GD200HFX120C2S, IGBT Modul, STARPOWER

Bevezetés

Rövid bevezetés

IGBT modul ,sTARPOWER által gyártva. 1200V 200A.

Jellemzők

Alacsony VCE(sat) árok IGBT technológia
10 μs rövidzárlat-képesség
VCE (sat) pozitív hőmérsékleti együtthatóval
Maximális csatoponti hőmérséklet 175 ℃
Alacsony induktancia
Gyors és puha fordított helyreállítási anti-párhuzamos FWD
DBC technológiát használó, szigetelt réz alaplemez

Tipikus alkalmazások

Inverter motor meghajtáshoz
AC és DC szervó meghajtó erősítő
Folyamatlan Ultraszintű Áramellenállás

Abszolút Legfeljebb Szabályozás T C =25 o C kivéve, ha egyébként megjegyzés

IGBT

Szimbólum	Leírás	Értékek	Egység
V. A CES	A kollektor-kibocsátó feszültség	1200	V.
V. GES	Kapu-kibocsátó feszültség	±20	V.
Én... C	Gyűjtőáram @ T C =25 o C @ T C =90 o C	297 200	A
Én... A CM	Pulzáló gyűjtőáram t p =1 ms	400	A
P M	Maximális teljesítmény disszipáció @ T j =175 o C	937	W

Diódák

Szimbólum	Leírás	Értékek	Egység
V. RRM	Ismétlődő csúcs visszafelé feszültség	1200	V.
Én... F	Diódák folyamatos előrehajtás bérleti díj	200	A
Én... FM	Dióda maximális előre irányuló áram t p =1 ms	400	A

Modul

Szimbólum	Leírás	Értékek	Egység
T jmax	A csatlakozás maximális hőmérséklete	175	o C
T jopp	A csatlakozó üzemfoka hőmérséklete	-40 és +150 között	o C
T STG	Tárolási hőmérséklet Hatótávolság	-40 és +125 között	o C
V. ISO-k	A szigetelési feszültség RMS,f=50Hz,t=1 min.	2500	V.

IGBT A tulajdonságok T C =25 o C kivéve, ha egyébként megjegyzés

Szimbólum	Paraméter	A vizsgálati feltételek	Min.	- Tipikus.	- Max, kérlek!	Egység
V. CE (szombat)	A gyűjtő a kibocsátóhoz Telítettség	Én... C =200A,V Általános energia =15V, T j =25 o C		1.75	2.20	V.
		Én... C =200A,V Általános energia =15V, T j = 125 o C		2.00
		Én... C =200A,V Általános energia =15V, T j =150 o C		2.05
V. Általános energia (a )	A kapcsoló-kibocsátó küszöbértéke Feszültség	Én... C =5.0 mA ,V. CE = V. Általános energia , T j =25 o C	5.2	6.0	6.8	V.
Én... A CES	Gyűjtő Vágás -Ki van kapcsolva. A jelenlegi	V. CE = V. A CES ,V. Általános energia =0V, T j =25 o C			5.0	mA
Én... GES	A kapuk kibocsátójának szivárgása A jelenlegi	V. Általános energia = V. GES ,V. CE =0V, T j =25 o C			400	nA
R Gint	Belső kapu ellenállás a			1.0		ó
C a)	Bevezető kapacitás	V. CE = 25V, f=1Mhz, V. Általános energia =0V		18.6		nF
C res	Visszafordítás A kapacitás	V. CE = 25V, f=1Mhz, V. Általános energia =0V		0.52		nF
Q G	Kapu díj	V. Általános energia =- 15…+15V		1.40		μC
t m (a )	Beállítási késleltetési idő	V. CC = 600V,I C =200A, R G = 1. 1Ω,V Általános energia =±15V, T j =25 o C		120		cs
t r	Felemelkedési idő			26		cs
t m (ki van kapcsolva. )	Kiállás Késésítési idő			313		cs
t f	Őszidő			88		cs
E a	Beállítva Átváltás Veszély			8.96		mJ
E ki van kapcsolva.	Kiállító kapcsoló Veszély			10.7		mJ
t m (a )	Beállítási késleltetési idő	V. CC = 600V,I C =200A, R G = 1. 1Ω,V Általános energia =±15V, T j = 125o C		129		cs
t r	Felemelkedési idő			30		cs
t m (ki van kapcsolva. )	Kiállás Késésítési idő			391		cs
t f	Őszidő			157		cs
E a	Beállítva Átváltás Veszély			15.8		mJ
E ki van kapcsolva.	Kiállító kapcsoló Veszély			16.1		mJ
t m (a )	Beállítási késleltetési idő	V. CC = 600V,I C =200A, R G = 1. 1Ω,V Általános energia =±15V, T j = 150o C		129		cs
t r	Felemelkedési idő			34		cs
t m (ki van kapcsolva. )	Kiállás Késésítési idő			411		cs
t f	Őszidő			175		cs
E a	Beállítva Átváltás Veszély			17.5		mJ
E ki van kapcsolva.	Kiállító kapcsoló Veszély			18.1		mJ
Én... A sz.	SC-adatok	t P ≤ 10 μs,V Általános energia =15V, T j =150 o C,V CC = 900V, V. A CEM ≤ 1200V		720		A

Diódák A tulajdonságok T C =25 o C kivéve, ha egyébként megjegyzés

Szimbólum	Paraméter	A vizsgálati feltételek	Min.	- Tipikus.	- Max, kérlek!	Egyedülálló egységek
V. F	Előrehajtó diódák Feszültség	Én... F =200A,V Általános energia =0V,T j =25 o C		1.75	2.15	V.
		Én... F =200A,V Általános energia =0V,T j = 125o C		1.65
		Én... F =200A,V Általános energia =0V,T j = 150o C		1.65
Q r	Helyreállított töltés	V. R = 600V,I F =200A, -di/dt=5400A/μs,V Általános energia =- 15V T j =25 o C		18.5		μC
Én... RM	A csúcs fordított Visszanyerési áram			239		A
E a felvétel	Visszafordított helyreállítás Energia			8.08		mJ
Q r	Helyreállított töltés	V. R = 600V,I F =200A, -di/dt=5400A/μs,V Általános energia =- 15V T j = 125 o C		33.1		μC
Én... RM	A csúcs fordított Visszanyerési áram			250		A
E a felvétel	Visszafordított helyreállítás Energia			14.5		mJ
Q r	Helyreállított töltés	V. R = 600V,I F =200A, -di/dt=5400A/μs,V Általános energia =- 15V T j =150 o C		38.4		μC
Én... RM	A csúcs fordított Visszanyerési áram			259		A
E a felvétel	Visszafordított helyreállítás Energia			15.9		mJ

Modul A tulajdonságok T C =25 o C kivéve, ha egyébként megjegyzés

Szimbólum	Paraméter	Min.	- Tipikus.	- Max, kérlek!	Egység
L CE	Sétáló induktancia		15		nH
R CC+EE	Modul ólomállás nce, Terminal a Chiphez		0.25		mΩ
R thJC	A "Case-to-Case" (IGB-onként) T) Keresztmetszet és ház (per Di ód)			0.160 0.206	K/W
R thCH	Case-to-Heatsink (per IGBT) A hőszink (p) er dióda) Case-to-Heatsink (per Modul)		0.036 0.046 0.010		K/W
M	Terminál csatlakozási nyomaték, Függöny M6 Szerelési nyomaték, Függöny M6	2.5 3.0		5.0 5.0	N.m.
G	Súly a Modul		300		g