Diodo de recuperación rápida

- ¿ Qué?_T(AV)

1800a)

V:_RRM

8Las demás- ¿ Qué?1000V

1200V  1400V

El símbolo

características

Condiciones de ensayo

Tj(°C)

valor de las

Unidad

el tiempo

Tipo de producto

El máximo

IF(AV)

Corriente media directa

180。con una frecuencia de onda senoidal media de 50 Hz, doble lado enfriado,

Tsink=55°C

125

1800

A

MIRR

Corriente pico repetitiva

en VRRM

125

100

¿Qué quieres?

El IFSM

Corriente de avance de sobretensión

10ms media onda sinusoidal VR=0.6VRRM

125

25

el

El 1 de enero

I2t para coordinación de fusibles

3125

A²s*10³

VFO

Voltaje de umbral

125

1.150

V:

rf

Resistencia de pendiente directa

0.138

mΩ

VFM

Voltaje directo pico

@ IFM=3000A

F=24kN

25

1.70

V:

@ IFM=4500A

125

1.77

VFRM

Voltaje máximo de recuperación directa

Di/dt=1000A/μs

125

14

V:

25

10

V:

MIR

Corriente de recuperación inversa

IFM=1000A, tp=4000µs, -di/dt=60A/µs, VR=50V

125

50

A

trr

Tiempo de recuperación inversa

3.0

μs

¿Qué es eso?

Cargo por recuperación

150

El valor de la concentración

Rth(j-c)

Resistencia térmica unión a carcasa

A 180¿ Qué?fuerza de sujeción sinusoidal, doble lado enfriado 24kN

0.021

°C /W

Rth(c-h)

Resistencia térmica de la caja al disipador de calor

0.005

El

Fuerza de Montaje

19

26

No

¿Qué es eso?

rango de temperatura de funcionamiento

-40

125

°C

TSTG

Temperatura almacenada

-40

150

°C

Tc y

PESO

440

G. El

el esquema

El número de unidades de producción