Módulo IGBT, 1700V 2400A
Parámetros clave
|
V:C) ElEs |
1700 V: |
|
V:CE (sat) |
(El Consejotipo) 1.75 V: |
|
- ¿ Qué?C) El |
(El ConsejoEl máximo) 2400 A |
|
- ¿ Qué?C(RM) |
(El ConsejoEl máximo) 4800 A |
aplicaciones típicas
características
En absoluto máximo calificación
|
(Simbolo) |
(Parámetro) |
(Condiciones de ensayo) |
(valor) |
(Unidad) |
|
VCES |
Voltagem del colector-emittente |
V GE = 0V,Tvj = 25°C. El valor de la energía de la corriente de escape es el valor de la corriente de escape. |
1700 |
V: |
|
V GES |
Voltagem del emisor de la puerta |
|
± 20 |
V: |
|
El |
Corriente colector-emitente |
En el caso de T = 100 °C, Tvj = 150 °C |
2400 |
A |
|
I C ((PK) |
Corriente máxima del colector |
TP = 1 ms |
4800 |
A |
|
P máximo |
- ¿Qué quieres decir? disipación de potencia del transistor |
Tvj = 150 °C, caso T = 25 °C |
19.2 |
El |
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El 2t |
Diode I2t |
La temperatura de la corriente de aire de la unidad de ensayo será de: |
1170 |
KA2s |
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El visol |
Voltado de aislamiento por módulo |
(Terminales comunes a la placa base), RMS de CA, 1 min, 50 Hz |
4000 |
V: |
|
Q PD |
Descarga parcial por módulo |
IEC1287. V 1 = 1800V, V2 = 1300V, 50Hz RMS |
10 |
el |
Características eléctricas
|
Tcase = 25 °C T case = 25°C a menos que se indique lo contrario |
||||||||
|
(Simbolo) |
(Parámetro) |
(Condiciones de ensayo) |
(min) |
(Tipo) |
(Más que) |
(Unidad) |
||
|
I CES |
Corriente de corte del colector |
V GE = 0V, VCE = VCES |
|
|
1 |
¿Qué quieres? |
||
|
V GE = 0V, VCE = VCES , T case =125 °C |
|
|
40 |
¿Qué quieres? |
||||
|
V GE = 0V, VCE = VCES , T case =150 °C |
|
|
60 |
¿Qué quieres? |
||||
|
I GES |
Corriente de fuga de la puerta |
V GE = ±20V, VCE = 0V |
|
|
1 |
MA |
||
|
V GE (TH) |
Voltagem de umbral de la puerta |
I C = 80mA, V GE = VCE |
5.0 |
6.0 |
7.0 |
V: |
||
|
VCE (sat) ((*1) |
Saturación colector-emisor tensión |
VGE =15V, IC = 2400A |
|
1.75 |
|
V: |
||
|
VGE =15V, IC = 2400A,Tvj = 125 °C |
|
1.95 |
|
V: |
||||
|
VGE =15V, IC = 2400A,Tvj = 150 °C |
|
2.05 |
|
V: |
||||
|
I F |
Corriente de diodo hacia adelante |
Dc |
|
2400 |
|
A |
||
|
I FRM |
Corriente máxima directa del diodo |
t P = 1ms |
|
4800 |
|
A |
||
|
VF(*1) |
Voltado del diodo hacia adelante |
IF = 2400A |
|
1.65 |
|
V: |
||
|
IF = 2400A, Tvj = 125 °C |
|
1.75 |
|
V: |
||||
|
IF = 2400A, Tvj = 150 °C |
|
1.75 |
|
V: |
||||
|
Las |
Capacidad de entrada |
VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz |
|
400 |
|
NF (número de trabajo) |
||
|
El número de |
Carga de puerta |
± 15 V |
|
19 |
|
El valor de la concentración |
||
|
El Cres |
Capacidad de transferencia inversa |
VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz |
