Diodo de recuperación rápida

- ¿ Qué?_T(AV)

197A

V:_RRM

40Las demás- ¿ Qué?4200V

Las demás

El símbolo

características

Condiciones de ensayo

Tj(°C)

valor de las

Unidad

el tiempo

Tipo de producto

El máximo

IF(AV)

Corriente media directa

180¿ Qué?con una frecuencia de onda senoidal media de 50 Hz, doble lado enfriado,

TC=85°C

150

197

A

VIRM

Voltado inverso de pico repetitivo

tp=10ms

150

4000

5000

V:

MIRR

Corriente pico repetitiva

a V_RRM

150

25

¿Qué quieres?

El IFSM

Corriente de avance de sobretensión

10 ms media onda senoidal VR=0,6V_RRM

150

2.7

el

El 1 de enero

I2t para coordinación de fusibles

36.5

A²s*10³

VFO

Voltaje de umbral

150

1.95

V:

rf

Resistencia a la pendiente directa

4.50

mΩ

VFM

Voltaje directo pico

ITM=300A, F=5.0kN

25

3.80

V:

MIR

Corriente de recuperación inversa

El valor de la potencia de la corriente de corriente de un dispositivo de control de tensión de un conductor de corriente de corriente de un dispositivo de control de tensión de un dispositivo de corriente de corriente de un dispositivo de control de tensión de un dispositivo de corriente de corriente de corriente de un dispositivo de control de corriente de corriente

150

40

A

trr

Tiempo de recuperación inversa

10

μs

¿Qué es eso?

Cargo por recuperación

80

100

El valor de la concentración

Rth(j-c)

Resistencia térmica unión a carcasa

A 180¿ Qué?seno, enfriado por ambos lados Fuerza de sujeción 5.0kN

0.080

°C /W

Rth(c-h)

Resistencia térmica de la caja al disipador de calor

0.020

El

Fuerza de Montaje

3.3

5.5

No

TVj

Temperatura de unión

-40

150

°C

TSTG

Temperatura almacenada

-40

160

°C

Tc y

PESO

60

G. El

el esquema

ZT19aT