GD200HFQ120C2SD, IGBT Modul, STARPOWER

Bevezetés

Rövid bevezetés

IGBT modul ,A következők által gyártott STARPOWER . 1200V 200A.

Jellemzők

Alacsony VCE(sat) árok IGBT technológia
10 μs rövidzárlat-képesség
VCE (sat) pozitív hőmérsékleti együtthatóval
Maximális csatoponti hőmérséklet 175 ℃
Alacsony induktancia
Gyors és puha fordított helyreállítási anti-párhuzamos FWD
DBC technológiát használó, szigetelt réz alaplemez

Tipikus alkalmazások

Kapcsoló üzemmód
Induktív fűtés
Elektronikus hegesztő

Abszolút Legfeljebb Szabályozás t F =25 O C kivéve, ha egyébként Megjegyzés

IGBT

Szimbólum	Leírás	Értékek	egység
V. A CES	A kollektor-kibocsátó feszültség	1200	V.
V. GES	Kapu-kibocsátó feszültség	±20	V.
Én... C	Gyűjtőáram @ T C =25 O C @ T C =100 O C	324 200	A
Én... A CM	Pulzáló gyűjtőáram t P =1 ms	400	A
P M	Maximális teljesítmény disszipáció @ T Vj =175 O C	1181	W

Diódák

Szimbólum	Leírás	Értékek	egység
V. RRM	Ismétlődő csúcs fordított volt Kor	1200	V.
Én... F	Diódák folyamatos előrecsatlakozó Cu áram	200	A
Én... FM	Dióda maximális előre irányuló áram t P =1 ms	400	A

Modul

Szimbólum	Leírás	érték	egység
t vjmax	A csatlakozás maximális hőmérséklete	175	O C
t vjop	A csatlakozó üzemfoka hőmérséklete	-40 és +150 között	O C
t STG	Tárolóhőmérséklet-tartomány	-40 és +125 között	O C
V. ISO-k	Izolációs feszültség RMS,f=50Hz,t =1 perc	2500	V.

IGBT A tulajdonságok t C =25 O C kivéve, ha egyébként Megjegyzés

Szimbólum	Paraméter	A vizsgálati feltételek	Min.	- Tipikus.	- Max, kérlek!	egység
V. CE (szombat)	A gyűjtő a kibocsátóhoz Telítettség	Én... C =200A,V Általános energia =15V, t Vj =25 O C		1.85	2.30	V.
		Én... C =200A,V Általános energia =15V, t Vj = 125 O C		2.25
		Én... C =200A,V Általános energia =15V, t Vj =150 O C		2.35
V. Általános energia (A )	A kapcsoló-kibocsátó küszöbértéke Feszültség	Én... C =8.00 mA ,V. CE = V. Általános energia , t Vj =25 O C	5.6	6.2	6.8	V.
Én... A CES	Gyűjtő Vágás -Ki van kapcsolva. A jelenlegi	V. CE = V. A CES ,V. Általános energia =0V, t Vj =25 O C			1.0	mA
Én... GES	A kapuk kibocsátójának szivárgása A jelenlegi	V. Általános energia = V. GES ,V. CE =0V, t Vj =25 O C			400	NA
r Gint	Belső kapu ellenállás A			3.8		Ó
C a)	Bevezető kapacitás	V. CE = 25V, f=1Mhz, V. Általános energia =0V		21.6		NF
C Res	Visszafordítás A kapacitás	V. CE = 25V, f=1Mhz, V. Általános energia =0V		0.59		NF
Q G	Kapu díj	V. Általános energia =-15...+15V		1.68		μC
t M (A )	Beállítási késleltetési idő	V. CC = 600V,I C =200A, r G =4.7Ω, l s =45 nH , V. Általános energia =±15V,T Vj =25 O C		100		cs
t r	Felemelkedési idő			72		cs
t d(ki)	Kiállás Késésítési idő			303		cs
t F	Őszidő			71		cs
e A	Beállítva Átváltás Veszély			26.0		MJ
e Ki van kapcsolva.	Kiállító kapcsoló Veszély			6.11		MJ
t M (A )	Beállítási késleltetési idő	V. CC = 600V,I C =200A, r G =4.7Ω, l s =45 nH , V. Általános energia =±15V,T Vj = 125 O C		99		cs
t r	Felemelkedési idő			76		cs
t d(ki)	Kiállás Késésítési idő			325		cs
t F	Őszidő			130		cs
e A	Beállítva Átváltás Veszély			33.5		MJ
e Ki van kapcsolva.	Kiállító kapcsoló Veszély			8.58		MJ
t M (A )	Beállítási késleltetési idő	V. CC = 600V,I C =200A, r G =4.7Ω, l s =45 nH , V. Általános energia =±15V,T Vj =150 O C		98		cs
t r	Felemelkedési idő			80		cs
t d(ki)	Kiállás Késésítési idő			345		cs
t F	Őszidő			121		cs
e A	Beállítva Átváltás Veszély			36.2		MJ
e Ki van kapcsolva.	Kiállító kapcsoló Veszély			9.05		MJ
Én... A sz.	SC-adatok	t P ≤10μs, V. Általános energia =15V, t Vj =150 O C,V CC = 800V, V. A CEM ≤ 1200V		750		A

