Módulo IGBT,1400A 1700V
parámetros clave
V:El CES |
1700 V: |
V:CE (sat) - ¿ Qué?Es el tipo. |
2.0 V: |
- ¿ Qué?C. El - ¿ Qué?- ¿Qué quieres decir? |
1400 A |
- ¿ Qué?C(RM) - ¿ Qué?- ¿Qué quieres decir? |
2800 A |
aplicaciones típicas
características
Base de Cu
Clasificaciones máximas absolutas
El símbolo |
Parámetro |
Condiciones de ensayo |
valor de las |
Unidad |
VCES |
Voltagem del colector-emittente |
VGE = 0V, TC = 25 °C |
1700 |
V: |
VGES |
Voltagem del emisor de la puerta |
TC= 25 °C |
± 20 |
V: |
el |
Corriente colector-emitente |
TC = 65 °C |
1400 |
A |
IC ((PK) |
集电极峰值电流 Corriente máxima del colector |
TP=1 ms |
2800 |
A |
Pmax |
Disposición máxima de energía del transistor |
La temperatura de los gases de efecto invernadero se calculará en función de la temperatura de los gases de efecto invernadero. |
6.25 |
El |
El 1 de enero |
Diodo I2t |
La temperatura de la corriente de aire de la unidad de ensayo de la unidad de ensayo de ensayo de la unidad de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de |
145 |
KA2s |
El visol |
Voltado de aislamiento por módulo |
Terminales comunes a la placa base), AC RMS,1 min, 50Hz, TC= 25 °C |
4000 |
V: |
características eléctricas
El símbolo |
Parámetro |
Condiciones de ensayo |
el tiempo de espera. |
Typ. |
- ¿Qué quieres decir? |
Unidad |
||
El CIEM |
Corriente de corte del colector |
VGE = 0V,VCE = VCES |
|
|
1 |
¿Qué quieres? |
||
El valor de la presión de escape de la corriente de aire de la unidad de ensayo de la unidad de ensayo de ensayo de la unidad de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ens |
|
|
20 |
¿Qué quieres? |
||||
El valor de la presión de escape de la corriente de aire de la unidad de ensayo de la unidad de ensayo de ensayo de la unidad de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ens |
|
|
30 |
¿Qué quieres? |
||||
El IGES |
Corriente de fuga de la puerta |
VGE = ±20V, VCE = 0V |
|
|
0.5 |
MA |
||
VGE (TH) |
Voltagem de umbral de la puerta |
IC = 30mA, VGE = VCE |
5.00 |
6.00 |
7.00 |
V: |
||
VCE (sat) ((*1) |
Saturación del colector-emittente tensión |
VGE =15V, IC = 1400A |
|
2.00 |
2.40 |
V: |
||
VGE =15V, IC = 1400A, Tvj = 125 °C |
|
2.45 |
2.70 |
V: |
||||
VGE =15V, IC = 1400A, Tvj = 150 °C |
|
2.55 |
2.80 |
V: |
||||
si |
Corriente de diodo hacia adelante |
Dc |
|
1400 |
|
A |
||
El número de personas |
Corriente de pico directa del diodo |
TP = 1 ms |
|
2800 |
|
A |
||
VF(*1) |
Voltado del diodo hacia adelante |
IF = 1400A, VGE = 0 |
|
1.80 |
2.20 |
V: |
||
IF = 1400A, VGE = 0, Tvj = 125 °C |
|
1.95 |
2.30 |
V: |
||||
IF = 1400A, VGE = 0, Tvj = 150 °C |
|
2.00 |
2.40 |
V: |
||||
Es decir |
corriente de cortocircuito |
Tvj = 150°C, VCC = 1000V, VGE ≤15V, tp ≤10μs, VCE (max) = VCES L (max) *2) ×di/dt, CEI 6074-9 |
|
5400 |
|
A |
||
Las |
capacidad de entrada Capacidad de entrada |
VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz |
|
113 |
|
NF (número de trabajo) |
||
El número de |
Cargo por puerta |
± 15 V |
|
11.7 |
|
El valor de la concentración |
||
El Cres |
Capacidad de transferencia inversa |
VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz |
|
3.1 |
|
NF (número de trabajo) |
||
Yo también. |
Inductancia del módulo |
|
|
10 |
|
¿Qué es? |
||
RINT |
Resistencia interna del transistor |
|
|
0.2 |
|
MΩ |
||
El número de teléfono |
Tiempo de retraso de apagado |
IC =1400A, VCE = 900V, VGE = ±15V, RG(OFF) = 1.8Ω , LS = 20nH, dv/dt =3000V/us (Tvj= 150 °C). |
Tvj= 25 °C |
|
1520 |
|
El Consejo |
|
Tvj= 125 °C |
|
1580 |
|
|||||
Tvj= 150 °C |
|
1600 |
|
|||||
Tf |
¿Qué pasa?Tiempo de caída |
Tvj= 25 °C |
|
460 |
|
El Consejo |
||
Tvj= 125 °C |
|
610 |
|
|||||
Tvj= 150 °C |
|
650 |
|
|||||
El número de personas |
Pérdida de energía de apagado |
Tvj= 25 °C |
|
460 |
|
El |
||
Tvj= 125 °C |
|
540 |
|
|||||
Tvj= 150 °C |
|
560 |
|
|||||
En el momento en que se inicia |
Tiempo de retraso de encendido |
IC =1400A, VCE = 900V, VGE = ±15V, RG(ON) = 1.2Ω , LS = 20nH, di/dt = 10000A/us (Tvj= 150 °C). |
Tvj= 25 °C |
|
400 |
|
El Consejo |
|
Tvj= 125 °C |
|
370 |
|
|||||
Tvj= 150 °C |
|
360 |
|
|||||
tr |
Tiempo de ascenso |
Tvj= 25 °C |
|
112 |
|
El Consejo |
||
Tvj= 125 °C |
|
120 |
|
|||||
Tvj= 150 °C |
|
128 |
|
|||||
El EON |
Pérdida de energía por encendido |
Tvj= 25 °C |
|
480 |
|
El |
||
Tvj= 125 °C |
|
580 |
|
|||||
Tvj= 150 °C |
|
630 |
|
|||||
¿Qué es eso? |
Diodo inverso Cargo por recuperación |
IF =1400A, VCE = 900V, - diF/dt = 10000A/us (Tvj= 150 °C). |
Tvj= 25 °C |
|
315 |
|
El valor de la concentración |
|
Tvj= 125 °C |
|
440 |
|
|||||
Tvj= 150 °C |
|
495 |
|
|||||
No |
Diodo inverso corriente de recuperación |
Tvj= 25 °C |
|
790 |
|
A |
||
Tvj= 125 °C |
|
840 |
|
|||||
Tvj= 150 °C |
|
870 |
|
|||||
El Erec |
Diodo inverso energía de recuperación |
Tvj= 25 °C |
|
190 |
|
El |
||
Tvj= 125 °C |
|
270 |
|
|||||
Tvj= 150 °C |
|
290 |
|
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