YMIBD800-17 | 1700V |

Las demás

El número de datos de la dirección de la empresa

El número de datos de la dirección de la empresa

Módulo IGBT，1700V 800A

Brand:

El CRRC

Spu:

YMIBD800-17 / TIM800DDM17-PSA011

Introducción

Introducción

llave Parámetros

V:El CES	1700		V:
V:CE(El Consejosentado)	(Tipo)	2.30	V:
- ¿ Qué?C) El	(máximo)	800	A
- ¿ Qué?C(RM)	(máximo)	1600	A

típico Las aplicaciones

Las unidades de tracción
Controladores de motor
el viento Potencia
muy alto Confiabilidad el inversor

características

AlSiC base
¿ Qué pasa? Substrato
muy alto térmico el ciclismo capacidad
10μel Es corto. CIRCUITO Resista.
bajo V:CE(El Consejosentado) dispositivo
muy alto corriente densidad

En absoluto máximo calificación

(Simbolo)	(Parámetro)	(Condiciones de ensayo)	(valor)	(Unidad)
VCES	Voltagem del colector-emittente	V GE = 0V, TC= 25。C) El	1700	V:
V GES	Voltagem del emisor de la puerta	TC= 25。C) El	± 20	V:
El	Corriente colector-emitente	TC = 80。C) El	800	A
I C ((PK)	Corriente máxima del colector	t P=1ms	1600	A
P máximo	Disposición máxima de energía del transistor	Tvj = 150。C, TC = 25。C) El	6.94	El
El 2t	Diodo I 2t	VR =0V, t P = 10ms, Tvj = 125。C) El	120	KA2s
El visol	Voltado de aislamiento por módulo	( Terminales comunes a la placa base), AC RMS,1 min, 50Hz,TC= 25。C) El	4000	V:
Q PD	Descarga parcial por módulo	IEC1287. V 1 = 1800V, V2 = 1300V, 50Hz RMS, TC= 25。C) El	10	el

Características eléctricas

(El ConsejoEl símbolo)	(El ConsejoParámetro)	(Condiciones de ensayo)	(El Consejoel tiempo)	(El Consejotipo)	(El ConsejoEl máximo)	(El ConsejoUnidad)
I CES	Corriente de corte del colector	V GE = 0V,VCE = VCES			1	¿Qué quieres?
I CES	Corriente de corte del colector	V GE = 0V, VCE = VCES , TC=125 ° C			25	¿Qué quieres?
I GES	Corriente de fuga de la puerta	V GE = ±20V, VCE = 0V			4	MA
V GE (TH)	Voltagem de umbral de la puerta	I C = 40mA, V GE = VCE	5.00	5.70	6.50	V:
VCE (sat) ((*1)	Tensión de saturación colector-emisor	V GE =15V, I C = 800A		2.30	2.60	V:
VCE (sat) ((*1)	Tensión de saturación colector-emisor	V GE =15V, I C = 800A,Tvj = 125 ° C		2.80	3.10	V:
I F	Corriente de diodo hacia adelante	直流Dc			800	A
I FRM	Corriente máxima directa del diodo	t P = 1ms			1600	A
VF(*1)	Voltado del diodo hacia adelante	I F = 800A		1.70	2.00	V:
VF(*1)	Voltado del diodo hacia adelante	I F = 800A, Tvj = 125 ° C		1.80	2.10	V:
C ies	Capacidad de entrada	VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz		60		NF (número de trabajo)
Q g	Cargo por puerta	± 15 V		9		El valor de la concentración
C res	Capacidad de transferencia inversa	VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz		-		NF (número de trabajo)
L M	Inductancia del módulo			20		¿Qué es?
R INT	Resistencia interna del transistor			270		El valor de la carga
I SC	Corriente de cortocircuito, ISC	Tvj = 125° C, VCC = 1000V, V GE ≤15V, tp ≤10μs, VCE(máx) = VCES – L (*2)×di/dt, IEC 6074-9		3700		A
El número de teléfono	Tiempo de retraso de apagado	I C =800A VCE =900V L ~ 100nH V GE = ±15V RG(ON) = 2.2Ω RG(OFF)= 2.2Ω		890		El Consejo
El	Tiempo de caída			220		El Consejo
E OFF	Pérdida de energía de apagado			220		El
En el momento en que se inicia	Tiempo de retraso de encendido			320		El Consejo
t r	Tiempo de ascenso			190		El Consejo
El EON	Pérdida de energía por encendido			160		El
Q rr	Carga de recuperación inversa del diodo	I F = 800A VCE = 900V diF/dt =4000A/us		260		El valor de la concentración
El	Corriente de recuperación inversa del diodo			510		A
E rec	Energía de recuperación inversa del diodo			180		El
El número de teléfono	Tiempo de retraso de apagado	I C =800A VCE =900V L ~ 100nH V GE = ±15V RG(ON) = 2.2Ω RG(OFF)= 2.2Ω		980		El Consejo
El	Tiempo de caída			280		El Consejo
E OFF	Pérdida de energía de apagado			290		El
En el momento en que se inicia	Tiempo de retraso de encendido			400		El Consejo
t r	Tiempo de ascenso			250		El Consejo
El EON	Pérdida de energía por encendido			230		El
Q rr	Carga de recuperación inversa del diodo	I F = 800A VCE = 900V diF/dt =4000A/us		420		El valor de la concentración
El	Corriente de recuperación inversa del diodo			580		A
E rec	Energía de recuperación inversa del diodo			280		El