Diodo de recuperación rápida

El símbolo

características

Condiciones de ensayo

Tj(°C)

valor de las

Unidad

el tiempo

Tipo de producto

El máximo

IF(AV)

Corriente media directa

180¿ Qué?con una frecuencia de onda senoidal media de 50 Hz, doble lado enfriado,

TC=85。C) El

150

1508

A

VIRM

Voltado inverso de pico repetitivo

tp=10ms

150

2100

3000

V:

MIRR

Corriente pico repetitiva

en VRRM

150

145

¿Qué quieres?

El IFSM

Corriente de avance de sobretensión

10ms media onda sinusoidal VR=0.6VRRM

150

20

el

El 1 de enero

I2t para coordinación de fusibles

2000

A2s*103

VFO

Voltaje de umbral

150

1.58

V:

rf

Resistencia de pendiente directa

0.30

mΩ

VFM

Voltaje directo pico

ITM=2000A, F=28kN

25

2.80

V:

MIR

Corriente de recuperación inversa

El valor de la potencia de la corriente de corriente de un dispositivo de control de tensión de un conductor de corriente de corriente de un dispositivo de control de tensión de un dispositivo de corriente de corriente de un dispositivo de control de tensión de un dispositivo de corriente de corriente de corriente de un dispositivo de control de corriente de corriente

150

200

A

trr

Tiempo de recuperación inversa

8

μs

¿Qué es eso?

Cargo por recuperación

800

1010

El valor de la concentración

Rth(j-c)

Resistencia térmica unión a carcasa

A 180¿ Qué?seno, enfriado por ambos lados Fuerza de sujeción 28kN

0.016

°C/W

Rth(c-h)

Resistencia térmica de la caja al disipador de calor

0.004

El

Fuerza de Montaje

21

30

No

TVj

Temperatura de unión

-40

150

°C

TSTG

Temperatura almacenada

-40

160

°C

Tc y

PESO

640

G. El

el esquema

ZT54cT