Módulo IGBT，1700V 1200A
parámetros clave
|
V:El CES |
1700 |
V: |
|
|
V:CE(El Consejosentado) |
(Tipo) |
1.80 |
V: |
|
- ¿ Qué?C) El |
(máximo) |
1200 |
A |
|
- ¿ Qué?C(RM) |
(máximo) |
2400 |
A |
típico Las aplicaciones
características
El valor máximo absoluto calificaciones
|
(Simbolo) |
(Parámetro) |
(Condiciones de ensayo) |
(valor) |
(Unidad) |
|
VCES |
Voltagem del colector-emittente |
V GE = 0V, TC= 25。C) El |
1700 |
V: |
|
V GES |
Voltagem del emisor de la puerta |
TC= 25。C) El |
± 20 |
V: |
|
El |
Corriente colector-emitente |
TC =75 。C) El |
1200 |
A |
|
I C ((PK) |
Corriente máxima del colector |
t P=1ms |
2400 |
A |
|
P máximo |
Disposición máxima de energía del transistor |
Tvj = 150。C, TC = 25。C) El |
5.68 |
El |
|
El 2t |
Diodo I 2t |
VR =0V, t P = 10ms, Tvj = 125。C) El |
130 |
KA2s |
|
El visol |
Voltado de aislamiento por módulo |
( Terminales comunes a la placa base), AC RMS,1 min, 50Hz,TC= 25。C) El |
4000 |
V: |
|
Q PD |
Descarga parcial por módulo |
IEC1287. V 1 = 1800V, V2 = 1300V, 50Hz RMS, TC= 25。C) El |
10 |
el |
Nuestro equipo de ventas profesional está esperando su consulta.
Puedes seguir su lista de productos y hacer cualquier pregunta que te interese.
EN
