Y89ZKD, Diodo de Recuperación Rápida

El símbolo

Características

Condiciones de ensayo

Tj(℃)

valor

unidad

mín

Tipo

máx

IF(AV)

Corriente media directa

180° con una frecuencia de onda senoidal media de 50 Hz, doble lado enfriado,

TC=85°C

150

4000

A. El

VIRM

Voltado inverso de pico repetitivo

tp=10ms

150

2100

3000

v

MIRR

Corriente pico repetitiva

a V _RRM

150

300

El número de

El IFSM

Corriente de avance de sobretensión

10 ms media onda senoidal VR=0,6V _RRM

150

44

KA

El 1 de enero

I2t para coordinación de fusibles

9680

A. El ²s*10 ³

VFO

Voltaje de umbral

150

0.96

v

rF

Resistencia de pendiente directa

0.12

MΩ

VFM

Voltaje directo pico

IFM=5000A, F=35kN

25

2.20

v

MIR

Corriente de recuperación inversa

IFM=2000A, tp=4000μs, di/dt=-60A/μs, VR= 100V

150

350

A. El

trr

Tiempo de recuperación inversa

12

μs

¿Qué es eso?

Cargo por recuperación

4300

El valor de la concentración

Rth(j-c)

Resistencia térmica unión a carcasa

Enfriamiento por ambos lados Fuerza de agarre 40kN

0.007

°C/W

Rth(c-h)

Resistencia térmica de la caja al disipador de calor

0.002

- ¿ Qué?

Fuerza de Montaje

63

84

kN

TVj

Temperatura de unión

-40

150

℃

TSTG

Temperatura almacenada

-40

160

℃

El

Peso

1390

G. El

Esquema

ZT84cT