Legfeljebb Csomópont Hőmérséklet

t Vj (Max. )

125

°C

Csomópont Működési Hőmérséklet

t Vj (mű )

-40 ~ 125

°C

Eset Hőmérséklet

t C

-40 ~ 125

°C

Tárolás Hőmérséklet

t STG

- 40 ~ 70

°C

Feltöltés erő

F m

90 ~ 130

kN

Paraméter

Szimbólum

Körülmények

érték

egység

Min. .

- Tipikus.

Max. .

Előre Feszültség

V. F

Én... F = 3000A

t Vj =25 °C

2.60

V.

t Vj = 125 °C

2.85

V.

vissza visszanyerési áram

Én... R

IF=3000A, VR=2800V,

a következők szerint:

RGon=1,5Ω,

LS=140nH,

Induktív terhelés

t Vj =25 °C

1690

A

t Vj = 125 °C

2750

A

vissza behajtási díj

Q R

t Vj =25 °C

3000

uC

t Vj = 125 °C

3950

uC

vissza felépülési idő

t R

t Vj =25 °C

1.80

USA

t Vj = 125 °C

2.20

USA

vissza A helyreállítás Energia Veszély

e A felvétel

t Vj =25 °C

4000

MJ

t Vj = 125 °C

6300

MJ