Y76ZKD, Diodo de recuperación rápida

Número de parte Y76ZKD-ZT73cT

Brand:

TECHSEM

Spu:

Y76ZKD-ZT73cT

Appurtenance:

Folleto del producto:DESCARGAR

Yo _T(AV)

2570A. El

v _RRM

22Las demás 2500V

2800V 3000V

Características

Aplicaciones típicas

El símbolo	Características	Condiciones de ensayo		Tj(℃)	valor			unidad
El símbolo	Características	Condiciones de ensayo		Tj(℃)	mín	Tipo	máx	unidad
IF(AV)	Corriente media directa	180° con una frecuencia de onda senoidal media de 50 Hz, doble lado enfriado,	TC=85°C	150			2570	A. El
VIRM	Voltado inverso de pico repetitivo	tp=10ms		150	2100		3000	v
MIRR	Corriente pico repetitiva	en VRRM		150			200	El número de
El IFSM	Corriente de avance de sobretensión	10ms media onda sinusoidal VR=0.6VRRM		150			23	KA
El 1 de enero	I2t para coordinación de fusibles	10ms media onda sinusoidal VR=0.6VRRM		150			2645	A2s*103
VFO	Voltaje de umbral			150			1.20	v
rF	Resistencia de pendiente directa			150			0.21	mΩ
VFM	Voltaje directo pico	IFM=3000A, F=35kN		150			1.90	v
MIR	Corriente de recuperación inversa	El valor de la corriente de corriente de la unidad de carga de la unidad de corriente de corriente de la unidad de corriente de corriente de la unidad de corriente de corriente de la unidad de corriente de corriente de la unidad de corriente de corriente de la unidad de corriente de corriente de la un		150		300		A. El
trr	Tiempo de recuperación inversa					5		μs
¿Qué es eso?	Cargo por recuperación					750		El valor de la concentración
Rth(j-c)	Resistencia térmica unión a carcasa	Enfriado por ambos lados Fuerza de sujeción 40kN					0.010	°C/W
Rth(c-h)	Resistencia térmica de la caja al disipador de calor	Enfriado por ambos lados Fuerza de sujeción 40kN					0.003	°C/W
- ¿ Qué?	Fuerza de Montaje				35		47	kN
TVj	Temperatura de unión				-40		150	。C
TSTG	Temperatura almacenada				-40		160	℃
El	Peso					1100		G. El
Esquema	El ZT73cT