Número de parte Y70KFE-KT60cT
folleto del producto:Descargar
- ¿ Qué?T(AV) | 2500A |
V:el | 800V~20Las demás |
V:RRM | 1000V~18Las demás |
TQ: el | 15~75µs |
Características
aplicaciones típicas
El símbolo |
características |
Condiciones de ensayo | Tj(℃) | valor de las |
Unidad | |||
el tiempo | Tipo de producto | El máximo | ||||||
IT(AV) | Corriente media en estado de conducción | 180¿ Qué?medio onda senoidal 50Hz doble lado enfriado | TC=55°C | 125 |
|
| 2500 | A |
VDRM | Voltado máximo de apagado repetitivo | tp=10ms |
125 | 800 |
| 2000 | V: | |
VIRM | Voltado inverso de pico repetitivo | 1000 |
| 1800 | V: | |||
No puedo no puedo | Corriente pico repetitiva | en VDRM en VRRM | 125 |
|
| 200 | ¿Qué quieres? | |
ITSM | Corriente de sobrecarga en estado de conducción | 10ms media onda sinusoidal VR=0.6VRRM |
125 |
|
| 29 | el | |
El 1 de enero | I2t para coordinación de fusibles |
|
| 4205 | 103A2s | |||
VTO | Voltaje de umbral |
|
125 |
|
| 1.10 | V: | |
Rt | Resistencia de pendiente en estado de conducción |
|
| 0.13 | MΩ | |||
VTM |
Voltaje pico en estado de conducción |
ITM=4000A, F=32kN | 15≤tq≤28 |
25 |
|
| 2.20 | V: |
29≤tq≤50 |
|
| 2.00 | V: | ||||
51≤tq≤75 |
|
| 1.80 | V: | ||||
dv/dt | Tasa crítica de aumento de la tensión en estado muerto | VDM=0.67VDRM | 125 |
|
| 1000 | V/μs | |
di/dt | Tasa crítica de aumento de corriente en estado de conducción (No repetitiva) | VDM= 67% de VDRM, Pulso de puerta tr ≤0.5μs IGM= 1.5A | 125 |
|
| 1500 | A/μs | |
¿Qué es eso? | Cargo por recuperación | ITM=2000A, tp=4000μs, di/dt=-20A/μs, VR= 100V | 125 |
| 750 |
| El valor de la concentración | |
Tq | Tiempo de apagado conmutado por circuito | ITM=2000A, tp=4000μs, VR= 100V dv/dt=30V/μs, di/dt=-20A/μs | 125 | 15 |
| 75 | μs | |
IGT | Corriente de disparo de puerta |
El valor de la energía de la unidad de carga será igual a la unidad de carga de la unidad de carga. |
25 | 40 |
| 250 | ¿Qué quieres? | |
Vgt. | Voltaje de disparo de puerta | 0.9 |
| 2.5 | V: | |||
IH | Corriente de mantenimiento | 20 |
| 1000 | ¿Qué quieres? | |||
El | Corriente de retención |
|
| 1000 | ¿Qué quieres? | |||
VGD | Voltaje de puerta no disparado | VDM=67%VDRM | 125 |
|
| 0.3 | V: | |
Rth(j-c) | Resistencia térmica unión a carcasa | A 180¿ Qué?seno, enfriado por ambos lados Fuerza de sujeción 32kN |
|
|
| 0.012 |
。C /W | |
Rth(c-h) | Resistencia térmica de la caja al disipador |
|
|
| 0.003 | |||
El | Fuerza de Montaje |
|
| 30 |
| 40 | No | |
TVj | Temperatura de unión |
|
| -40 |
| 125 | °C | |
TSTG | Temperatura almacenada |
|
| -40 |
| 130 | °C | |
Tc y | PESO |
|
|
| 880 |
| G. El | |
el esquema | KT60cT | |||||||
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