GD200FFY120C6SF, IGBT Modul, STARPOWER

Bevezetés

Rövid bevezetés

IGBT modul ,sTARPOWER által gyártva. 1200V 200A.

Jellemzők

Alacsony VCE(sat) árok IGBT technológia
VCE (sat) pozitív hőmérsékleti együtthatóval
Alacsony váltási veszteség
A csatlakozás maximális hőmérséklete 175°C
Alacsony induktancia
Gyors és puha fordított helyreállítási anti-párhuzamos FWD
DBC technológiát használó, szigetelt réz alaplemez

Tipikus alkalmazások

Kapcsoló üzemmód
Induktív fűtés
Elektronikus hegesztő

Abszolút Legfeljebb Szabályozás T C =25 o C kivéve, ha egyébként megjegyzés

IGBT

Szimbólum	Leírás	Érték	Egység
V. A CES	A kollektor-kibocsátó feszültség	1200	V.
V. GES	Kapu-kibocsátó feszültség	±20	V.
Én... C	Gyűjtőáram @ T C =25 o C @ T C = 85 o C	294 200	A
Én... A CM	Pulzáló gyűjtőáram t p =1 ms	400	A
P M	Maximális teljesítmény disszipáció @ T =175 o C	1056	W

Diódák

Szimbólum	Leírás	Érték	Egység
V. RRM	Ismétlődő csúcs visszafelé feszültség	1200	V.
Én... F	Diódák folyamatos előrehajtás bérleti díj	200	A
Én... FM	Dióda maximális előre irányuló áram t p =1 ms	400	A

Modul

Szimbólum	Leírás	Érték	Egység
T jmax	A csatlakozás maximális hőmérséklete	175	o C
T jopp	A csatlakozó üzemfoka hőmérséklete	-40 és +150 között	o C
T STG	Tárolási hőmérséklet Hatótávolság	-40 és +125 között	o C
V. ISO-k	A szigetelési feszültség RMS,f=50Hz,t=1 min.	4000	V.

IGBT A tulajdonságok T C =25 o C kivéve, ha egyébként megjegyzés

Szimbólum	Paraméter	A vizsgálati feltételek	Min.	- Tipikus.	- Max, kérlek!	Egység
V. CE (szombat)	A gyűjtő a kibocsátóhoz Telítettség	Én... C =200A,V Általános energia =15V, T j =25 o C		1.90	2.35	V.
		Én... C =200A,V Általános energia =15V, T j = 125o C		2.40
		Én... C =200A,V Általános energia =15V, T j =150 o C		2.55
V. Általános energia (a )	A kapcsoló-kibocsátó küszöbértéke Feszültség	Én... C =5.0 mA ,V. CE = V. Általános energia , T j =25 o C	5.2	6.0	6.8	V.
Én... A CES	Gyűjtő Vágás -Ki van kapcsolva. A jelenlegi	V. CE = V. A CES ,V. Általános energia =0V, T j =25 o C			1.0	mA
Én... GES	A kapuk kibocsátójának szivárgása A jelenlegi	V. Általános energia = V. GES ,V. CE =0V, T j =25 o C			100	nA
R Gint	Belső kapu ellenállás a			3.75		ó
C a)	Bevezető kapacitás	V. CE = 25V, f=1Mhz, V. Általános energia =0V		20.7		nF
C res	Visszafordítás A kapacitás	V. CE = 25V, f=1Mhz, V. Általános energia =0V		0.58		nF
Q G	Kapu díj	V. Általános energia =- 15…+15V		1.55		μC
t m (a )	Beállítási késleltetési idő	V. CC = 600V,I C =200A, R G =0.75Ω,V Általános energia =±15V, T j =25 o C		374		cs
t r	Felemelkedési idő			50		cs
t m (ki van kapcsolva. )	Kiállás Késésítési idő			326		cs
t f	Őszidő			204		cs
E a	Beállítva Átváltás Veszély			13.8		mJ
E ki van kapcsolva.	Kiállító kapcsoló Veszély			10.4		mJ
t m (a )	Beállítási késleltetési idő	V. CC = 600V,I C =200A, R G =0.75Ω,V Általános energia =±15V, T j = 125o C		419		cs
t r	Felemelkedési idő			63		cs
t m (ki van kapcsolva. )	Kiállás Késésítési idő			383		cs
t f	Őszidő			218		cs
E a	Beállítva Átváltás Veszély			20.8		mJ
E ki van kapcsolva.	Kiállító kapcsoló Veszély			11.9		mJ
t m (a )	Beállítási késleltetési idő	V. CC = 600V,I C =200A, R G =0.75Ω,V Általános energia =±15V, T j = 150o C		419		cs
t r	Felemelkedési idő			65		cs
t m (ki van kapcsolva. )	Kiállás Késésítési idő			388		cs
t f	Őszidő			222		cs
E a	Beállítva Átváltás Veszély			22.9		mJ
E ki van kapcsolva.	Kiállító kapcsoló Veszély			11.9		mJ

Diódák A tulajdonságok T C =25 o C kivéve, ha egyébként megjegyzés

Szimbólum	Paraméter	A vizsgálati feltételek	Min.	- Tipikus.	- Max, kérlek!	Egység
V. F	Előrehajtó diódák Feszültség	Én... F =200A,V Általános energia =0V,T j =25 o C		1.90	2.35	V.
		Én... F =200A,V Általános energia =0V,T j = 125o C		1.90
		Én... F =200A,V Általános energia =0V,T j = 150o C		1.90
Q r	Helyreállított töltés	V. R = 600V,I F =200A, -di/dt=3200A/μs,V Általános energia =- 15V T j =25 o C		10.2		μC
Én... RM	A csúcs fordított Visszanyerési áram			90		A
E a felvétel	Visszafordított helyreállítás Energia			3.40		mJ
Q r	Helyreállított töltés	V. R = 600V,I F =200A, -di/dt=3200A/μs,V Általános energia =- 15V T j = 125o C		26.2		μC
Én... RM	A csúcs fordított Visszanyerési áram			132		A
E a felvétel	Visszafordított helyreállítás Energia			9.75		mJ
Q r	Helyreállított töltés	V. R = 600V,I F =200A, -di/dt=3200A/μs,V Általános energia =- 15V T j = 150o C		30.4		μC
Én... RM	A csúcs fordított Visszanyerési áram			142		A
E a felvétel	Visszafordított helyreállítás Energia			11.3		mJ

Modul A tulajdonságok T C =25 o C kivéve, ha egyébként megjegyzés

Szimbólum	Paraméter	Min.	- Tipikus.	- Max, kérlek!	Egység
L CE	Sétáló induktancia		15		nH
R CC+EE	Modul vezetési ellenállás, Terminál a chipphez		0.25		mΩ
R thJC	A "Case-to-Case" (IGB-onként) T) A D-számra vonatkozó összeköttetés jód)			0.142 0.202	K/W
R thCH	Case-to-Heatsink (per IGBT) A hőszink (p) er dióda) A hőfolyadékok közötti átállás (M-re) (a szájon belül)		0.034 0.048 0.010		K/W
M	Terminál csatlakozási nyomaték, Függöny M6 Szerelési nyomaték, Függöny M6	2.5 3.0		5.0 5.0	N.m.
G	Súly a Modul		300		g