200V,235H3
Folleto del producto:DESCARGAR
Breve introducción
Qué bueno. Módulo de Diodo de Recuperación Rápida , MUR20040 ,producido por TECHSEM .
VIRM |
Tipo y contorno |
200V |
MUR20040-235H3 |
Características ：
Típico Aplicaciones ：
|
El símbolo |
Características |
Condiciones de ensayo |
Tj( ℃ ) |
valor |
unidad |
||
mín |
Tipo |
máx |
|||||
IF(AV) |
Corriente directa promedio máxima |
Enfriamiento de un solo lado, TC=100 。C Por Módulo. |
150 |
|
|
200 |
A. El |
VIRM |
Voltaje pico repetitivo |
tp=10ms |
25 |
|
|
400 |
v |
|
MIRR |
Corriente pico repetitiva |
VRM=400V |
150 |
|
|
500 |
MA |
25 |
|
|
10 |
MA |
|||
El IFSM |
Corriente de avance de sobretensión |
Por Diodo , 8.3ms media onda senoidal |
25 |
|
|
1.1 |
KA |
|
VFM |
Voltaje directo pico |
Por Diodo @IFM=100A |
125 |
|
1.1 |
1.2 |
v |
25 |
|
1.2 |
1.4 |
v |
|||
|
trr |
Tiempo de recuperación inversa |
IF=0.5A, IRM=1A, IRR=0.25A |
125 |
|
60 |
65 |
El Consejo |
25 |
|
80 |
100 |
El Consejo |
|||
CJ |
Capacitancia de unión |
VR=200V |
|
|
35 |
|
PF |
Rth(j-c) |
Resistencia térmica unión a carcasa |
Por Diodo , enfriado por un lado |
|
|
|
0.40 |
℃ /W |
TVj |
Temperatura de unión |
|
|
-55 |
|
150 |
℃ |
TSTG |
Temperatura almacenada |
|
|
-55 |
|
125 |
℃ |
|
- ¿ Qué? |
Par de conexión de terminal (M6) |
|
|
|
5.0 |
|
Nuevo Méjico |
Par de montaje (M6) |
|
|
|
5.0 |
|
Nuevo Méjico |
|
El |
Peso |
|
|
|
105 |
|
G. El |
Esquema |
235H3 |
||||||
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