Número de parte Y70KFE-KT60cT
Folleto del producto:DESCARGAR
Yo T(AV) |
2500A. El |
v DRM |
800V~ 20Las demás |
v RRM |
1000V~ 18Las demás |
t ¿Qué es? |
15~75µs |
Características
Aplicaciones típicas
|
El símbolo |
Características |
Condiciones de ensayo |
Tj(℃ ) |
valor |
unidad |
|||
mín |
Tipo |
máx |
||||||
IT(AV) |
Corriente media en estado de conducción |
180° medio onda senoidal 50Hz doble lado enfriado |
TC=55 ℃ |
125 |
|
|
2500 |
A. El |
VDRM |
Voltado máximo de apagado repetitivo |
tp=10ms |
125 |
800 |
|
2000 |
v |
|
VIRM |
Voltado inverso de pico repetitivo |
1000 |
|
1800 |
v |
|||
No puedo no puedo |
Corriente pico repetitiva |
en VDRM en VRRM |
125 |
|
|
200 |
El número de |
|
ITSM |
Corriente de sobrecarga en estado de conducción |
10ms media onda sinusoidal VR=0.6VRRM |
125 |
|
|
29 |
KA |
|
El 1 de enero |
I2t para coordinación de fusibles |
|
|
4205 |
103A2s |
|||
VTO |
Voltaje de umbral |
|
125 |
|
|
1.10 |
v |
|
rT |
Resistencia de pendiente en estado de conducción |
|
|
0.13 |
MΩ |
|||
|
VTM |
Voltaje pico en estado de conducción |
ITM=4000A, F=32kN |
15≤tq≤28 |
25 |
|
|
2.20 |
v |
29≤tq≤50 |
|
|
2.00 |
v |
||||
51≤tq≤75 |
|
|
1.80 |
v |
||||
dv/dt |
Tasa crítica de aumento de la tensión en estado muerto |
VDM=0.67VDRM |
125 |
|
|
1000 |
V/μs |
|
di/dt |
Tasa crítica de aumento de corriente en estado de conducción (No repetitiva) |
VDM= 67% de VDRM, Impulso de la puerta tr ≤ 0,5μs IGM= 1,5A |
125 |
|
|
1500 |
A/μs |
|
¿Qué es eso? |
Cargo por recuperación |
ITM=2000A, tp=4000μs, di/dt=-20A/μs, VR= 100V |
125 |
|
750 |
|
El valor de la concentración |
|
Tq |
Tiempo de apagado conmutado por circuito |
ITM=2000A, tp=4000μs, VR= 100V dv/dt=30V/μs, di/dt=-20A/μs |
125 |
15 |
|
75 |
μs |
|
IGT |
Corriente de disparo de puerta |
El valor de la energía de la unidad de carga será igual a la unidad de carga de la unidad de carga. |
25 |
40 |
|
250 |
El número de |
|
Vgt. |
Voltaje de disparo de puerta |
0.9 |
|
2.5 |
v |
|||
IH |
Corriente de mantenimiento |
20 |
|
1000 |
El número de |
|||
El |
Corriente de retención |
|
|
1000 |
El número de |
|||
VGD |
Voltaje de puerta no disparado |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
0.3 |
v |
|
Rth(j-c) |
Resistencia térmica unión a carcasa |
A 180 ° seno, enfriado por ambos lados Fuerza de sujeción 32kN |
|
|
|
0.012 |
。C /W |
|
Rth(c-h) |
Resistencia térmica de la caja al disipador |
|
|
|
0.003 |
|||
- ¿ Qué? |
Fuerza de Montaje |
|
|
30 |
|
40 |
kN |
|
TVj |
Temperatura de unión |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
|
TSTG |
Temperatura almacenada |
|
|
-40 |
|
130 |
℃ |
|
El |
Peso |
|
|
|
880 |
|
G. El |
|
Esquema |
KT60cT |
|||||||
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