Módulo IGBT de Interruptor Único, YMIF750-65_CRRC

Módulo IGBT 6500V

El módulo IGBT de interruptor único,YMIF750-65_CRRC

6500V 750A

Brand:

El CRRC

Spu:

YMIF750-65 /TIM750ASM65-PSA011

Introducción
el esquema

Introducción

IGBT de Interruptor Único, 6500V/750A

parámetros clave

VCES	6500 V
VCE(sat) Típ.	3.0 V
IC Máx.	750 A
IC(RM) Máx.	1500 A

aplicaciones típicas

Las unidades de tracción
Controladores de motor
Red Inteligente
Invertidor de alta fiabilidad

Características

Base de AISiC
Substratos de AIN
Capacidad de ciclo térmico elevada
10 μs Resistir a cortocircuito

El valor máximo absoluto El precioLos

El símbolo	Parámetro	Condiciones de ensayo	valor de las	Unidad
V:_{El CES}	Voltagem del colector-emittente	VGE = 0V, TC = 25 °C	6500	V:
V:_{El GES}	Voltagem del emisor de la puerta	TC= 25 °C	± 20	V:
- ¿ Qué?_{C) El}	Corriente colector-emitente	TC = 80 °C	750	A
- ¿ Qué?_C(PK)	Corriente máxima del colector	TP=1 ms	1500	A
P_{El máximo}	Disposición máxima de energía del transistor	La temperatura de los gases de efecto invernadero se calculará en función de la temperatura de los gases de efecto invernadero.	11.7	El
- ¿ Qué?²T	Diodo I2t	La temperatura de la corriente de aire de la unidad de ensayo de la unidad de ensayo de ensayo de la unidad de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de	460	KA2s
V:_sólo	Voltado de aislamiento por módulo	(Terminales comunes a la placa base), AC RMS, 1 min, 50Hz, TC= 25 °C	10.2	El
Q: el_PD	Descarga parcial - por módulo	El número de unidades de producción V1 = 6900V, V2 = 5100V, 50Hz RMS	10	el

Datos térmicos y mecánicos

El símbolo	explicación	valor de las	Unidad
Distancia de creepage	Terminal para el sumidero	56.0	En el caso de los
Distancia de creepage	Terminal a terminal	56.0	En el caso de los
Autorización	Terminal para el sumidero	26.0	En el caso de los
Autorización	Terminal a terminal	26.0	En el caso de los
CTI (Índice de seguimiento comparativo)		>600

Rth(J-C) IGBT	Resistencia térmica - IGBT			8.5	K / kW
Rth(J-C) Diodo	Resistencia térmica - Diodo			19.0	K / kW
Rth(C-H) IGBT	Resistencia térmica - de la carcasa al disipador de calor (IGBT)	Par de montaje 5Nm, con grasa de montaje 1W/m·°C		9	K / kW
Rth(C-H) Diodo	Resistencia térmica - de la carcasa al disipador de calor (Diodo)	Par de montaje 5Nm, con grasa de montaje 1W/m·°C		18	K / kW
Tvjop	Temperatura de funcionamiento de las uniones	( IGBT )	-40	125	°c
Tvjop	Temperatura de funcionamiento de las uniones	( Diodo )	-40	125	°c
TSTG	Temperatura de almacenamiento rango de temperatura de almacenamiento		-40	125	°c
- ¿ Qué?	Par de tornillo	Montaje –M6		5	nm
		Conexiones eléctricas – M4		2	nm
		Conexiones eléctricas – M8		10	nm

