GD750HFA120C6S,IGBT Modul,STARPOWER

Bevezetés

Rövid bevezetés

IGBT modul ,A következők által gyártott STARPOWER . 1200V 800A.

Jellemzők

Alacsony VCE(sat) árok IGBT technológia
VCE (sat) pozitív hőmérsékleti együtthatóval
Maximális csatoponti hőmérséklet 175 ℃
Alacsony induktancia
Gyors és puha fordított helyreállítási anti-párhuzamos FWD
DBC technológiát használó, szigetelt réz alaplemez

Tipikus alkalmazások

Hibrid és elektromos jármű
Inverter motor meghajtáshoz
Folyamatlan Ultraszintű Áramellenállás

Abszolút Legfeljebb Szabályozás t F =25 O C kivéve, ha egyébként Megjegyzés

IGBT

Szimbólum	Leírás	Értékek	egység
V. A CES	A kollektor-kibocsátó feszültség	1200	V.
V. GES	Kapu-kibocsátó feszültség	±20	V.
Én... C	Gyűjtőáram @ T C =100 O C	750	A
Én... A CM	Pulzáló gyűjtőáram t P =1 ms	1500	A
P M	Maximális teljesítmény disszipáció @ T Vj =175 O C	3125	W

Diódák

Szimbólum	Leírás	Értékek	egység
V. RRM	Ismétlődő csúcs fordított volt Kor	1200	V.
Én... F	Diódák folyamatos előrecsatlakozó Cu áram	900	A
Én... FM	Dióda maximális előre irányuló áram t P =1 ms	1500	A
Én... FSM	Támogatás előre áram t P = 10 ms @ T Vj = 25O C @ T Vj =150 O C	3104 2472	A
Én... 2t	Én... 2t- érték ,t P = 10 ms @ t Vj =25 O C @ T Vj =150 O C	48174 30554	A 2s

Modul

Szimbólum	Leírás	érték	egység
t vjmax	A csatlakozás maximális hőmérséklete	175	O C
t vjop	A csatlakozó üzemfoka hőmérséklete	-40 és +150 között	O C
t STG	Tárolóhőmérséklet-tartomány	-40 és +125 között	O C
V. ISO-k	Izolációs feszültség RMS,f=50Hz,t =1 perc	4000	V.

IGBT A tulajdonságok t C =25 O C kivéve, ha egyébként Megjegyzés

Szimbólum	Paraméter	A vizsgálati feltételek	Min.	- Tipikus.	- Max, kérlek!	egység
V. CE (szombat)	A gyűjtő a kibocsátóhoz Telítettség	Én... C =750A,V Általános energia =15V, t Vj =25 O C		1.35	1.85	V.
		Én... C =750A,V Általános energia =15V, t Vj = 125 O C		1.55
		Én... C =750A,V Általános energia =15V, t Vj =175 O C		1.55
V. Általános energia (A )	A kapcsoló-kibocsátó küszöbértéke Feszültség	Én... C =24.0 mA ,V. CE = V. Általános energia , t Vj =25 O C	5.5	6.3	7.0	V.
Én... A CES	Gyűjtő Vágás -Ki van kapcsolva. A jelenlegi	V. CE = V. A CES ,V. Általános energia =0V, t Vj =25 O C			1.0	mA
Én... GES	A kapuk kibocsátójának szivárgása A jelenlegi	V. Általános energia = V. GES ,V. CE =0V, t Vj =25 O C			400	NA
r Gint	Belső kapu ellenállás			0.5		Ó
C a)	Bevezető kapacitás	V. CE = 25V, f=100 kHz, V. Általános energia =0V		85.2		NF
C Res	Visszafordítás A kapacitás	V. CE = 25V, f=100 kHz, V. Általános energia =0V		0.45		NF
Q G	Kapu díj	V. Általános energia =-15...+15V		6.15		μC
t M (A )	Beállítási késleltetési idő	V. CC = 600V,I C =750A, r G =0.5Ω, V. Általános energia =-8V/+15V, l s = 40 nH ,t Vj =25 O C		238		cs
t r	Felemelkedési idő			76		cs
t d(ki)	Kiállás Késésítési idő			622		cs
t F	Őszidő			74		cs
e A	Beállítva Átváltás Veszély			68.0		MJ
e Ki van kapcsolva.	Kiállító kapcsoló Veszély			52.8		MJ
t M (A )	Beállítási késleltetési idő	V. CC = 600V,I C =750A, r G =0.5Ω, V. Általános energia =-8V/+15V, l s = 40 nH ,t Vj = 125 O C		266		cs
t r	Felemelkedési idő			89		cs
t d(ki)	Kiállás Késésítési idő			685		cs
t F	Őszidő			139		cs
e A	Beállítva Átváltás Veszély			88.9		MJ
e Ki van kapcsolva.	Kiállító kapcsoló Veszély			67.4		MJ
t M (A )	Beállítási késleltetési idő	V. CC = 600V,I C =750A, r G =0.5Ω, V. Általános energia =-8V/+15V, l s = 40 nH ,t Vj =175 O C		280		cs
t r	Felemelkedési idő			95		cs
t d(ki)	Kiállás Késésítési idő			715		cs
t F	Őszidő			166		cs
e A	Beállítva Átváltás Veszély			102		MJ
e Ki van kapcsolva.	Kiállító kapcsoló Veszély			72.7		MJ
Én... A sz.	SC-adatok	t P ≤8μs, V. Általános energia =15V, t Vj =150 O C,V CC = 800V, V. A CEM ≤ 1200V		2500		A
Én... A sz.	SC-adatok	t P ≤ 6 μs, V. Általános energia =15V, t Vj =175 O C,V CC = 800V, V. A CEM ≤ 1200V		2400		A

