GD200HFF120C2S, IGBT Modul, STARPOWER

Bevezetés

Rövid bevezetés

IGBT modul ,sTARPOWER által gyártva. 1200V 200A.

Jellemzők

Alacsony VCE(sat) árok IGBT technológia
VCE (sat) pozitív hőmérsékleti együtthatóval
Alacsony váltási veszteség
Maximális csomóponti hőmérséklet 175oC
Alacsony induktancia
Gyors és puha fordított helyreállítási anti-párhuzamos FWD
DBC technológiát használó, szigetelt réz alaplemez

Tipikus alkalmazások

Kapcsoló üzemmód
Induktív fűtés
Elektronikus hegesztő

Abszolút Legfeljebb Szabályozás T C =25 o C kivéve, ha egyébként megjegyzés

IGBT

Szimbólum	Leírás	Érték	Egység
V. A CES	A kollektor-kibocsátó feszültség	1200	V.
V. GES	Kapu-kibocsátó feszültség	±20	V.
Én... C	Gyűjtőáram @ T C =25 o C @ T C = 85 o C	294 200	A
Én... A CM	Pulzáló gyűjtőáram t p =1 ms	400	A
P M	Maximális teljesítmény disszipáció @ T =175 o C	1056	W

Diódák

Szimbólum	Leírás	Érték	Egység
V. RRM	Ismétlődő csúcs visszafelé feszültség	1200	V.
Én... F	Diódák folyamatos előrehajtás bérleti díj	200	A
Én... FM	Dióda maximális előre irányuló áram t p =1 ms	400	A

Modul

Szimbólum	Leírás	Érték	Egység
T jmax	A csatlakozás maximális hőmérséklete	175	o C
T jopp	A csatlakozó üzemfoka hőmérséklete	-40 és +150 között	o C
T STG	Tárolási hőmérséklet Hatótávolság	-40 és +125 között	o C
V. ISO-k	A szigetelési feszültség RMS,f=50Hz,t=1 min.	4000	V.

IGBT A tulajdonságok T C =25 o C kivéve, ha egyébként megjegyzés

Szimbólum	Paraméter	A vizsgálati feltételek	Min.	- Tipikus.	- Max, kérlek!	Egység
V. CE (szombat)	A gyűjtő a kibocsátóhoz Telítettség	Én... C =200A,V Általános energia =15V, T j =25 o C		1.90	2.35	V.
		Én... C =200A,V Általános energia =15V, T j = 125o C		2.40
		Én... C =200A,V Általános energia =15V, T j =150 o C		2.55
V. Általános energia (a )	A kapcsoló-kibocsátó küszöbértéke Feszültség	Én... C =5.0 mA ,V. CE = V. Általános energia , T j =25 o C	5.2	6.0	6.8	V.
Én... A CES	Gyűjtő Vágás -Ki van kapcsolva. A jelenlegi	V. CE = V. A CES ,V. Általános energia =0V, T j =25 o C			1.0	mA
Én... GES	A kapuk kibocsátójának szivárgása A jelenlegi	V. Általános energia = V. GES ,V. CE =0V, T j =25 o C			100	nA
R Gint	Belső kapu ellenállás a			3.75		ó
C a)	Bevezető kapacitás	V. CE = 25V, f=1Mhz, V. Általános energia =0V		20.7		nF
C res	Visszafordítás A kapacitás	V. CE = 25V, f=1Mhz, V. Általános energia =0V		0.58		nF
Q G	Kapu díj	V. Általános energia =- 15…+15V		1.55		μC
t m (a )	Beállítási késleltetési idő	V. CC = 600V,I C =200A, R G =0.75Ω,V Általános energia =±15V, T j =25 o C		374		cs
t r	Felemelkedési idő			50		cs
t m (ki van kapcsolva. )	Kiállás Késésítési idő			326		cs
t f	Őszidő			204		cs
E a	Beállítva Átváltás Veszély			13.8		mJ
E ki van kapcsolva.	Kiállító kapcsoló Veszély			10.4		mJ
t m (a )	Beállítási késleltetési idő	V. CC = 600V,I C =200A, R G =0.75Ω,V Általános energia =±15V, T j = 125o C		419		cs
t r	Felemelkedési idő			63		cs
t m (ki van kapcsolva. )	Kiállás Késésítési idő			383		cs
t f	Őszidő			218		cs
E a	Beállítva Átváltás Veszély			20.8		mJ
E ki van kapcsolva.	Kiállító kapcsoló Veszély			11.9		mJ
t m (a )	Beállítási késleltetési idő	V. CC = 600V,I C =200A, R G =0.75Ω,V Általános energia =±15V, T j = 150o C		419		cs
t r	Felemelkedési idő			65		cs
t m (ki van kapcsolva. )	Kiállás Késésítési idő			388		cs
t f	Őszidő			222		cs
E a	Beállítva Átváltás Veszély			22.9		mJ
E ki van kapcsolva.	Kiállító kapcsoló Veszély			11.9		mJ

Diódák A tulajdonságok T C =25 o C kivéve, ha egyébként megjegyzés

Szimbólum	Paraméter	A vizsgálati feltételek	Min.	- Tipikus.	- Max, kérlek!	Egység
V. F	Előrehajtó diódák Feszültség	Én... F =200A,V Általános energia =0V,T j =25 o C		1.90	2.35	V.
		Én... F =200A,V Általános energia =0V,T j = 125o C		1.90
		Én... F =200A,V Általános energia =0V,T j = 150o C		1.90
Q r	Helyreállított töltés	V. R = 600V,I F =200A, -di/dt=3200A/μs,V Általános energia =- 15V T j =25 o C		10.2		μC
Én... RM	A csúcs fordított Visszanyerési áram			90		A
E a felvétel	Visszafordított helyreállítás Energia			3.40		mJ
Q r	Helyreállított töltés	V. R = 600V,I F =200A, -di/dt=3200A/μs,V Általános energia =- 15V T j = 125o C		26.2		μC
Én... RM	A csúcs fordított Visszanyerési áram			132		A
E a felvétel	Visszafordított helyreállítás Energia			9.75		mJ
Q r	Helyreállított töltés	V. R = 600V,I F =200A, -di/dt=3200A/μs,V Általános energia =- 15V T j = 150o C		30.4		μC
Én... RM	A csúcs fordított Visszanyerési áram			142		A
E a felvétel	Visszafordított helyreállítás Energia			11.3		mJ

Modul A tulajdonságok T C =25 o C kivéve, ha egyébként megjegyzés

Szimbólum	Paraméter	Min.	- Tipikus.	- Max, kérlek!	Egység
L CE	Sétáló induktancia		15		nH
R CC+EE	Modul vezetési ellenállás, Terminál a chipphez		0.25		mΩ
R thJC	A "Case-to-Case" (IGB-onként) T) A D-számra vonatkozó összeköttetés jód)			0.142 0.202	K/W
R thCH	Case-to-Heatsink (per IGBT) A hőszink (p) er dióda) A hőfolyadékok közötti átállás (M-re) (a szájon belül)		0.034 0.048 0.010		K/W
M	Terminál csatlakozási nyomaték, Függöny M6 Szerelési nyomaték, Függöny M6	2.5 3.0		5.0 5.0	N.m.
G	Súly a Modul		300		g