Módulo IGBT, 1700V 2400A
Parámetros clave
V:C) ElEs | 1700 V: |
V:CE (sat) | (El Consejotipo) 1.75 V: |
- ¿ Qué?C) El | (El ConsejoEl máximo) 2400 A |
- ¿ Qué?C(RM) | (El ConsejoEl máximo) 4800 A |
aplicaciones típicas
Características
En absoluto máximo calificación
(Simbolo) | (Parámetro) | (Condiciones de ensayo) | (valor) | (Unidad) |
VCES | Voltagem del colector-emittente | V GE = 0V,Tvj = 25°C. El valor de la energía de la corriente de escape es el valor de la corriente de escape. | 1700 | V: |
V GES | Voltagem del emisor de la puerta |
| ± 20 | V: |
El | Corriente colector-emitente | En el caso de T = 100 °C, Tvj = 150 °C | 2400 | A |
I C ((PK) | Corriente máxima del colector | TP = 1 ms | 4800 | A |
P máximo | - ¿Qué quieres decir? disipación de potencia del transistor | Tvj = 150 °C, caso T = 25 °C | 19.2 | El |
El 2t | Diode I2t | La temperatura de la corriente de aire de la unidad de ensayo será de: | 1170 | KA2s |
El visol | Voltado de aislamiento por módulo | (Terminales comunes a la placa base), RMS de CA, 1 min, 50 Hz |
4000 |
V: |
Q PD | Descarga parcial por módulo | IEC1287. V 1 = 1800V, V2 = 1300V, 50Hz RMS | 10 | el |
Características eléctricas
Tcase = 25 °C T case = 25°C a menos que se indique lo contrario | ||||||||
(Simbolo) | (Parámetro) | (Condiciones de ensayo) | (min) | (Tipo) | (Más que) | (Unidad) | ||
I CES |
Corriente de corte del colector | V GE = 0V, VCE = VCES |
|
| 1 | ¿Qué quieres? | ||
V GE = 0V, VCE = VCES , T case =125 °C |
|
| 40 | ¿Qué quieres? | ||||
V GE = 0V, VCE = VCES , T case =150 °C |
|
| 60 | ¿Qué quieres? | ||||
I GES | Corriente de fuga de la puerta | V GE = ±20V, VCE = 0V |
|
| 1 | MA | ||
V GE (TH) | Voltagem de umbral de la puerta | I C = 80mA, V GE = VCE | 5.0 | 6.0 | 7.0 | V: | ||
VCE (sat) ((*1) |
Saturación colector-emisor tensión | VGE =15V, IC = 2400A |
| 1.75 |
| V: | ||
VGE =15V, IC = 2400A,Tvj = 125 °C |
| 1.95 |
| V: | ||||
VGE =15V, IC = 2400A,Tvj = 150 °C |
| 2.05 |
| V: | ||||
I F | Corriente de diodo hacia adelante | Dc |
| 2400 |
| A | ||
I FRM | Corriente máxima directa del diodo | t P = 1ms |
| 4800 |
| A | ||
VF(*1) |
Voltado del diodo hacia adelante | IF = 2400A |
| 1.65 |
| V: | ||
IF = 2400A, Tvj = 125 °C |
| 1.75 |
| V: | ||||
IF = 2400A, Tvj = 150 °C |
| 1.75 |
| V: | ||||
Las | Capacidad de entrada | VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz |
| 400 |
| NF (número de trabajo) | ||
El número de | Carga de puerta | ± 15 V |
| 19 |
| El valor de la concentración | ||
El Cres | Capacidad de transferencia inversa | VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz |
| 3 |
| NF (número de trabajo) | ||
L M | Inductancia del módulo |
|
| 10 |
| ¿Qué es? | ||
R INT | Resistencia interna del transistor |
|
| 110 |
| El valor de la carga | ||
I SC |
Corriente de cortocircuito, ISC | Tvj = 150°C, V CC = 1000V, V GE ≤15V, tp ≤10μs, VCE(máx) = VCES – L (*2) ×di/dt, IEC 6074-9 |
|
12000 |
|
A | ||
El número de teléfono | Tiempo de retraso de apagado |
I C = 2400A VCE = 900V L S ~ 50nH V GE = ±15V R G(ON) = 0.5Ω R G(OFF)= 0.5Ω |
| 2320 |
| El Consejo | ||
El | Tiempo de caída |
| 500 |
| El Consejo | |||
E OFF | Pérdida de energía de apagado |
| 1050 |
| El | |||
En el momento en que se inicia | Tiempo de retraso de encendido |
| 450 |
| El Consejo | |||
tr | Tiempo de ascenso |
| 210 |
| El Consejo | |||
El EON | Pérdida de energía por encendido |
| 410 |
| El | |||
¿Qué es eso? | Carga de recuperación inversa del diodo |
I F = 2400A VCE = 900V diF/dt =10000A/us |
| 480 |
| El valor de la concentración | ||
El | Corriente de recuperación inversa del diodo |
| 1000 |
| A | |||
El Erec | Energía de recuperación inversa del diodo |
| 320 |
| El | |||
El número de teléfono | Tiempo de retraso de apagado |
I C = 2400A VCE = 900V L S ~ 50nH V GE = ±15V R G(ON) = 0.5Ω R G(OFF)= 0.5Ω |
| 2340 |
| El Consejo | ||
El | Tiempo de caída |
| 510 |
| El Consejo | |||
E OFF | Pérdida de energía de apagado |
| 1320 |
| El | |||
En el momento en que se inicia | Tiempo de retraso de encendido |
| 450 |
| El Consejo | |||
tr | Tiempo de ascenso |
| 220 |
| El Consejo | |||
El EON | Pérdida de energía por encendido |
| 660 |
| El | |||
¿Qué es eso? | Carga de recuperación inversa del diodo |
I F = 2400A VCE = 900V diF/dt =10000A/us |
| 750 |
| El valor de la concentración | ||
El | Corriente de recuperación inversa del diodo |
| 1200 |
| A | |||
El Erec | Energía de recuperación inversa del diodo |
| 550 |
| El | |||
El número de teléfono | Tiempo de retraso de apagado |
I C = 2400A VCE = 900V L S ~ 50nH V GE = ±15V R G(ON) = 0.5Ω R G(OFF)= 0.5Ω |
| 2340 |
| El Consejo | ||
El | Tiempo de caída |
| 510 |
| El Consejo | |||
E OFF | Pérdida de energía de apagado |
| 1400 |
| El | |||
En el momento en que se inicia | Tiempo de retraso de encendido |
| 450 |
| El Consejo | |||
tr | Tiempo de ascenso |
| 220 |
| El Consejo | |||
El EON | Pérdida de energía por encendido |
| 820 |
| El | |||
¿Qué es eso? | Carga de recuperación inversa del diodo |
I F = 2400A VCE = 900V diF/dt =12000A/us |
| 820 |
| El valor de la concentración | ||
El | Corriente de recuperación inversa del diodo |
| 1250 |
| A | |||
El Erec | Energía de recuperación inversa del diodo |
| 620 |
| El | |||
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