Diódák A tulajdonságok t C =25 O C kivéve, ha egyébként Megjegyzés

Szimbólum	Paraméter	A vizsgálati feltételek	Min.	- Tipikus.	- Max, kérlek!	Egyedülálló egységek
V. F	Előrehajtó diódák Feszültség	Én... F =750A,V Általános energia =0V,T Vj =2 5O C		1.60	2.05	V.
		Én... F =750A,V Általános energia =0V,T Vj = 125 O C		1.65
		Én... F =750A,V Általános energia =0V,T Vj =175 O C		1.65
Q r	helyreállított töltés	V. r = 600V,I F =750A, -di/dt=6500A/μs,V Általános energia =-8V, l s = 40 nH ,t Vj =25 O C		79.7		μC
Én... RM	A csúcs fordított visszanyerési áram			369		A
e A felvétel	Visszafordított helyreállítás Energia			23.3		MJ
Q r	helyreállított töltés	V. r = 600V,I F =750A, -di/dt=5600A/μs,V Általános energia =-8V, l s = 40 nH ,t Vj = 125 O C		120		μC
Én... RM	A csúcs fordított visszanyerési áram			400		A
e A felvétel	Visszafordított helyreállítás Energia			39.5		MJ
Q r	helyreállított töltés	V. r = 600V,I F =750A, -di/dt=5200A/μs,V Általános energia =-8V, l s = 40 nH ,t Vj =175 O C		151		μC
Én... RM	A csúcs fordított visszanyerési áram			423		A
e A felvétel	Visszafordított helyreállítás Energia			49.7		MJ

NTC A tulajdonságok t C =25 O C kivéve, ha egyébként Megjegyzés

Szimbólum	Paraméter	A vizsgálati feltételek	Min.	- Tipikus.	- Max, kérlek!	egység
r 25	Névleges ellenállás			5.0		kΩ
∆R/R	Eltérés A r 100	t C =100 O C ,R 100=493.3Ω	-5		5	%
P 25	Teljesítmény Disszipáció				20.0	mW
B 25/50	B-érték	r 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		K
B 25/80	B-érték	r 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		K
B 25/100	B-érték	r 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		K

Modul A tulajdonságok t C =25 O C kivéve, ha egyébként Megjegyzés

Szimbólum	Paraméter	Min.	- Tipikus.	- Max, kérlek!	egység
l CE	Sétáló induktancia		20		nH
r CC+EE	Modul vezeték ellenállás, terminál és chip között		0.80		mΩ
r thJC	Csomópont -Ahhoz -ESET (perIGBT ) A D-számra vonatkozó összeköttetés jód)			0.048 0.088	K/W
r thCH	ESET -Ahhoz -Hűtőborda (perIGBT )A hőszink (p) er dióda) Case-to-Heatsink (per Modul)		0.028 0.051 0.009		K/W
m	Terminál csatlakozási nyomaték, Függöny M6 Szerelési nyomaték, Csavar M5	3.0 3.0		6.0 6.0	N.m.
G	Súly A Modul		350		G