GD200MLY120C2S, 3-szint, IGBT Modul, STARPOWER

Bevezetés

Rövid bevezetés

IGBT modul , 3-szint ,sTARPOWER által gyártva. 1200V 200A.

Jellemzők

Alacsony VCE(sat) árok IGBT technológia
VCE (sat) pozitív hőmérsékleti együtthatóval
Alacsony váltási veszteség
Maximális csomóponti hőmérséklet 175oC
Alacsony induktancia
Gyors és puha fordított helyreállítási anti-párhuzamos FWD
DBC technológiát használó, szigetelt réz alaplemez

Tipikus alkalmazások

Inverter motor meghajtáshoz
Folyamatlan Ultraszintű Áramellenállás
Napsugárzás energia

Abszolút Legfeljebb Szabályozás T C =25 o C kivéve, ha egyébként megjegyzés

T1-T4 IGBT

Szimbólum	Leírás	Érték	Egység
V. A CES	A kollektor-kibocsátó feszültség	1200	V.
V. GES	Kapu-kibocsátó feszültség	±20	V.
Én... C	Gyűjtőáram @ T C =25 o C @ T C = 100o C	337 200	A
Én... A CM	Pulzáló gyűjtőáram t p =1 ms	400	A
P M	Maximális teljesítmény disszipáció @ T j =175 o C	1162	W

D1-D4 Diod

Szimbólum	Leírás	Érték	Egység
V. RRM	Ismétlődő csúcs visszafelé feszültség	1200	V.
Én... F	Diódák folyamatos előrehajtás bérleti díj	200	A
Én... FM	Dióda maximális előre irányuló áram t p =1 ms	400	A

D5, D6 Diod

Szimbólum	Leírás	Érték	Egység
V. RRM	Ismétlődő csúcs visszafelé feszültség	1200	V.
Én... F	Diódák folyamatos előrehajtás bérleti díj	200	A
Én... FM	Dióda maximális előre irányuló áram t p =1 ms	400	A

Modul

Szimbólum	Leírás	Érték	Egység
T jmax	A csatlakozás maximális hőmérséklete	175	o C
T jopp	A csatlakozó üzemfoka hőmérséklete	-40 és +150 között	o C
T STG	Tárolási hőmérséklet Hatótávolság	-40 és +125 között	o C
V. ISO-k	A szigetelési feszültség RMS,f=50Hz,t=1 min.	2500	V.

T1-T4 IGBT A tulajdonságok T C =25 o C kivéve, ha egyébként megjegyzés

Szimbólum	Paraméter	A vizsgálati feltételek	Min.	- Tipikus.	- Max, kérlek!	Egység
V. CE (szombat)	A gyűjtő a kibocsátóhoz Telítettség	Én... C =200A,V Általános energia =15V, T j =25 o C		1.70	2.15	V.
		Én... C =200A,V Általános energia =15V, T j = 125 o C		1.95
		Én... C =200A,V Általános energia =15V, T j =150 o C		2.00
V. Általános energia (a )	A kapcsoló-kibocsátó küszöbértéke Feszültség	Én... C =5.0 mA ,V. CE = V. Általános energia , T j =25 o C	5.2	6.0	6.8	V.
Én... A CES	Gyűjtő Vágás -Ki van kapcsolva. A jelenlegi	V. CE = V. A CES ,V. Általános energia =0V, T j =25 o C			1.0	mA
Én... GES	A kapuk kibocsátójának szivárgása A jelenlegi	V. Általános energia = V. GES ,V. CE =0V, T j =25 o C			400	nA
R Gint	Belső kapu ellenállás a			4.0		ó
C a)	Bevezető kapacitás	V. CE = 25V, f=1Mhz, V. Általános energia =0V		20.7		nF
C res	Visszafordítás A kapacitás	V. CE = 25V, f=1Mhz, V. Általános energia =0V		0.58		nF
Q G	Kapu díj	V. Általános energia =- 15…+15V		1.55		μC
t m (a )	Beállítási késleltetési idő	V. CC = 600V,I C =200A, R G = 1. 1Ω,V Általános energia =±15V, T j =25 o C		150		cs
t r	Felemelkedési idő			32		cs
t m (ki van kapcsolva. )	Kiállás Késésítési idő			330		cs
t f	Őszidő			93		cs
E a	Beállítva Átváltás Veszély			11.2		mJ
E ki van kapcsolva.	Kiállító kapcsoló Veszély			11.3		mJ
t m (a )	Beállítási késleltetési idő	V. CC = 600V,I C =200A, R G = 1. 1Ω,V Általános energia =±15V, T j = 125o C		161		cs
t r	Felemelkedési idő			37		cs
t m (ki van kapcsolva. )	Kiállás Késésítési idő			412		cs
t f	Őszidő			165		cs
E a	Beállítva Átváltás Veszély			19.8		mJ
E ki van kapcsolva.	Kiállító kapcsoló Veszély			17.0		mJ
t m (a )	Beállítási késleltetési idő	V. CC = 600V,I C =200A, R G = 1. 1Ω,V Általános energia =±15V, T j = 150o C		161		cs
t r	Felemelkedési idő			43		cs
t m (ki van kapcsolva. )	Kiállás Késésítési idő			433		cs
t f	Őszidő			185		cs
E a	Beállítva Átváltás Veszély			21.9		mJ
E ki van kapcsolva.	Kiállító kapcsoló Veszély			19.1		mJ
Én... A sz.	SC-adatok	t P ≤ 10 μs,V Általános energia =15V, T j =150 o C,V CC = 900V, V. A CEM ≤ 1200V		800		A

