600V~1800V,406F3
Folleto del producto:DESCARGAR
Breve introducción
Módulos de diodo de recuperación rápida , MZ x40 0,Enfriamiento por Aire ,Producido por TECHSEM.
VIRM | Tipo y contorno |
600V 800V 1000V 1200V 1400V 1600V 1800V 1800V | MZx400-06-406F3 MZx400-08-406F3 MZx400-10-406F3 MZx400-12-406F3 MZx400-14-406F3 MZx400-16-406F3 MZx400-18-406F3 MZx400-18-406F3G |
Características ：
Aplicaciones típicas ：
El símbolo |
Características |
Condiciones de ensayo | Tj( ℃ ) | valor |
unidad | ||
En el minuto | Tipo | - ¿ Qué? | |||||
IF(AV) | Corriente media directa | 180° onda sinusoidal media 50Hz Enfriado por un lado,TC=60 ℃ |
150 |
|
| 400 | A. El |
IF (RMS) | Corriente directa RMS |
|
| 628 | A. El | ||
MIRR | Corriente pico repetitiva | en VRRM | 150 |
|
| 70 | El número de |
El IFSM | Corriente de avance de sobretensión | 10ms media onda sinusoidal VR=0.6VRRM |
150 |
|
| 8.30 | KA |
El 1 de enero | I2t para coordinación de fusibles |
|
| 344 | A. El 2s*103 | ||
VFO | Voltaje de umbral |
|
150 |
|
| 1.0 | v |
rF | Resistencia de pendiente directa |
|
| 0.85 | m | ||
VFM | Voltaje directo pico | IFM= 1200A | 25 |
|
| 2.1 | v |
trr | Tiempo de recuperación inversa | IFM=300A,tp=4000μs, -di/dt=20A/μs,VR=50V | 150 |
| 4.0 |
| μs |
25 |
| 2.0 |
| μs | |||
Rth(j-c) | Resistencia térmica unión a carcasa | Enfriado por un lado por chip |
|
|
| 0.130 | ℃ /W |
Rth(c-h) | Resistencia térmica de la caja al disipador | Enfriado por un lado por chip |
|
|
| 0.040 | ℃ /W |
VISO (en inglés) | Voltaje de aislamiento | 50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX) |
| 3000 |
|
| v |
- ¿ Qué? | Par de conexión del terminal (M10) |
|
| 10.0 |
| 12.0 | Nuevo Méjico |
Par de montaje (M6) |
|
| 4.5 |
| 6.0 | Nuevo Méjico | |
TVj | Temperatura de unión |
|
| -40 |
| 150 | ℃ |
TSTG | Temperatura almacenada |
|
| -40 |
| 125 | ℃ |
El | Peso |
|
|
| 1580 |
| G. El |
Esquema | 406F3 | ||||||
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