|
3 |
|
NF (número de trabajo) |
||
|
L M |
Inductancia del módulo |
|
|
10 |
|
¿Qué es? |
||
|
R INT |
Resistencia interna del transistor |
|
|
110 |
|
El valor de la carga |
||
|
I SC |
Corriente de cortocircuito, ISC |
Tvj = 150°C, V CC = 1000V, V GE ≤15V, tp ≤10μs, VCE(máx) = VCES – L (*2) ×di/dt, IEC 6074-9 |
|
12000 |
|
A |
||
|
El número de teléfono |
Tiempo de retraso de apagado |
I C = 2400A VCE = 900V L S ~ 50nH V GE = ±15V R G(ON) = 0.5Ω R G(OFF)= 0.5Ω |
|
2320 |
|
El Consejo |
||
|
El |
Tiempo de caída |
|
500 |
|
El Consejo |
|||
|
E OFF |
Pérdida de energía de apagado |
|
1050 |
|
El |
|||
|
En el momento en que se inicia |
Tiempo de retraso de encendido |
|
450 |
|
El Consejo |
|||
|
tr |
Tiempo de ascenso |
|
210 |
|
El Consejo |
|||
|
El EON |
Pérdida de energía por encendido |
|
410 |
|
El |
|||
|
¿Qué es eso? |
Carga de recuperación inversa del diodo |
I F = 2400A VCE = 900V diF/dt =10000A/us |
|
480 |
|
El valor de la concentración |
||
|
El |
Corriente de recuperación inversa del diodo |
|
1000 |
|
A |
|||
|
El Erec |
Energía de recuperación inversa del diodo |
|
320 |
|
El |
|||
|
El número de teléfono |
Tiempo de retraso de apagado |
I C = 2400A VCE = 900V L S ~ 50nH V GE = ±15V R G(ON) = 0.5Ω R G(OFF)= 0.5Ω |
|
2340 |
|
El Consejo |
||
|
El |
Tiempo de caída |
|
510 |
|
El Consejo |
|||
|
E OFF |
Pérdida de energía de apagado |
|
1320 |
|
El |
|||
|
En el momento en que se inicia |
Tiempo de retraso de encendido |
|
450 |
|
El Consejo |
|||
|
tr |
Tiempo de ascenso |
|
220 |
|
El Consejo |
|||
|
El EON |
Pérdida de energía por encendido |
|
660 |
|
El |
|||
|
¿Qué es eso? |
Carga de recuperación inversa del diodo |
I F = 2400A VCE = 900V diF/dt =10000A/us |
|
750 |
|
El valor de la concentración |
||
|
El |
Corriente de recuperación inversa del diodo |
|
1200 |
|
A |
|||
|
El Erec |
Energía de recuperación inversa del diodo |
|
550 |
|
El |
|||
|
El número de teléfono |
Tiempo de retraso de apagado |
I C = 2400A VCE = 900V L S ~ 50nH V GE = ±15V R G(ON) = 0.5Ω R G(OFF)= 0.5Ω |
|
2340 |
|
El Consejo |
||
|
El |
Tiempo de caída |
|
510 |
|
El Consejo |
|||
|
E OFF |
Pérdida de energía de apagado |
|
1400 |
|
El |
|||
|
En el momento en que se inicia |
Tiempo de retraso de encendido |
|
450 |
|
El Consejo |
|||
|
tr |
Tiempo de ascenso |
|
220 |
|
El Consejo |
|||
|
El EON |
Pérdida de energía por encendido |
|
820 |
|
El |
|||
|
¿Qué es eso? |
Carga de recuperación inversa del diodo |
I F = 2400A VCE = 900V diF/dt =12000A/us |
|
820 |
|
El valor de la concentración |
||
|
El |
Corriente de recuperación inversa del diodo |
|
1250 |
|
A |
|||
|
El Erec |
Energía de recuperación inversa del diodo |
|
620 |
|
El |
|||
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