Módulo IGBT，1700V 800A
llave Parámetros
V:El CES | 1700 | V: | |
V:CE(El Consejosentado) | (Tipo) | 2.30 | V: |
- ¿ Qué?C) El | (máximo) | 800 | A |
- ¿ Qué?C(RM) | (máximo) | 1600 | A |
típico Las aplicaciones
Características
En absoluto máximo calificación
(Simbolo) | (Parámetro) | (Condiciones de ensayo) | (valor) | (Unidad) |
VCES | Voltagem del colector-emittente | V GE = 0V, TC= 25。C) El | 1700 | V: |
V GES | Voltagem del emisor de la puerta | TC= 25。C) El | ± 20 | V: |
El | Corriente colector-emitente | TC = 80。C) El | 800 | A |
I C ((PK) | Corriente máxima del colector | t P=1ms | 1600 | A |
P máximo | Disposición máxima de energía del transistor | Tvj = 150。C, TC = 25。C) El | 6.94 | El |
El 2t | Diodo I 2t | VR =0V, t P = 10ms, Tvj = 125。C) El | 120 | KA2s |
El visol | Voltado de aislamiento por módulo | ( Terminales comunes a la placa base), AC RMS,1 min, 50Hz,TC= 25。C) El | 4000 | V: |
Q PD | Descarga parcial por módulo | IEC1287. V 1 = 1800V, V2 = 1300V, 50Hz RMS, TC= 25。C) El | 10 | el |
Características eléctricas
(El ConsejoEl símbolo) | (El ConsejoParámetro) | (Condiciones de ensayo) | (El Consejoel tiempo) | (El Consejotipo) | (El ConsejoEl máximo) | (El ConsejoUnidad) | |
I CES | Corriente de corte del colector | V GE = 0V,VCE = VCES |
|
| 1 | ¿Qué quieres? | |
V GE = 0V, VCE = VCES , TC=125 ° C |
|
| 25 | ¿Qué quieres? | |||
I GES | Corriente de fuga de la puerta | V GE = ±20V, VCE = 0V |
|
| 4 | MA | |
V GE (TH) | Voltagem de umbral de la puerta | I C = 40mA, V GE = VCE | 5.00 | 5.70 | 6.50 | V: | |
VCE (sat) ((*1) | Tensión de saturación colector-emisor | V GE =15V, I C = 800A |
| 2.30 | 2.60 | V: | |
V GE =15V, I C = 800A,Tvj = 125 ° C |
| 2.80 | 3.10 | V: | |||
I F | Corriente de diodo hacia adelante | 直流Dc |
|
| 800 | A | |
I FRM | Corriente máxima directa del diodo | t P = 1ms |
|
| 1600 | A | |
VF(*1) | Voltado del diodo hacia adelante | I F = 800A |
| 1.70 | 2.00 | V: | |
I F = 800A, Tvj = 125 ° C |
| 1.80 | 2.10 | V: | |||
C ies | Capacidad de entrada | VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz |
| 60 |
| NF (número de trabajo) | |
Q g | Cargo por puerta | ± 15 V |
| 9 |
| El valor de la concentración | |
C res | Capacidad de transferencia inversa | VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz |
|
- |
| NF (número de trabajo) | |
L M | Inductancia del módulo |
|
| 20 |
| ¿Qué es? | |
R INT | Resistencia interna del transistor |
|
| 270 |
| El valor de la carga | |
I SC | Corriente de cortocircuito, ISC | Tvj = 125° C, VCC = 1000V, V GE ≤15V, tp ≤10μs, VCE(máx) = VCES – L (*2)×di/dt, IEC 6074-9 |
|
3700 |
|
A | |
El número de teléfono | Tiempo de retraso de apagado |
I C =800A VCE =900V L ~ 100nH V GE = ±15V RG(ON) = 2.2Ω RG(OFF)= 2.2Ω |
| 890 |
| El Consejo | |
El | Tiempo de caída |
| 220 |
| El Consejo | ||
E OFF | Pérdida de energía de apagado |
| 220 |
| El | ||
En el momento en que se inicia | Tiempo de retraso de encendido |
| 320 |
| El Consejo | ||
t r | Tiempo de ascenso |
| 190 |
| El Consejo | ||
El EON | Pérdida de energía por encendido |
| 160 |
| El | ||
Q rr | Carga de recuperación inversa del diodo |
I F = 800A VCE = 900V diF/dt =4000A/us |
| 260 |
| El valor de la concentración | |
El | Corriente de recuperación inversa del diodo |
| 510 |
| A | ||
E rec | Energía de recuperación inversa del diodo |
| 180 |
| El | ||
El número de teléfono | Tiempo de retraso de apagado |
I C =800A VCE =900V L ~ 100nH V GE = ±15V RG(ON) = 2.2Ω RG(OFF)= 2.2Ω |
| 980 |
| El Consejo | |
El | Tiempo de caída |
| 280 |
| El Consejo | ||
E OFF | Pérdida de energía de apagado |
| 290 |
| El | ||
En el momento en que se inicia | Tiempo de retraso de encendido |
| 400 |
| El Consejo | ||
t r | Tiempo de ascenso |
| 250 |
| El Consejo | ||
El EON | Pérdida de energía por encendido |
| 230 |
| El | ||
Q rr | Carga de recuperación inversa del diodo |
I F = 800A VCE = 900V diF/dt =4000A/us |
| 420 |
| El valor de la concentración | |
El | Corriente de recuperación inversa del diodo |
| 580 |
| A | ||
E rec | Energía de recuperación inversa del diodo |
| 280 |
| El | ||
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