Diódák A tulajdonságok t C =25 O C kivéve, ha egyébként Megjegyzés

Szimbólum	Paraméter	A vizsgálati feltételek	Min.	- Tipikus.	- Max, kérlek!	Egyedülálló egységek
V. F	Előrehajtó diódák Feszültség	Én... F =200A,V Általános energia =0V,T Vj =2 5O C		1.85	2.30	V.
		Én... F =200A,V Általános energia =0V,T Vj = 125 O C		1.90
		Én... F =200A,V Általános energia =0V,T Vj =150 O C		1.95
Q r	Visszanyert Töltés	V. r = 600V,I F =200A, -di/dt=1890A/μs,V Általános energia = 15 V, l s =45 nH ,t Vj =25 O C		19.4		μC
Én... RM	A csúcs fordított visszanyerési áram			96		A
e A felvétel	Visszafordított helyreállítás Energia			5.66		MJ
Q r	Visszanyert Töltés	V. r = 600V,I F =200A, -di/dt=1680A/μs,V Általános energia = 15 V, l s =45 nH ,t Vj = 125 O C		29.5		μC
Én... RM	A csúcs fordított visszanyerési áram			106		A
e A felvétel	Visszafordított helyreállítás Energia			8.56		MJ
Q r	Visszanyert Töltés	V. r = 600V,I F =200A, -di/dt=1600A/μs,V Általános energia = 15 V, l s =45 nH ,t Vj =150 O C		32.2		μC
Én... RM	A csúcs fordított visszanyerési áram			107		A
e A felvétel	Visszafordított helyreállítás Energia			9.24		MJ

Modul A tulajdonságok t C =25 O C kivéve, ha egyébként Megjegyzés

Szimbólum	Paraméter	Min.	- Tipikus.	- Max, kérlek!	egység
l CE	Sétáló induktancia			20	nH
r CC+EE	Modul vezeték ellenállás, terminál és chip között		0.35		mΩ
r thJC	Csomópont -Ahhoz -ESET (perIGBT ) A D-számra vonatkozó összeköttetés jód)			0.127 0.163	K/W
r thCH	Case-to-Heatsink (per IGBT) A hőszink (pe) r Diódás) A hőfolyadékok közötti átállás (M-re) (a szájon belül)		0.036 0.046 0.010		K/W
m	Terminál csatlakozási nyomaték, Függöny M6 Szerelési nyomaték, Függöny M6	2.5 3.0		5.0 5.0	N.m.
G	Súly A Modul		300		G