Diodo de recuperación rápida

- ¿ Qué?_T(AV)

538A

V:_RRM

40Las demás- ¿ Qué?4200V

Las demás

El símbolo

características

Condiciones de ensayo

Tj(°C)

valor de las

Unidad

el tiempo

Tipo de producto

El máximo

IF(AV)

Corriente media directa

180¿ Qué?con una frecuencia de onda senoidal media de 50 Hz, doble lado enfriado,

TC=85°C

538

A

VIRM

Voltado inverso de pico repetitivo

tp=10ms

150

4000

5000

V:

MIRR

Corriente pico repetitiva

en VRRM

150

50

¿Qué quieres?

El IFSM

Corriente de avance de sobretensión

10ms media onda sinusoidal VR=0.6VRRM

150

7.5

el

El 1 de enero

I2t para coordinación de fusibles

281

A2s*103

VFO

Voltaje de umbral

150

1.89

V:

rf

Resistencia de pendiente directa

1.18

mΩ

VFM

Voltaje directo pico

El valor de la presión de escape de la unidad de ensayo de la unidad de ensayo de ensayo de la unidad de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ens

25

3.80

V:

MIR

Corriente de recuperación inversa

El valor de la potencia de la corriente de corriente de un dispositivo de control de tensión de un conductor de corriente de corriente de un dispositivo de control de tensión de un dispositivo de corriente de corriente de un dispositivo de control de tensión de un dispositivo de corriente de corriente de corriente de un dispositivo de control de corriente de corriente

150

240

A

trr

Tiempo de recuperación inversa

10

μs

¿Qué es eso?

Cargo por recuperación

720

900

El valor de la concentración

Rth(j-c)

Resistencia térmica unión a carcasa

A 180¿ Qué?seno, enfriado por ambos lados Fuerza de sujeción 15kN

0.035

°C /W

Rth(c-h)

Resistencia térmica de la caja al disipador de calor

0.008

El

Fuerza de Montaje

10

20

No

TVj

Temperatura de unión

-40

150

°C

TSTG

Temperatura almacenada

-40

160

°C

Tc y

PESO

250

G. El

el esquema

ZT33cT