MTx820,MFx820,Módulos de Tiroistro/Diodo,Enfriamiento por aire

Introducción

Breve introducción

El tiristoro Modulo de diodo , MTx 820 El número de personas 820 MT: el precio de venta 800，820A. El ,Refrigeración por aire ，Producido por TECHSEM.

VIRM ,VDRM	Tipo & Esquema
600V	MTC820-06-416F3	MFC820-06-416F3
800V	MTC820-08-416F3	MFC820-08-416F3
1000V	MTC820-10-415F3	MFC820-10-416F3
1200V	MTC820-12-416F3	MFC820-12-416F3
1400V	MTC820-14-416F3	MFC820-14-416F3
1600V	MTC820-16-416F3	MFC820-16-416F3
1800V	MTC820-18-416F3	MFC820-18-416F3
1800V	MT820-18-416F3G

Características

Base de montaje aislada 3000V~
Tecnología de contacto por presión con
Capacidad de ciclo de potencia aumentada
Ahorro de espacio y peso

Aplicaciones típicas

Motor de transmisión de corriente alterna
Varios rectificadores
Fuente de corriente continua para el invertido PWM

El símbolo	Características	Condiciones de ensayo	Tj(℃)	valor			unidad
El símbolo	Características	Condiciones de ensayo	Tj(℃)	mín	Tipo	máx	unidad
IT(AV)	Corriente media en estado de conducción	180° media onda senoidal 50Hz Enfriamiento por un solo lado, Tc=85℃	135			820	A. El
IT(RMS)	Corriente de estado en RMS	180。media onda senoidal 50Hz	135			1287	A. El
No puedo no puedo	Corriente pico repetitiva	en VDRM en VRRM	135			120	El número de
ITSM	Corriente de sobrecarga en estado de conducción	10 ms de onda sinusoidal media, VR=0V	135			20.1	KA
Yo ²t	I2t para coordinación de fusibles	10 ms de onda sinusoidal media, VR=0V	135			2020	A. El ²s* 10 ³
VTO	Voltaje de umbral		135			0.81	v
rT	Resistencia de pendiente en estado de conducción		135			0.24	mΩ
VTM	Voltaje pico en estado de conducción	El ITM es 1500A	25			1.38	v
dv/dt	Tasa crítica de aumento de la tensión en estado muerto	VDM=67%VDRM	135			1000	V/μs
di/dt	Tasa crítica de aumento de corriente de estado de encendido	Fuente de puerta 1.5A tr ≤0.5μs Repetitivo	135			200	A/μs
Tgd	Tiempo de retraso controlado por puerta	El valor de las emisiones de CO2 de los gases de efecto invernadero se calcula en función de la temperatura de la atmósfera.	25			4	μs
Tq	Tiempo de apagado conmutado por circuito	El valor de la energía emitida por el dispositivo de ensayo de la unidad de ensayo de la unidad de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo	135		250		μs
IGT	Corriente de disparo de puerta	El valor de la energía de la unidad de carga será igual a la unidad de carga de la unidad de carga.	25	30		250	El número de
Vgt.	Voltaje de disparo de puerta			0.8		3.0	v
IH	Corriente de mantenimiento			10		300	El número de
El	Corriente de retención	La cantidad de agua que se puede utilizar para la producción de agua de agua de agua de agua de agua de agua de agua de agua de agua de agua de agua de agua de agua de agua de agua de agua de agua de agua de agua de agua de agua de agua de agua de agua de agua de agua de agua de agua de agua de agua de agua de agua de agua de	25			1500	El número de
VGD	Voltaje de puerta no disparado	VDM=67%VDRM	135			0.25	v
DIG	Corriente de puerta no activada	VDM=67%VDRM	135			5	El número de
Rth(j-c)	Resistencia térmica unión a carcasa	Enfriado por un lado por chip				0.047	°C/W
Rth(c-h)	Resistencia térmica de la caja al disipador	Enfriado por un lado por chip				0.015	°C/W
VISO (en inglés)	Voltaje de aislamiento	50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX)		3000			v
- ¿ Qué?	Par de conexión del terminal (M10)			10.0		12.0	Nuevo Méjico
- ¿ Qué?	Par de montaje (M6)			4.5		6.0	Nuevo Méjico
TVj	Temperatura de unión			-40		135	℃
TSTG	Temperatura almacenada			-40		125	℃
El	Peso				1410		G. El
Esquema	416F3