Módulo IGBT,3600V 1700V
características
●Conjunto de chips SPT+ para bajas pérdidas de conmutación
●Bajo VCEsat
●Bajo consumo de energía del controlador
●Placa base de AlSiC para alta capacidad de ciclo de potencia
●Sustrato de AlN para baja resistencia térmica
Aplicación típica
●Accionamientos de tracción
●Chopper de CC
●Inversores/convertidores de media tensión
Valores nominales máximos
|
Parámetro |
El símbolo |
condiciones |
el tiempo |
El máximo |
Unidad |
|
Voltagem del colector-emittente |
VCES |
VGE =0V,Tvj ≥25°C |
|
1700 |
V: |
|
Corriente de colector de CC |
el |
TC =80°C |
|
3600 |
A |
|
Corriente máxima del colector |
MIC |
tp=1ms,Tc=80°C |
|
7200 |
A |
|
Voltagem del emisor de la puerta |
VGES |
|
-20 |
20 |
V: |
|
Disipación total de potencia |
Ptot |
TC =25°C, por interruptor (IGBT) |
|
17800 |
¿Qué es esto? |
|
Corriente directa DC |
si |
|
|
3600 |
A |
|
Corriente directa pico |
El número de personas |
TP=1 ms |
|
7200 |
A |
|
Corriente de sobretensión |
El IFSM |
VR =0V,Tvj =125°C,tp=10ms, onda semi-senoidal |
|
18000 |
A |
|
Cortocircuito SOA IGBT |
TPSC |
VCC =1200V,VCEMCHIP≤1700V VGE ≤15V,Tvj≤125°C |
|
10 |
μs |
|
Voltaje de aislamiento |
El visol |
1min, f=50Hz |
|
4000 |
V: |
|
Temperatura de unión |
TVj |
|
|
175 |
°C |
|
Temperatura de operación del unión |
¿Qué es eso? |
|
-50 |
150 |
°C |
|
Temperatura del caso |
Tc |
|
-50 |
125 |
°C |
|
temperatura de almacenamiento |
TSTG |
|
-50 |
125 |
°C |
|
Torques de montaje |
ms |
|
4 |
6 |
nm |
|
El número de personas |
|
8 |
10 |
||
|
El valor de las emisiones |
|
2 |
3 |
Valores de las características de las IGBT
|
Parámetro |
El símbolo |
condiciones |
el tiempo |
Tipo de producto |
El máximo |
Unidad |
|
|
Desgaste de colector (- emisor) tensión |
V (BR) CES |
VGE =0V,IC=10mA, Tvj=25°C |
1700 |
|
|
V: |
|
|
Tensión de saturación colector-emisor |
VCEsat |
IC =3600A, VGE =15V |
Tvj= 25°C |
|
2.5 |
|
V: |
|
Tvj=125°C |
|
3.0 |
|
V: |
|||
|
Tvj=150°C |
|
3.1 |
|
V: |
|||
|
Corriente de corte del colector |
El CIEM |
VCE =1700V, VGE =0V |
Tvj= 25°C |
|
|
10 |
¿Qué quieres? |
|
Tvj=125°C |
|
|
100 |
¿Qué quieres? |
|||
|
Tvj=150°C |
|
170 |
|
¿Qué quieres? |
|||
|
Corriente de fuga de la puerta |
El IGES |
VCE =0V,VGE =20V, Tvj =125°C |
-500 |
|
500 |
No |
|
|
Voltaje de umbral de puerta-emisor |
VGE (h) |
IC =240mA,VCE =VGE, Tvj =25°C |
5.3 |
|
7.3 |
V: |
|
|
Cargo por puerta |
El número de |
IC =2400A,VCE =900V, VGE =-15V … 15V |
|
21.0 |
|
El valor de la concentración |
|
|
Capacidad de entrada |
Las |
VCE =25V,VGE =0V, f=1MHz,Tvj =25°C |
|
239 |
|
NF (número de trabajo) |
|
|
Capacidad de salida |
Coes |
|
20.9 |
|
|||
|
Capacidad de transferencia inversa |
El Cres |
|
9.24 |
|
|||
|
Tiempo de retraso de encendido |
En el momento en que se inicia |
VCC =900V, IC =3600A, RG =2.2Ω , VGE =±15V, Lσ=280nH, |
Tvj = 25 °C |
|
1200 |
|
El Consejo |
|
Tvj = 125 °C |
|
1500 |
|
||||
|
Tvj = 150 °C |
|
1600 |
|
||||
|
Tiempo de ascenso |
tr |
Tvj = 25 °C |
|
1400 |
|
||
|
Tvj = 125 °C |
|
1600 |
|
||||
|
Tvj = 150 °C |
|
1700 |
|
||||
|
Tiempo de retraso de apagado |
El número de teléfono |
Tvj = 25 °C |
|
3000 |
|
El Consejo |
|
|
Tvj = 125 °C |
|
3500 |
|
||||
|
Tvj = 150 °C |
|
3700 |
|
||||
|
Tiempo de caída |
Tf |
Tvj = 25 °C |
|
500 |
|
||
|
Tvj = 125 °C |
|
560 |
|
||||
|
Tvj = 150 °C |
|
620 |
|
||||
|
Energía de pérdida de conmutación de encendido |
El EON |
Tvj = 25 °C |
|
2700 |
|
El |
|
|
Tvj = 125 °C |
|
2900 |
|
||||
|
Tvj = 150 °C |
|
3200 |
|
||||
|
Pérdida de energía de conmutación de apagado |
El número de personas |
Tvj = 25 °C |
|
3800 |
|
El |
|
|
Tvj = 125 °C |
|
4100 |
|
||||
|
Tvj = 150 °C |
|
4400 |
|
||||
|
corriente de cortocircuito |
Es decir |
tpsc ≤ 10μs, VGE =15V, Tvj = 125°C,VCC = 1200V |
|
10000 |
|
A |
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