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Módulo IGBT 1700V

Módulo IGBT 1700V

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YMIF2400-17,módulo IGBT,módulo IGBT de alta corriente, interruptor único,CRRC

1700V 2400A

Brand:
El CRRC
Spu:
YMIF2400-17 / TIM2400ESM17-TSA000
  • Introducción
  • Esquema
Introducción

Breve introducción

Modulo IGBT,HIGBT de alta corriente módulo, módulos IGBT de un solo interruptor producidos por CRRC. 1700V 2400A.

Parámetros clave

vCES

1700 v

vCE (sat)

(Typ) 1.75 v

YoC

(- ¿ Qué?) 2400 A. El

YoC(RM)

(- ¿ Qué?) 4800 A. El

Aplicaciones típicas

  • Las unidades de tracción
  • Controladores de motor
  • Inteligente Cuadrícula
  • alto Fiabilidad El invertidor

Características

  • AlSiC Base
  • AIN Sustratos
  • alto Térmico Ciclismo capacidad
  • 10μs Es corto. CIRCUITO Resista.
  • Bajo vCE(sat) dispositivo
  • alto Corriente densidad

En absoluto Máximo Calificación

(Simbolo)

(Parámetro)

(Condiciones de ensayo)

(valor)

(Unidad)

VCES

Voltagem del colector-emittente

V GE = 0V,Tvj = 25°C. El valor de la energía de la corriente de escape es el valor de la corriente de escape.

1700

v

V GES

Voltagem del emisor de la puerta

± 20

v

El

Corriente colector-emitente

En el caso de T = 100 °C, Tvj = 150 °C

2400

A. El

I C ((PK)

Corriente máxima del colector

TP = 1 ms

4800

A. El

P máximo

Máx. disipación de potencia del transistor

Tvj = 150 °C, caso T = 25 °C

19.2

kw

El 2t

Diodo I2t

VR =0V, t P = 10ms, Tvj = 150 °C

1170

KA2s

El visol

Voltado de aislamiento por módulo

( Terminales comunes a la placa base),

RMS de CA, 1 min, 50 Hz

4000

v

Q PD

Descarga parcial por módulo

IEC1287. V 1 = 1800V, V2 = 1300V, 50Hz RMS

10

PC

Características eléctricas

Tcase = 25 °C T case = 25°C a menos que se indique lo contrario

(Simbolo)

(Parámetro)

(Condiciones de ensayo)

(Mín)

(Tipo)

(máx)

(Unidad)

I CES

Corriente de corte del colector

V GE = 0V, VCE = VCES

1

El número de

V GE = 0V, VCE = VCES , T case =125 °C

40

El número de

V GE = 0V, VCE = VCES , T case =150 °C

60

El número de

I GES

Corriente de fuga de la puerta

V GE = ±20V, VCE = 0V

1

MA

V GE (TH)

Voltagem de umbral de la puerta

I C = 80mA, V GE = VCE

5.0

6.0

7.0

v

VCE (sat) ((*1)

Saturación del colector-emittente

Voltaje

VGE =15V, IC = 2400A

1.75

v

VGE =15V, IC = 2400A,Tvj = 125 °C

1.95

v

VGE =15V, IC = 2400A,Tvj = 150 °C

2.05

v

I F

Corriente de diodo hacia adelante

CC

2400

A. El

I FRM

Corriente máxima directa del diodo

t P = 1ms

4800

A. El

VF(*1)

Voltado del diodo hacia adelante

IF = 2400A

1.65

v

IF = 2400A, Tvj = 125 °C

1.75

v

IF = 2400A, Tvj = 150 °C

1.75

v

Las

Capacidad de entrada

VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz

400

NF (número de trabajo)

El número de

Cargo por puerta

± 15 V

19

El valor de la concentración

El Cres

Capacidad de transferencia inversa

VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz

3

NF (número de trabajo)

L M

Inductancia del módulo

10

nH

R INT

Resistencia interna del transistor

110

El valor de la carga

I SC

Corriente de cortocircuito, ISC

Tvj = 150°C, V CC = 1000V, V GE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE(máx) = VCES – L (*2) ×di/dt, IEC 6074-9

12000

A. El

El número de teléfono

Tiempo de retraso de apagado

I C = 2400A

VCE = 900V

L S ~ 50nH

V GE = ±15V

R G(ON) = 0.5Ω

R G(OFF)= 0.5Ω

2320

El Consejo

El

Tiempo de caída

500

El Consejo

E OFF

Pérdida de energía de apagado

1050

mJ

En el momento en que se inicia

Tiempo de retraso de encendido

450

El Consejo

tr

Tiempo de ascenso

210

El Consejo

El EON

Pérdida de energía por encendido

410

mJ

¿Qué es eso?

Carga de recuperación inversa del diodo

I F = 2400A

VCE = 900V

diF/dt =10000A/us

480

El valor de la concentración

El

Corriente de recuperación inversa del diodo

1000

A. El

El Erec

Energía de recuperación inversa del diodo

320

mJ

El número de teléfono

Tiempo de retraso de apagado

I C = 2400A

VCE = 900V

L S ~ 50nH

V GE = ±15V

R G(ON) = 0.5Ω

R G(OFF)= 0.5Ω

2340

El Consejo

El

Tiempo de caída

510

El Consejo

E OFF

Pérdida de energía de apagado

1320

mJ

En el momento en que se inicia

Tiempo de retraso de encendido

450

El Consejo

tr

Tiempo de ascenso

220

El Consejo

El EON

Pérdida de energía por encendido

660

mJ

¿Qué es eso?

Carga de recuperación inversa del diodo

I F = 2400A

VCE = 900V

diF/dt =10000A/us

750

El valor de la concentración

El

Corriente de recuperación inversa del diodo

1200

A. El

El Erec

Energía de recuperación inversa del diodo

550

mJ

El número de teléfono

Tiempo de retraso de apagado

I C = 2400A

VCE = 900V

L S ~ 50nH

V GE = ±15V

R G(ON) = 0.5Ω

R G(OFF)= 0.5Ω

2340

El Consejo

El

Tiempo de caída

510

El Consejo

E OFF

Pérdida de energía de apagado

1400

mJ

En el momento en que se inicia

Tiempo de retraso de encendido

450

El Consejo

tr

Tiempo de ascenso

220

El Consejo

El EON

Pérdida de energía por encendido

820

mJ

¿Qué es eso?

Carga de recuperación inversa del diodo

I F = 2400A

VCE = 900V

diF/dt =12000A/us

820

El valor de la concentración

El

Corriente de recuperación inversa del diodo

1250

A. El

El Erec

Energía de recuperación inversa del diodo

620

mJ

Esquema

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