MTx1200 MFx1200, modules de diodes et de thyristors, refroidissement par air ^^

refroidissement par air

MTx1200 MFx1200, Modules de Thyristor/Diode, Refroidissement par air

Les appareils de type "électronique" ne doivent pas être équipés d'un système de freinage.

Brand:

TECHSEM

Spu:

MT1dénombrement

Appurtenance:

brochure du produit:télécharger

le début
le schéma
Schéma de circuit équivalent

le début

une brève introduction

Thyristor/Module de diode,MT1200,MF1200，1200a),refroidissement par air,produit par TECHSEM.

VRRM,VDRM	Type & Contour
600 V	MT1dépôt de la Commission	Les produits de base doivent être présentés dans les deux versions.
Des prises électriques	MT2 émission de gaz	Les produits de base doivent être présentés dans les deux versions.
Des électrodes électriques	MT1dépôt de la Commission	Les pièces de ce type doivent être en forme de feuille de papier.
Des prises électriques	MT2 émission de gaz	Les produits de base doivent être présentés dans les deux versions.
1400V	MT1dépôt de la Commission	Les pièces de ce type doivent être en forme de feuille de papier.
1600V	MT1dépôt de la Commission	Les pièces de ce type doivent être en forme de feuille de papier.
1800V	MT1dépôt de la Commission	Les pièces de ce type doivent être en forme de feuille de papier.
1800V	MT1203 - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -

MTx signifie n'importe queltype de MTC, MTA, MTK

MFx signifie tout typeLe MFC, MFA, RFC

caractéristiques

Base de montage isolée 3000V~
Technologie de contact sous pression avec
Capacité de cyclage de puissance accrue
Économie d'espace et de poids

les applications typiques

Moteurs à courant alternatif
Divers redresseurs
Appareil de commande de courant continu pour le PWM inverse

Le symbole	caractéristique	Conditions d'essai	Tj(°C)	valeur			unité
Le symbole	caractéristique	Conditions d'essai	Tj(°C)	minutes	type	- Max	unité
Les États membres	Courant moyen en état passant	180Je suis désolé.demi-onde sinusoïdale de 50 Hz Un seul côté refroidi, TC=60°C	125			1200	a)
RMS (en anglais seulement)	Courant de l'état actif RMS		125			1884	a)
Idrm Irrm	Courant de crête répétitif	à VDRM à VRRM	125			55	Je suis désolé.
ITSM	Courant de surtension en état passant	VR = 60%VRRM,,t = 10 ms demi sinus,	125			26	à
I2t	I2t pour coordination de fusion	VR = 60%VRRM,,t = 10 ms demi sinus,	125			3380	10³a)²s
VTO	Voltage de seuil		125			0.70	v
Rt	Résistance de pente en état passant		125			0.14	mΩ
VTM	Tension de pointe en état passant	Le débit de la commande est de 0,01 m3/s.	25			1.96	v
dv/dt	Taux critique d'augmentation de la tension de seuil	VDM=67%VDRM	125			1000	V/μs
di/dt	Taux critique d'augmentation du courant en état actif	Source de porte 1.5A tr ≤0.5μs Répétitif	125			200	A/μs
TIG	Courant de déclenchement de porte	VA=12V, IA=1A	25	30		200	Je suis désolé.
Vgt	Tension de déclenchement de porte			0.8		3.0	v
Je suis	Courant de maintien			10		200	Je suis désolé.
Il	Courant de verrouillage					1500	Je suis désolé.
VGD	Tension de porte non déclenchée	VDM=67%VDRM	125			0.20	v
Rth(j-c)	Résistance thermique jonction à boîtier	À 180Je suis désolé.Je vous en prie. Un côté refroidi par puce				0.048	°C/W
Rth(c-h)	Résistance thermique du boîtier au dissipateur	À 180Je suis désolé.Je vous en prie. Un côté refroidi par puce				0.020	°C/W
VISO	Tension d'isolement	50Hz, R.M.S, t=1min, Iiso:1mA(max)		3000			v
Fm	Le couple de connexion du terminal ((M12)			12.0		16.0	N m
Fm	Le couple de montage (M8)			10.0		12.0	N m
Tvj	température de jonction			-40		125	°C
TSTG	Température de stockage			-40		125	°C
T.T.	poids				3660		g
le schéma	412F3