GD400CLU120C2SD,IGBT Modul,STARPOWER

Bevezetés

Rövid bevezetés

IGBT modul ,A következők által gyártott STARPOWER . 1200V 400A.

Jellemzők

NPT IGBT technológia
10 μs rövidzárlat-képesség
Alacsony váltási veszteség
VCE (sat) pozitív hőmérsékleti együtthatóval
Alacsony induktancia
Gyors és puha fordított helyreállítási anti-párhuzamos FWD
DBC technológiát használó, szigetelt réz alaplemez

Tipikus alkalmazások

Kapcsoló üzemmód
Induktív fűtés
Elektronikus hegesztő

Abszolút Legfeljebb Szabályozás t F =25 O C kivéve, ha egyébként Megjegyzés

IGBT

Szimbólum	Leírás	érték	egység
V. A CES	A kollektor-kibocsátó feszültség	1200	V.
V. GES	Kapu-kibocsátó feszültség	±20	V.
Én... C	Gyűjtőáram @ T C =25 O C @ T C = 60 O C	519 400	A
Én... A CM	Pulzáló gyűjtőáram t P =1 ms	800	A
P M	Maximális teljesítmény disszipáció @ T Vj =150 O C	2450	W

Diódák

Szimbólum	Leírás	érték	egység
V. RRM	Ismétlődő csúcs fordított volt Kor	1200	V.
Én... F	Diódák folyamatos előrecsatlakozó Cu áram	400	A
Én... FM	Dióda maximális előre irányuló áram t P =1 ms	800	A

Modul

Szimbólum	Leírás	érték	egység
t vjmax	A csatlakozás maximális hőmérséklete	150	O C
t vjop	A csatlakozó üzemfoka hőmérséklete	-40 és +125 között	O C
t STG	Tárolóhőmérséklet-tartomány	-40 és +125 között	O C
V. ISO-k	Izolációs feszültség RMS,f=50Hz,t =1 perc	2500	V.

IGBT A tulajdonságok t C =25 O C kivéve, ha egyébként Megjegyzés

Szimbólum	Paraméter	A vizsgálati feltételek	Min.	- Tipikus.	- Max, kérlek!	egység
V. CE (szombat)	A gyűjtő a kibocsátóhoz Telítettség	Én... C =400A,V Általános energia =15V, t Vj =25 O C		2.90	3.35	V.
V. CE (szombat)	A gyűjtő a kibocsátóhoz Telítettség	Én... C =400A,V Általános energia =15V, t Vj = 125 O C		3.60		V.
V. Általános energia (A )	A kapcsoló-kibocsátó küszöbértéke Feszültség	Én... C =16.0 mA ,V. CE = V. Általános energia , t Vj =25 O C	4.5	5.5	6.5	V.
Én... A CES	Gyűjtő Vágás -Ki van kapcsolva. A jelenlegi	V. CE = V. A CES ,V. Általános energia =0V, t Vj =25 O C			5.0	mA
Én... GES	A kapuk kibocsátójának szivárgása A jelenlegi	V. Általános energia = V. GES ,V. CE =0V, t Vj =25 O C			400	NA
r Gint	Belső kapu ellenállás A			0.6		Ó
C a)	Bevezető kapacitás	V. CE = 25V, f=1Mhz, V. Általános energia =0V		26.0		NF
C Res	Visszafordítás A kapacitás	V. CE = 25V, f=1Mhz, V. Általános energia =0V		1.70		NF
Q G	Kapu díj	V. Általános energia =-15...+15V		4.2		μC
t M (A )	Beállítási késleltetési idő	V. CC = 600V,I C =400A, r G = 2,2Ω, l s =30 nH , V. Általános energia =±15V,T Vj =25 O C		252		cs
t r	Felemelkedési idő			63		cs
t d(ki)	Kiállás Késésítési idő			427		cs
t F	Őszidő			44		cs
e A	Beállítva Átváltás Veszély			24.7		MJ
e Ki van kapcsolva.	Kiállító kapcsoló Veszély			16.5		MJ
t M (A )	Beállítási késleltetési idő	V. CC = 600V,I C =400A, r G = 2,2Ω, l s =30 nH , V. Általános energia =±15V,T Vj = 125 O C		258		cs
t r	Felemelkedési idő			65		cs
t d(ki)	Kiállás Késésítési idő			465		cs
t F	Őszidő			57		cs
e A	Beállítva Átváltás Veszély			35.2		MJ
e Ki van kapcsolva.	Kiállító kapcsoló Veszély			22.6		MJ
Én... A sz.	SC-adatok	t P ≤10μs, V. Általános energia =15V, t Vj = 125 O C,V CC = 800V, V. A CEM ≤ 1200V		1600		A

Diódák A tulajdonságok t C =25 O C kivéve, ha egyébként Megjegyzés

Szimbólum	Paraméter	A vizsgálati feltételek	Min.	- Tipikus.	- Max, kérlek!	egység
V. F	Előrehajtó diódák Feszültség	Én... F =400A,V Általános energia =0V,T Vj =2 5O C		1.85	2.30	V.
V. F	Előrehajtó diódák Feszültség	Én... F =400A,V Általános energia =0V,T Vj = 125 O C		1.90		V.
Q r	helyreállított töltés	V. r = 600V,I F =400A, -di/dt=6540A/μs, L s =30nH, V Általános energia = 15 V, t Vj =25 O C		38.9		μC
Én... RM	A csúcs fordított visszanyerési áram			401		A
e A felvétel	Visszafordított helyreállítás Energia			13.8		MJ
Q r	helyreállított töltés	V. r = 600V,I F =400A, -di/dt=6300A/μs, L s =30nH, V Általános energia = 15 V, t Vj = 125 O C		68.0		μC
Én... RM	A csúcs fordított visszanyerési áram			444		A
e A felvétel	Visszafordított helyreállítás Energia			26.2		MJ

Modul A tulajdonságok t C =25 O C kivéve, ha egyébként Megjegyzés

Szimbólum	Paraméter	Min.	- Tipikus.	- Max, kérlek!	egység
l CE	Sétáló induktancia			30	nH
r CC+EE	Modul vezetési ellenállás, Terminál a chipphez		0.35		mΩ
r thJC	Csomópont -Ahhoz -ESET (perIGBT ) Keresztmetszet és ház (per Di ód)			0.051 0.114	K/W
r thCH	Case-to-Heatsink (per IGBT) A hőszink (pe) r Diódás) A hőfolyadékok közötti átállás (M-re) (a szájon belül)		0.019 0.042 0.010		K/W
m	Terminál csatlakozási nyomaték, Csavar M5 Szerelési nyomaték, Függöny M6	2.5 3.0		5.0 5.0	N.m.
G	Súly A Modul		300		G