TG1400HF17H1-S300, Módulo IGBT, IGBT de medio puente, CRRC

Módulo IGBT 1700V

TG1400HF17H1-S300,Módulo IGBT,IGBT de medio puente,CRRC

1400A 1700V

Brand:

El CRRC

Spu:

El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las

Introducción
Esquema

Introducción

Breve introducción

Modulo IGBT ,IGBT de medio puente, producido por CRRC. 1700V 1400A.

Parámetros clave

v El CES	1700 v
v CE (sat) Es el tipo.	2.0 v
Yo C Máx.	1400 A. El
Yo C(RM) Máx.	2800 A. El

Aplicaciones típicas

Motor Conduce
alto Convertidores de potencia
Aerogeneradores

Características

Cu Baseplate

Sustratos de Al2O3
Capacidad de ciclo térmico elevada
10 μs Resistir a cortocircuito

Clasificaciones máximas absolutas

El símbolo	Parámetro	Condiciones de ensayo	valor	unidad
VCES	Voltagem del colector-emittente	VGE = 0V, TC = 25 °C	1700	v
VGES	Voltagem del emisor de la puerta	TC= 25 °C	± 20	v
CI	Corriente colector-emitente	TC = 65 °C	1400	A. El
IC ((PK)	集电极峰值电流 Corriente máxima del colector	TP=1 ms	2800	A. El
Pmax	Disposición máxima de energía del transistor	La temperatura de los gases de efecto invernadero se calculará en función de la temperatura de los gases de efecto invernadero.	6.25	kw
El 1 de enero	Diodo I2t	La temperatura de la corriente de aire de la unidad de ensayo de la unidad de ensayo de ensayo de la unidad de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de	145	KA2s
El visol	Voltado de aislamiento por módulo	Terminales comunes a la placa base), AC RMS,1 min, 50Hz, TC= 25 °C	4000	v

Características Eléctricas

El símbolo	Parámetro	Condiciones de ensayo			Mín.	Es el tipo.	Máx.	unidad
El CIEM	Corriente de corte del colector	VGE = 0V,VCE = VCES					1	El número de
		VGE = 0V, VCE = VCES, TC=125 °C					20	El número de
		VGE = 0V, VCE = VCES, TC=150 °C					30	El número de
El IGES	Corriente de fuga de la puerta	VGE = ±20V, VCE = 0V					0.5	MA
VGE (TH)	Voltagem de umbral de la puerta	IC = 30mA, VGE = VCE			5.00	6.00	7.00	v
VCE (sat) ((*1)	Saturación del colector-emittente Voltaje	VGE =15V, IC = 1400A				2.00	2.40	v
		VGE =15V, IC = 1400A, Tvj = 125 °C				2.45	2.70	v
		VGE =15V, IC = 1400A, Tvj = 150 °C				2.55	2.80	v
IF	Corriente de diodo hacia adelante	CC				1400		A. El
El número de personas	Corriente de pico directa del diodo	TP = 1 ms				2800		A. El
VF(*1)	Voltado del diodo hacia adelante	IF = 1400A, VGE = 0				1.80	2.20	v
		IF = 1400A, VGE = 0, Tvj = 125 °C				1.95	2.30	v
		IF = 1400A, VGE = 0, Tvj = 150 °C				2.00	2.40	v
ISC	Corriente de cortocircuito	Tvj = 150°C, VCC = 1000V, VGE ≤15V, tp ≤10μs, VCE (max) = VCES L (max) *2) ×di/dt, CEI 6074-9				5400		A. El
Las	capacidad de entrada Capacidad de entrada		VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz			113		NF (número de trabajo)
El número de	Cargo por puerta		± 15 V			11.7		El valor de la concentración
El Cres	Capacidad de transferencia inversa		VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz			3.1		NF (número de trabajo)
LM	Inductancia del módulo					10		nH
RINT	Resistencia interna del transistor					0.2		MΩ
El número de teléfono	Tiempo de retraso de apagado		IC =1400A, VCE = 900V, VGE = ±15V, RG(OFF) = 1.8Ω , LS = 20nH, dv/dt =3000V/us (Tvj= 150 °C).	Tvj= 25 °C		1520		El Consejo
				Tvj= 125 °C		1580
				Tvj= 150 °C		1600
TF	¿Qué pasa? Tiempo de caída			Tvj= 25 °C		460		El Consejo
				Tvj= 125 °C		610
				Tvj= 150 °C		650
El número de personas	Pérdida de energía de apagado			Tvj= 25 °C		460		mJ
				Tvj= 125 °C		540
				Tvj= 150 °C		560
En el momento en que se inicia	Tiempo de retraso de encendido		IC =1400A, VCE = 900V, VGE = ±15V, RG(ON) = 1.2Ω , LS = 20nH, di/dt = 10000A/us (Tvj= 150 °C).	Tvj= 25 °C		400		El Consejo
				Tvj= 125 °C		370
				Tvj= 150 °C		360
tr	Tiempo de ascenso			Tvj= 25 °C		112		El Consejo
				Tvj= 125 °C		120
				Tvj= 150 °C		128
El EON	Pérdida de energía por encendido			Tvj= 25 °C		480		mJ
				Tvj= 125 °C		580
				Tvj= 150 °C		630
¿Qué es eso?	Diodo inverso Cargo por recuperación		IF =1400A, VCE = 900V, - diF/dt = 10000A/us (Tvj= 150 °C).	Tvj= 25 °C		315		El valor de la concentración
				Tvj= 125 °C		440
				Tvj= 150 °C		495
No	Diodo inverso corriente de recuperación			Tvj= 25 °C		790		A. El
				Tvj= 125 °C		840
				Tvj= 150 °C		870
El Erec	Diodo inverso energía de recuperación			Tvj= 25 °C		190		mJ
				Tvj= 125 °C		270
				Tvj= 150 °C		290