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Apagado rápido

Apagado rápido

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Y89KFG, Tiristor de apagado rápido no simétrico

Número de parte Y89KFG-KT84c(d)T

Brand:
TECHSEM
Spu:
Y89KFG-KT84c(d)T
Appurtenance:

folleto del producto:Descargar

  • Introducción
  • el esquema
Introducción

Características

  • Puertas amplificadoras interdigitadas
  • Encendido rápido y alto di/dt
  • Bajas pérdidas de conmutación

aplicaciones típicas

  • Calentamiento por inducción
  • Inversores auto-conmutados

 

El símbolo

 

características

 

Condiciones de ensayo

 

Tj(℃)

valor de las

 

Unidad

el tiempo

Tipo de producto

El máximo

IT(AV)

Corriente media en estado de conducción

180con una frecuencia de onda senoidal media de 50 Hz, doble lado enfriado,

TC=55°C

125

 

 

3800

A

VDRM

Voltado máximo de apagado repetitivo

 

tp=10ms

125

2000

 

3000

V:

VIRM

Voltado inverso de pico repetitivo

125

1000

 

2500

V:

No puedo no puedo

Corriente pico repetitiva

en VDRM en VRRM

125

 

 

250

¿Qué quieres?

ITSM

Corriente de sobrecarga en estado de conducción

10ms media onda sinusoidal VR=0.6VRRM

125

 

 

46

el

El 1 de enero

I2t para coordinación de fusibles

 

 

10580

A2s* 103

VTO

Voltaje de umbral

 

125

 

 

1.32

V:

Rt

Resistencia de pendiente en estado de conducción

 

 

0.14

 

VTM

 

Voltaje pico en estado de conducción

 

El valor de la presión de escape de la unidad de ensayo de la unidad de ensayo de ensayo de la unidad de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ens

30μs≤tq≤45µs

 

25

 

 

2.60

V:

46μs≤tq≤70µs

 

 

2.00

V:

71μs≤tq≤100µs

 

 

1.80

V:

dv/dt

Tasa crítica de aumento de la tensión en estado muerto

VDM=0.67VDRM

125

 

 

1000

V/μs

di/dt

Tasa crítica de aumento de corriente en estado de conducción (No repetitiva)

VDM= 67%VDRM, hasta 4000A

Impulso de la puerta tr ≤ 0,5μs IGM= 1,5A

125

 

 

1200

A/μs

¿Qué es eso?

Cargo por recuperación

ITM=2000A, tp=4000µs, di/dt=-20A/µs, VR= 100V

125

 

2100

 

El valor de la concentración

Tq

Tiempo de apagado conmutado por circuito

ITM=2000A, tp=4000µs, VR= 100V dv/dt=30V/µs, di/dt=-20A/µs

125

30

 

100

μs

IGT

Corriente de disparo de puerta

 

El valor de la energía de la unidad de carga será igual a la unidad de carga de la unidad de carga.

 

25

40

 

450

¿Qué quieres?

Vgt.

Voltaje de disparo de puerta

0.9

 

4.5

V:

IH

Corriente de mantenimiento

20

 

1000

¿Qué quieres?

El

Corriente de retención

 

 

1500

¿Qué quieres?

VGD

Voltaje de puerta no disparado

VDM=67%VDRM

125

 

 

0.3

V:

Rth(j-c)

Resistencia térmica unión a carcasa

A 1800 seno, enfriado por ambos lados Fuerza de sujeción 70 kN

 

 

 

0.007

 

C /W

Rth(c-h)

Resistencia térmica de la caja al disipador de calor

 

 

 

0.002

El

Fuerza de Montaje

 

 

63

 

84

No

TVj

Temperatura de unión

 

 

-40

 

125

°C

TSTG

Temperatura almacenada

 

 

-40

 

140

°C

Tc y

PESO

 

 

 

1390

 

G. El

el esquema

KT84cT

 

el esquema

Y89KFG-2(1).png

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