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Módulo IGBT 3300V

Módulo IGBT 3300V

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YMIBD500-33,Módulo IGBT,IGBT de doble interruptor,CRRC

3300V 500A

Brand:
El CRRC
Spu:
El número de unidades de seguridad de la unidad de seguridad de la unidad de seguridad de la unidad de seguridad de la unidad de seguridad de la unidad de seguridad de la unidad de seguridad de la unidad de seguridad de la unidad de seguridad de la unidad de seguridad de la unidad de seguridad de la unidad de seguridad de la unidad de seguridad
  • Introducción
  • Esquema
Introducción

Breve introducción

Modulo IGBT,IGBT de alta tensión, módulo IGBT de interruptor doble, producido por CRRC. 3300V 500A.

Parámetros clave

VCES

3300 v

VCE (sat)

(Tipo) 2.40 v

CI

(máx) 500 A. El

IC ((RM)

(máx) 1000 A. El

Aplicaciones típicas

  • Las unidades de tracción
  • Controladores de motor
  • Inteligente Cuadrícula
  • alto Fiabilidad El invertidor

Características

  • Base de AlSiC
  • Substratos de AIN
  • Capacidad de ciclo térmico elevada
  • 10 μs Resistir a cortocircuito
  • Dispositivo de bajo VCE (sat)
  • Alta densidad de corriente

En absoluto Máximo RAtintineo

(Simbolo)

(Parámetro)

(Condiciones de ensayo)

(valor)

(Unidad)

VCES

Voltagem del colector-emittente

V GE = 0V,Tvj = 25°C. El valor de la energía de la corriente de escape es el valor de la corriente de escape.

3300

v

V GES

Voltagem del emisor de la puerta

± 20

v

El

Corriente colector-emitente

En el caso de T = 100 °C, Tvj = 150 °C

500

A. El

I C ((PK)

Corriente máxima del colector

1ms, T case = 140 °C

1000

A. El

P máximo

Disposición máxima de energía del transistor

Tvj = 150 °C, caso T = 25 °C

5.2

kw

El 2t

Diodo I t

VR =0V, t P = 10ms, Tvj = 150 °C

80

KA2s

El visol

Voltado de aislamiento por módulo

Terminales comunes a la placa base),

RMS de CA, 1 min, 50 Hz

6000

v

Q PD

Descarga parcial por módulo

El número de unidades de producción V1 = 3500V, V2 = 2600V, 50 Hz RMS, TC = 25 °C

10

PC

Ello esCaracterísticas de la enfermedad

tCaso = 25 °C t Caso = 25°C a menos que Se ha dicho de otro modo

(El símbolo)

(Parámetro)

(Condiciones de ensayo)

(En el minuto)

(Typ)

(- ¿ Qué?)

(unidad)

Yo El CES

Corriente de corte del colector

v El sector de la energía = 0V, vCE = vEl CES

1

El número de

v El sector de la energía = 0V, vCE = vEl CES , t Caso = 125 °C

30

El número de

v El sector de la energía = 0V, vCE =vEl CES , t Caso = 150 °C

50

El número de

Yo El GES

Fugas de la puerta Corriente

v El sector de la energía El valor de la presión de escape será igual a: vCE El valor de la energía

1

MA

v El sector de la energía (TD)

Voltagem de umbral de la puerta

Yo C = 40El número de, v El sector de la energía =vCE

5.50

6.10

7.00

v

vCE (sat)El número de personas

Saturación del colector-emittente Voltaje

v El sector de la energía El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape.Yo C= 500A

2.40

2.90

v

v El sector de la energía El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape.Yo C = 500A,tVj = 125 °C

2.95

3.40

v

v El sector de la energía El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape.Yo C = 500A,tVj = 150 °C

3.10

3.60

v

Yo F

Corriente de diodo hacia adelante

CC

500

A. El

Yo El MFR

Diodo máximo hacia adelante Corriente

t P = 1 ms

1000

A. El

vFEl número de personas

Voltado del diodo hacia adelante

Yo F = 500A

2.10

2.60

v

Yo F = 500A, tVj = 125 °C

2.25

2.70

v

Yo F = 500A, tVj = 150 °C

2.25

2.70

v

Cies

Capacidad de entrada

vCE = 25 V, v El sector de la energía = 0V,F = 1MHz

90

NF (número de trabajo)