D1-D4 Diódák A tulajdonságok T C =25 o C kivéve, ha egyébként megjegyzés

Szimbólum	Paraméter	A vizsgálati feltételek	Min.	- Tipikus.	- Max, kérlek!	Egyedülálló egységek
V. F	Előrehajtó diódák Feszültség	Én... F =200A,V Általános energia =0V,T j =25 o C		1.65	2.10	V.
		Én... F =200A,V Általános energia =0V,T j = 125o C		1.65
		Én... F =200A,V Általános energia =0V,T j = 150o C		1.65
Q r	Helyreállított töltés	V. R = 600V,I F =200A, -di/dt=5400A/μs,V Általános energia =- 15V T j =25 o C		17.6		μC
Én... RM	A csúcs fordított Visszanyerési áram			228		A
E a felvétel	Visszafordított helyreállítás Energia			7.7		mJ
Q r	Helyreállított töltés	V. R = 600V,I F =200A, -di/dt=5400A/μs,V Általános energia =- 15V T j = 125 o C		31.8		μC
Én... RM	A csúcs fordított Visszanyerési áram			238		A
E a felvétel	Visszafordított helyreállítás Energia			13.8		mJ
Q r	Helyreállított töltés	V. R = 600V,I F =200A, -di/dt=5400A/μs,V Általános energia =- 15V T j =150 o C		36.6		μC
Én... RM	A csúcs fordított Visszanyerési áram			247		A
E a felvétel	Visszafordított helyreállítás Energia			15.2		mJ

D5,D6 Diódák A tulajdonságok T C =25 o C kivéve, ha egyébként megjegyzés

Szimbólum	Paraméter	A vizsgálati feltételek	Min.	- Tipikus.	- Max, kérlek!	Egyedülálló egységek
V. F	Előrehajtó diódák Feszültség	Én... F =200A,V Általános energia =0V,T j =25 o C		1.65	2.10	V.
		Én... F =200A,V Általános energia =0V,T j = 125o C		1.65
		Én... F =200A,V Általános energia =0V,T j = 150o C		1.65
Q r	Helyreállított töltés	V. R = 600V,I F =200A, -di/dt=5400A/μs,V Általános energia =- 15V T j =25 o C		17.6		μC
Én... RM	A csúcs fordított Visszanyerési áram			228		A
E a felvétel	Visszafordított helyreállítás Energia			7.7		mJ
Q r	Helyreállított töltés	V. R = 600V,I F =200A, -di/dt=5400A/μs,V Általános energia =- 15V T j = 125 o C		31.8		μC
Én... RM	A csúcs fordított Visszanyerési áram			238		A
E a felvétel	Visszafordított helyreállítás Energia			13.8		mJ
Q r	Helyreállított töltés	V. R = 600V,I F =200A, -di/dt=5400A/μs,V Általános energia =- 15V T j =150 o C		36.6		μC
Én... RM	A csúcs fordított Visszanyerési áram			247		A
E a felvétel	Visszafordított helyreállítás Energia			15.2		mJ

NTC A tulajdonságok T C =25 o C kivéve, ha egyébként megjegyzés

Szimbólum	Paraméter	A vizsgálati feltételek	Min.	- Tipikus.	- Max, kérlek!	Egység
R 25	Névleges ellenállás			5.0		kΩ
δR/R	Eltérés a R 100	T C = 100 o C,R 100=493.3Ω	-5		5	%
P 25	Teljesítmény Disszipáció				20.0	mW
B 25/50	B-érték	R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		K
B 25/80	B-érték	R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		K
B 25/100	B-érték	R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		K

Modul A tulajdonságok T C =25 o C kivéve, ha egyébként megjegyzés

Szimbólum	Paraméter	Min.	- Tipikus.	- Max, kérlek!	Egység
R thJC	Csatlakozó-tól a szivattyúig (per T 1-T4 IGBT) Csatlakozó-tól a szivattyúig (per D1-D4 Di ód) Csatlakozó-tól a szivattyúig (per D5,D6 Dio da)			0.129 0.237 0.232	K/W
R thCH	Case-to-Heatsink (per T1-T4 IGBT) Szivattyú-tól a hőlevélhez (per D1-D4 DIODE) Téglalap-Áttetsző (per D5,D6 DIODE) Case-to-Heatsink (per Modul)		0.073 0.134 0.131 0.010		K/W
M	Terminál csatlakozási nyomaték, Függöny M6 Szerelési nyomaték, Függöny M6	2.5 3.0		5.0 5.0
G	Súly a Modul		340		g