características eléctricas

符号 (símbolo) Símbolo		参数名称 (nombre del elemento)Parámetro		条件 Condiciones de ensayo		El valor más bajoel tiempo de espera.	典型值 (valor típico)Es el tipo.	máximo valor- ¿Qué quieres decir?	UnidadUnidad
El CIEM		集电极截止电流 (cuadro de las corrientes eléctricas) Corriente de corte del colector		VGE = 0V,VCE = VCES				1	¿Qué quieres?
				El valor de la presión de escape de la corriente de aire de la unidad de ensayo de la unidad de ensayo de ensayo de la unidad de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ens				90	¿Qué quieres?
El IGES		极漏电流 (极 fuga de energía) Corriente de fuga de la puerta		VGE = ±20V, VCE = 0V				1	MA
VGE (TH)		Puerta-Voltaje de umbral del emisorVoltagem de umbral de la puerta		IC = 120mA, VGE = VCE		5.00	6.00	7.00	V:
VCE (sat) ((*1)		集电极-Voltaje de saturación del emisor Saturación del colector-emittente tensión		VGE =15V, IC = 750A			3.0	3.4	V:
				VGE =15V, IC = 750A, Tvj = 125 °C			3.9	4.3	V:
si		Corriente continua directa del diodoCorriente de diodo hacia adelante		Dc			750		A
El número de personas		Corriente pico repetitiva directa del diodoCorriente de diodo máxima hacia adelante		TP = 1 ms			1500		A
VF(*1)		Tensión directa del diodo Voltado del diodo hacia adelante		IF = 750A, VGE = 0			2.55	2.90	V:
				IF = 750A, VGE = 0, Tvj = 125 °C			2.90	3.30	V:
Es decir		Corriente de cortocircuito corriente de cortocircuito		Tvj = 125°C, VCC = 4500V, VGE ≤15V, tp ≤10μs, VCE (max) = VCES L (max) *2) ×di/dt, CEI 6074-9			2800		A
Las		capacidad de entrada Capacidad de entrada		VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz			123		NF (número de trabajo)
El número de		极电荷 (cuadro de las unidades de carga) Cargo por puerta		± 15 V			9.4		El valor de la concentración
El Cres		Capacidad de transmisión inversa Capacidad de transferencia inversa		VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz			2.6		NF (número de trabajo)
Yo también.		Inductancia del módulo Inductancia del módulo					10		¿Qué es?
RINT		Resistencia interna Resistencia interna del transistor					90		MΩ
Td_(apagado)	Tiempo de apagado Tiempo de retraso de apagado		IC =750A, VCE = 3600V, VGE = ±15V, RG(OFF) = 6.8Ω, CGE = 330nF, LS = 280nH,		Tvj= 25 °C		3060		El Consejo
					Tvj= 125 °C		3090
T_f	¿Qué pasa?Tiempo de caída				Tvj= 25 °C		2390		El Consejo El El Consejo El Consejo El El valor de la concentración
					Tvj= 125 °C		2980
El_apagado	Pérdida de desconexión Pérdida de energía de apagado				Tvj= 25 °C		3700
					Tvj= 125 °C		4100
Td_(encendido)	开通延迟时间 Tiempo de retraso de encendido		IC =750A, VCE = 3600V, VGE = ±15V, RG(ON) = 1.0Ω, CGE = 330nF, LS = 280nH,		Tvj= 25 °C		670
					Tvj= 125 °C		660
tr	¿Qué pasa?Tiempo de ascenso				Tvj= 25 °C		330
					Tvj= 125 °C		340
El_{En el}	Pérdida de conmutación Pérdida de energía por encendido				Tvj= 25 °C		4400
					Tvj= 125 °C		6100
¿Qué es eso?	Carga de recuperación inversa del diodoDiodo inverso Cargo por recuperación		IF =750A, VCE = 3600V, - diF/dt = 3000A/us, (Tvj= 125 °C).		Tvj= 25 °C		1300
					Tvj= 125 °C		1680
No	Corriente de recuperación inversa del diodoDiodo inverso corriente de recuperación				Tvj= 25 °C		1310		A El
					Tvj= 125 °C		1460
El Erec	Pérdida de recuperación inversa del diodoDiodo inverso energía de recuperación				Tvj= 25 °C		2900
					Tvj= 125 °C		4080