Módulo IGBT，1700V 1200A
parámetros clave
V:El CES | 1700 | V: | |
V:CE(El Consejosentado) | (Tipo) | 1.80 | V: |
- ¿ Qué?C) El | (máximo) | 1200 | A |
- ¿ Qué?C(RM) | (máximo) | 2400 | A |
típico Las aplicaciones
Características
El valor máximo absoluto calificaciones
(Simbolo) | (Parámetro) | (Condiciones de ensayo) | (valor) | (Unidad) |
VCES | Voltagem del colector-emittente | V GE = 0V, TC= 25℃ | 1700 | V: |
V GES | Voltagem del emisor de la puerta | TC= 25°C | ± 20 | V: |
El | Corriente colector-emitente | TC =75 °C | 1200 | A |
I C ((PK) | Corriente máxima del colector | t P=1ms | 2400 | A |
P máximo | Disposición máxima de energía del transistor | Tvj = 150。C, TC = 25°C | 5.68 | El |
El 2t | Diodo I 2t | VR =0V, t P = 10ms, Tvj = 125°C | 130 | KA2s |
El visol | Voltado de aislamiento por módulo | ( Terminales comunes a la placa base), AC RMS,1 min, 50Hz,TC= 25°C | 4000 | V: |
Q PD | Descarga parcial por módulo | IEC1287. V 1 = 1800V, V2 = 1300V, 50Hz RMS, TC= 25°C | 10 | el |
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