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Diodo de recuperación rápida

Diodo de recuperación rápida

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Y89ZKD, Diodo de Recuperación Rápida

Número de parte Y89ZKD-ZT84cT

Brand:
TECHSEM
Spu:
Y89ZKD-ZT84cT
Appurtenance:

folleto del producto:Descargar

  • Introducción
  • el esquema
Introducción

- ¿ Qué?T(AV)

4000A

V:RRM

22Las demás- ¿ Qué?2500V

2800V   3000V

Características

  • Baja caída de voltaje directo
  • Recuperación suave
  • Carcasas metálicas herméticas con aislantes cerámicos

aplicaciones típicas

  • Inversores y cortadores
  • Control de los motores
  • Diodos snubber y de rueda libre

El símbolo

características

Condiciones de ensayo

Tj(℃)

valor de las

Unidad

el tiempo

Tipo de producto

El máximo

IF(AV)

Corriente media directa

180¿ Qué?con una frecuencia de onda senoidal media de 50 Hz, doble lado enfriado,

TC=85°C

150

 

 

4000

A

VIRM

Voltado inverso de pico repetitivo

tp=10ms

150

2100

 

3000

V:

MIRR

Corriente pico repetitiva

a VRRM

150

 

 

300

¿Qué quieres?

El IFSM

Corriente de avance de sobretensión

10 ms media onda senoidal VR=0,6VRRM

150

 

 

44

el

El 1 de enero

I2t para coordinación de fusibles

 

 

9680

A2s*103

VFO

Voltaje de umbral

 

150

 

 

0.96

V:

rf

Resistencia de pendiente directa

 

 

0.12

VFM

Voltaje directo pico

IFM=5000A, F=35kN

25

 

 

2.20

V:

MIR

Corriente de recuperación inversa

 

IFM=2000A, tp=4000μs, di/dt=-60A/μs, VR= 100V

 

150

 

350

 

A

trr

Tiempo de recuperación inversa

 

12

 

μs

¿Qué es eso?

Cargo por recuperación

 

4300

 

El valor de la concentración

Rth(j-c)

Resistencia térmica unión a carcasa

Fuerza de sujeción de doble lado refrigerada 40kN

 

 

 

0.007

 

°C/W

Rth(c-h)

Resistencia térmica de la caja al disipador de calor

 

 

 

0.002

El

Fuerza de Montaje

 

 

63

 

84

No

TVj

Temperatura de unión

 

 

-40

 

150

°C

TSTG

Temperatura almacenada

 

 

-40

 

160

°C

Tc y

PESO

 

 

 

1390

 

G. El

el esquema

ZT84cT

 

el esquema

Y89ZKD-2(1).png

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