Y50ZYB, Diodo de Recuperación Suave

Yo _T(AV)

1800A

v _RRM

8Las demás 1000V

1200V 1400V

El símbolo

Características

Condiciones de ensayo

Tj( ℃ )

valor

unidad

mín

Tipo

máx

IF(AV)

Corriente media directa

180。con una frecuencia de onda senoidal media de 50 Hz, doble lado enfriado,

Tsink=55 ℃

125

1800

A. El

MIRR

Corriente pico repetitiva

en VRRM

125

100

El número de

El IFSM

Corriente de avance de sobretensión

10ms media onda sinusoidal VR=0.6VRRM

125

25

KA

El 1 de enero

I2t para coordinación de fusibles

3125

A. El ²s*10 ³

VFO

Voltaje de umbral

125

1.150

v

rF

Resistencia de pendiente directa

0.138

mΩ

VFM

Voltaje directo pico

@ IFM=3000A

F=24kN

25

1.70

v

@ IFM=4500A

125

1.77

VFRM

Voltaje máximo de recuperación directa

Di/dt=1000A/μs

125

14

v

25

10

v

MIR

Corriente de recuperación inversa

IFM=1000A, tp=4000µs, -di/dt=60A/µs, VR=50V

125

50

A. El

trr

Tiempo de recuperación inversa

3.0

μs

¿Qué es eso?

Cargo por recuperación

150

El valor de la concentración

Rth(j-c)

Resistencia térmica unión a carcasa

A 180 ° fuerza de sujeción sinusoidal, doble lado enfriado 24kN

0.021

℃ /W

Rth(c-h)

Resistencia térmica de la caja al disipador de calor

0.005

- ¿ Qué?

Fuerza de Montaje

19

26

kN

¿Qué es eso?

Rango de temperatura de operación

-40

125

℃

TSTG

Temperatura almacenada

-40

150

℃

El

Peso

440

G. El

Esquema

El número de unidades de producción