Número de parte Y100KFG-KT100c(d)T
folleto del producto:Descargar
- ¿ Qué?T(AV) | 4890A |
V:el | 2000V~30Las demás |
V:RRM | 1000V~25Las demás |
TQ: el | 25~100µs |
Características
aplicaciones típicas
El símbolo |
características |
Condiciones de ensayo | Tj(℃) | valor de las |
Unidad | ||||
el tiempo | Tipo de producto | El máximo | |||||||
IT(AV) | Corriente media en estado de conducción | 180。medio onda senoidal 50Hz doble lado enfriado | TC=55℃ | 125 |
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| 4890 | A | |
No puedo no puedo | Corriente pico repetitiva | en VDRM tp= 10ms en VRRM tp= 10ms | 125 |
|
| 250 | ¿Qué quieres? | ||
ITSM | Corriente de sobrecarga en estado de conducción | 10ms media onda sinusoidal VR=0.6VRRM |
125 |
|
| 63 | el | ||
El 1 de enero | I2t para coordinación de fusibles |
|
| 19845 | 103A2s | ||||
VTO | Voltaje de umbral |
|
125 |
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| 1.30 | V: | ||
Rt | Resistencia de pendiente en estado de conducción |
|
| 0.13 | MΩ | ||||
VTM |
Voltaje pico en estado de conducción |
ITM=5000A, F=90kN | 25μs≤tq≤45μs |
25 |
|
| 2.50 | V: | |
46μs≤tq≤75μs |
|
| 1.80 | V: | |||||
76μs≤tq≤100μs |
|
| 1.60 | V: | |||||
dv/dt | Tasa crítica de aumento de la tensión en estado muerto | VDM=0.67VDRM | 125 |
|
| 1000 | V/μs | ||
di/dt | Tasa crítica de aumento de corriente en estado de conducción (No repetitiva) | VDM= 67% de VDRM, Impulso de la puerta tr ≤ 0,5μs IGM= 1,5A | 125 |
|
| 1200 | A/μs | ||
¿Qué es eso? | Cargo por recuperación | ITM=2000A, tp=4000μs, di/dt=-20A/μs, VR= 100V | 125 |
| 2100 |
| El valor de la concentración | ||
Tq | Tiempo de apagado conmutado por circuito | ITM=2000A, tp=4000μs, VR= 100V dv/dt=30V/μs, di/dt=-20A/μs | 125 | 25 |
| 100 | μs | ||
IGT | Corriente de disparo de puerta |
El valor de la energía de la unidad de carga será igual a la unidad de carga de la unidad de carga. |
25 | 40 |
| 250 | ¿Qué quieres? | ||
Vgt. | Voltaje de disparo de puerta | 0.9 |
| 2.5 | V: | ||||
IH | Corriente de mantenimiento | 20 |
| 1000 | ¿Qué quieres? | ||||
El | Corriente de retención |
|
| 1500 | ¿Qué quieres? | ||||
VGD | Voltaje de puerta no disparado | VDM=67%VDRM | 125 |
|
| 0.3 | V: | ||
Rth(j-c) | Resistencia térmica unión a carcasa | A 180¿ Qué?seno, enfriado por ambos lados Fuerza de sujeción 90kN |
|
|
| 0.0050 |
。C /W | ||
Rth(c-h) | Resistencia térmica de la caja al disipador |
|
|
| 0.0015 | ||||
El | Fuerza de Montaje |
|
| 81 |
| 108 | No | ||
TVj | Temperatura de unión |
|
| -40 |
| 125 | °C | ||
TSTG | Temperatura almacenada |
|
| -40 |
| 140 | °C | ||
Tc y | PESO |
|
|
| 2000/ 2500 |
| G. El | ||
el esquema | KT100cT/ KT100dT | ||||||||
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