Módulo IGBT,3600V 1700V
Características
●Conjunto de chips SPT+ para bajas pérdidas de conmutación
●Bajo VCEsat
●Bajo consumo de energía del controlador
●Placa base de AlSiC para alta capacidad de ciclo de potencia
●Sustrato de AlN para baja resistencia térmica
típicoAplicación
●Accionamientos de tracción
●Chopper de CC
●Inversores/convertidores de media tensión
Valores nominales máximos
Parámetro | El símbolo | condiciones | el tiempo | El máximo | Unidad |
Voltagem del colector-emittente | VCES | VGE =0V,Tvj ≥25°C |
| 1700 | V: |
Corriente de colector de CC | el | TC =80°C |
| 3600 | A |
Corriente máxima del colector | MIC | tp=1ms,Tc=80°C |
| 7200 | A |
Voltagem del emisor de la puerta | VGES |
| -20 | 20 | V: |
Disipación total de potencia | Ptot | TC =25°C, por interruptor (IGBT) |
| 17800 | ¿Qué es esto? |
Corriente directa DC | si |
|
| 3600 | A |
Corriente directa pico | El número de personas | TP=1 ms |
| 7200 | A |
Corriente de sobretensión | El IFSM | VR =0V,Tvj =125°C,tp=10ms, onda semi-senoidal |
| 18000 | A |
Cortocircuito SOA IGBT |
TPSC |
VCC =1200V,VCEMCHIP≤1700V VGE ≤15V,Tvj≤125°C |
|
10 |
μs |
Voltaje de aislamiento | El visol | 1min, f=50Hz |
| 4000 | V: |
Temperatura de unión | TVj |
|
| 175 | °C |
Temperatura de operación del unión | ¿Qué es eso? |
| -50 | 150 | °C |
Temperatura del caso | Tc |
| -50 | 125 | °C |
temperatura de almacenamiento | TSTG |
| -50 | 125 | °C |
Torques de montaje | ms |
| 4 | 6 |
nm |
El número de personas |
| 8 | 10 | ||
El valor de las emisiones |
| 2 | 3 |
Valores de las características de las IGBT
Parámetro | El símbolo | condiciones | el tiempo | Tipo de producto | El máximo | Unidad | |
Desgaste de colector (- emisor) tensión | V (BR) CES | VGE =0V,IC=10mA, Tvj=25°C | 1700 |
|
| V: | |
Tensión de saturación colector-emisor |
VCEsat | IC =3600A, VGE =15V | Tvj= 25°C |
| 2.5 |
| V: |
Tvj=125°C |
| 3.0 |
| V: | |||
Tvj=150°C |
| 3.1 |
| V: | |||
Corriente de corte del colector |
El CIEM | VCE =1700V, VGE =0V | Tvj= 25°C |
|
| 10 | ¿Qué quieres? |
Tvj=125°C |
|
| 100 | ¿Qué quieres? | |||
Tvj=150°C |
| 170 |
| ¿Qué quieres? | |||
Corriente de fuga de la puerta | El IGES | VCE =0V,VGE =20V, Tvj =125°C | -500 |
| 500 | No | |
Voltaje de umbral de puerta-emisor | VGE (h) | IC =240mA,VCE =VGE, Tvj =25°C | 5.3 |
| 7.3 | V: | |
Cargo por puerta | El número de | IC =2400A,VCE =900V, VGE =-15V … 15V |
| 21.0 |
| El valor de la concentración | |
Capacidad de entrada | Las |
VCE =25V,VGE =0V, f=1MHz,Tvj =25°C |
| 239 |
|
NF (número de trabajo) | |
Capacidad de salida | Coes |
| 20.9 |
| |||
Capacidad de transferencia inversa | El Cres |
| 9.24 |
| |||
Tiempo de retraso de encendido |
En el momento en que se inicia |
VCC =900V, IC =3600A, RG =2.2Ω , VGE =±15V, Lσ=280nH, | Tvj = 25 °C |
| 1200 |
|
El Consejo |
Tvj = 125 °C |
| 1500 |
| ||||
Tvj = 150 °C |
| 1600 |
| ||||
Tiempo de ascenso |
tr | Tvj = 25 °C |
| 1400 |
| ||
Tvj = 125 °C |
| 1600 |
| ||||
Tvj = 150 °C |
| 1700 |
| ||||
Tiempo de retraso de apagado |
El número de teléfono | Tvj = 25 °C |
| 3000 |
|
El Consejo | |
Tvj = 125 °C |
| 3500 |
| ||||
Tvj = 150 °C |
| 3700 |
| ||||
Tiempo de caída |
Tf | Tvj = 25 °C |
| 500 |
| ||
Tvj = 125 °C |
| 560 |
| ||||
Tvj = 150 °C |
| 620 |
| ||||
Energía de pérdida de conmutación de encendido |
El EON | Tvj = 25 °C |
| 2700 |
|
El | |
Tvj = 125 °C |
| 2900 |
| ||||
Tvj = 150 °C |
| 3200 |
| ||||
Pérdida de energía de conmutación de apagado |
El número de personas | Tvj = 25 °C |
| 3800 |
|
El | |
Tvj = 125 °C |
| 4100 |
| ||||
Tvj = 150 °C |
| 4400 |
| ||||
corriente de cortocircuito | Es decir | tpsc ≤ 10μs, VGE =15V, Tvj = 125°C,VCC = 1200V |
| 10000 |
| A | |
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