¿Qué es?G. El

Cargo por puerta

± 15 V

9

El valor de la concentración

Cres

Capa de transferencia inversacitación

vCE = 25 V, v El sector de la energía = 0V,F = 1MHz

2

NF (número de trabajo)

L m

módulo Inductancia

25

nH

R INT

Resistencia interna del transistor

310

El valor de la carga

Yo SC

Cortocircuito corriente, YoSC

tVj = 150 °C, v CC = 2500V, v El sector de la energía de una potencia de 15 V,tP 10 μs,

vCE(- ¿ Qué?) = vEl CES L El número de personas ×di/Dt,IEC Las demás

1800

A. El

El número de teléfono

Tiempo de retraso de apagado

I C =500A VCE =1800V Cge = 100nF

L ~ 150nH

V GE = ±15V RG(ON) = 3.0Ω RG(OFF)= 4.5Ω

1720

El Consejo

El

Tiempo de caída

520

El Consejo

E OFF

Pérdida de energía de apagado

780

mJ

En el momento en que se inicia

Tiempo de retraso de encendido

650

El Consejo

tr

Tiempo de ascenso

260

El Consejo

El EON

Pérdida de energía por encendido

730

mJ

¿Qué es eso?

Carga de recuperación inversa del diodo

I F = 500A

VCE = 1800V

El valor de la presión de escape de la unidad de ensayo de la unidad de ensayo de ensayo de la unidad de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ens

390

El valor de la concentración

El

Corriente de recuperación inversa del diodo

420

A. El

El Erec

Energía de recuperación inversa del diodo

480

mJ

(Simbolo)

(Parámetro)

(Condiciones de ensayo)

(Mín)

(Tipo)

(máx)

(Unidad)

El número de teléfono

Tiempo de retraso de apagado

I C =500A VCE =1800V Cge = 100nF

L ~ 150nH V GE = ±15V RG(ON) = 3.0Ω RG(OFF)= 4.5Ω

1860

El Consejo

El

Tiempo de caída

550

El Consejo

E OFF

Pérdida de energía de apagado

900

mJ

En el momento en que se inicia

Tiempo de retraso de encendido

630

El Consejo

tr

¿Qué pasa?Tiempo de ascenso

280

El Consejo

El EON

Pérdida de energía por encendido

880

mJ

¿Qué es eso?

Carga de recuperación inversa del diodo

I F = 500A

VCE = 1800V

El valor de la presión de escape de la unidad de ensayo de la unidad de ensayo de ensayo de la unidad de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ens

620

El valor de la concentración

El

Corriente de recuperación inversa del diodo

460

A. El

El Erec

Energía de recuperación inversa del diodo

760

mJ

(Simbolo)

(Parámetro)

(Condiciones de ensayo)

(Mín)

(Tipo)

(máx)

(Unidad)

El número de teléfono

Tiempo de retraso de apagado

I C =500A VCE =1800V Cge = 100nF

L ~ 150nH V GE = ±15V RG(ON) = 3.0Ω RG(OFF)= 4.5Ω

1920

El Consejo

El

Tiempo de caída

560

El Consejo

E OFF

Pérdida de energía de apagado

1020

mJ

En el momento en que se inicia

Tiempo de retraso de encendido

620

El Consejo

tr

Tiempo de ascenso

280

El Consejo

El EON

Pérdida de energía por encendido

930

mJ

¿Qué es eso?

Carga de recuperación inversa del diodo

I F = 500A

VCE = 1800V

El valor de la presión de escape de la unidad de ensayo de la unidad de ensayo de ensayo de la unidad de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ens

720

El valor de la concentración

El

Corriente de recuperación inversa del diodo

490

A. El

El Erec

Energía de recuperación inversa del diodo

900

mJ

Esquema

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