YMIF1000-33, Módulo IGBT, 3300V 1000A

YMIF1000-33, módulo IGBT, 3300V 1000A

Módulo IGBT，3300V 1000A

Brand:

El CRRC

Spu:

El número de unidades de producción

llave Parámetros

aplicaciones típicas

aplicaciones típicas

Clasificación Máxima Absoluta

(Simbolo)	(Parámetro)	(Condiciones de ensayo)	(valor)	(Unidad)
VCES	Voltagem del colector-emittente	VGE = 0V, TC = 25 °C	3300	V:
VGES	Voltagem del emisor de la puerta	TC= 25 °C	± 20	V:
El	Corriente colector-emitente	TC = 95 °C	1000	A
IC ((PK)	Corriente máxima del colector	t P= 1ms	2000	A
P máximo	Disposición máxima de energía del transistor	Tvj = 150°C, TC = 25 °C	10.4	El
El 2t	Diodo I2t	VR =0V, t P = 10ms, Tvj = 150 °C	320	KA2s
El visol	Voltado de aislamiento por módulo	terminales comunes a la placa base), AC RMS,1 min, 50Hz,TC= 25 °C	6000	V:
Q PD	Descarga parcial por módulo	IEC1287. V 1 = 3500V, V 2 = 2600V, 50Hz RMS, TC= 25 °C	10	el

Características eléctricas

(Simbolo)		(Parámetro)	(Condiciones de ensayo)	(min)	(Tipo)	(máximo)	(Unidad)
I CES		Corriente de corte del colector	VGE = 0V,VCE = VCES			1	¿Qué quieres?
			VGE = 0V, VCE = VCES , TC= 125 ° C			60	¿Qué quieres?
			VGE = 0V, VCE = VCES , TC= 150 ° C			100	¿Qué quieres?
I GES		Corriente de fuga de la puerta	VGE = ±20V, VCE = 0V			1	MA
VGE (TH)		Voltagem de umbral de la puerta	I C= 80mA, VGE= VCE	5.50	6.10	7.00	V:
VCE	(*1) (sat)	Saturación del colector-emittente tensión	VGE= 15V, I C= 1000A		2.40	2.90	V:
			VGE= 15V, I C= 1000A,Tvj = 125 ° C		2.95	3.40	V:
			VGE= 15V, I C= 1000A,Tvj = 150 ° C		3.10	3.60	V:
I F		Corriente de diodo hacia adelante	Dc		1000		A
I FRM		Corriente máxima directa del diodo	t P = 1ms		2000		A
VF(*1)		Voltado del diodo hacia adelante	I F= 1000A		2.10	2.60	V:
			I F= 1000A, Tvj= 125 ° C		2.25	2.70	V:
			I F= 1000A, Tvj= 150 ° C		2.25	2.70	V:
C ies		Capacidad de entrada	VCE= 25V, VGE= 0V, f = 1MHz		170		NF (número de trabajo)
Q g		Cargo por puerta	± 15 V		17		El valor de la concentración
C res		Capacidad de transferencia inversa	VCE= 25V, VGE= 0V, f = 1MHz		4		NF (número de trabajo)
L M		Inductancia del módulo			15		¿Qué es?
R INT		Resistencia interna del transistor			165		El valor de la carga
I SC		Corriente de cortocircuito, ISC	Tvj = 150° C, VCC = 2500V, VGE≤15V, tp≤10μs, VCE(max) = VCES – L (*2)×di/dt, IEC 6074-9		3900		A

El número de teléfono	Tiempo de retraso de apagado	I C =1000A VCE = 1800V C GE = 220nF L ~ 150nH VGE = ±15V RG(ON) = 1.5Ω RG(OFF)= 2.2Ω	1800	El Consejo
El	Tiempo de caída		530	El Consejo
E OFF	Pérdida de energía de apagado		1600	El
En el momento en que se inicia	Tiempo de retraso de encendido		680	El Consejo
t r	Tiempo de ascenso		320	El Consejo
El EON	Pérdida de energía por encendido		1240	El
Q rr	Carga de recuperación inversa del diodo	I F =1000A VCE = 1800V diF/dt =3300A/us	780	El valor de la concentración
El	Corriente de recuperación inversa del diodo		810	A
E rec	Energía de recuperación inversa del diodo		980	El
El número de teléfono	Tiempo de retraso de apagado	I C =1000A VCE = 1800V C GE = 220nF L ~ 150nH VGE = ±15V RG(ON) = 1.5Ω RG(OFF)= 2.2Ω	1940	El Consejo
El	Tiempo de caída		580	El Consejo
E OFF	Pérdida de energía de apagado		1950	El
En el momento en que se inicia	Tiempo de retraso de encendido		660	El Consejo
t r	Tiempo de ascenso		340	El Consejo
El EON	Pérdida de energía por encendido		1600	El
Q rr	Carga de recuperación inversa del diodo	I F =1000A VCE = 1800V diF/dt =3300A/us	1200	El valor de la concentración
El	Corriente de recuperación inversa del diodo	I F =1000A VCE = 1800V diF/dt =3300A/us	930	A