Folleto del producto:DESCARGAR
Breve introducción
Módulo de tiristor de soldadura ,m TC70 ,70A, Refrigeración por aire ,Producido por TECHSEM.
VDRM, VRRM |
Tipo y contorno |
6Las demás 800V 1000V 1200V 1400V 1600V 1800V |
MTC70-06-224H3/224H3B MTC70-08-224H3/224H3B MTC70-10-224H3/224H3B MTC70-12-224H3/224H3B MTC70-14-224H3/224H3B MTC70-16-224H3/224H3B MTC70-18-224H3/224H3B |
Características :
Aplicaciones típicas :
El símbolo |
Características |
Condiciones de ensayo |
Tj( ℃ ) |
valor |
unidad |
||
mín |
Tipo |
máx |
|||||
IT(AV) |
Corriente media en estado de conducción |
180° media onda senoidal 50Hz Enfriado por un lado, Tc =85 ℃ |
125 |
|
|
70 |
A. El |
IT(RMS) |
Corriente de estado en RMS |
125 |
|
|
110 |
A. El |
|
No puedo no puedo |
Corriente pico repetitiva |
en VDRM en VRRM |
125 |
|
|
15 |
El número de |
ITSM |
Corriente de sobrecarga en estado de conducción |
Onda sinusoidal de medio ciclo VR=60%VRRM |
125 |
|
|
1.8 |
KA |
El 1 de enero |
I2t para coordinación de fusibles |
|
|
16.2 |
A. El 2s* 10 3 |
||
VTO |
Voltaje de umbral |
|
125 |
|
|
0.75 |
v |
rT |
Resistencia de pendiente en estado de conducción |
|
|
3.64 |
MΩ |
||
VTM |
Voltaje pico en estado de conducción |
ITM=210A |
25 |
|
|
1.80 |
v |
dv/dt |
Tasa crítica de aumento de la tensión en estado muerto |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
1000 |
V/μs |
di/dt |
Tasa crítica de aumento de corriente de estado de encendido |
Fuente de puerta 1.5A tr ≤0.5μs Repetitivo |
125 |
|
|
200 |
A/μs |
IGT |
Corriente de disparo de puerta |
El valor de la energía de la unidad de carga será igual a la unidad de carga de la unidad de carga. |
25 |
30 |
|
200 |
El número de |
Vgt. |
Voltaje de disparo de puerta |
0.6 |
|
2.5 |
v |
||
IH |
Corriente de mantenimiento |
10 |
|
250 |
El número de |
||
El |
Corriente de retención |
|
|
1000 |
El número de |
||
VGD |
Voltaje de puerta no disparado |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
0.2 |
v |
Rth(j-c) |
Resistencia térmica unión a carcasa |
Enfriado por un solo lado, por chip |
|
|
|
0.35 |
℃ /W |
Rth(c-h) |
Resistencia térmica de la caja al disipador |
Enfriado por un solo lado, por chip |
|
|
|
0.15 |
℃ /W |
VISO (en inglés) |
Voltaje de aislamiento |
50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX) |
|
3000 |
|
|
v |
- ¿ Qué? |
Par de conexión térmica(M5) |
|
|
2.5 |
|
4.0 |
Nuevo Méjico |
Par de montaje (M6) |
|
|
4.0 |
|
6.0 |
Nuevo Méjico |
|
TVj |
Temperatura de unión |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
TSTG |
Temperatura almacenada |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
El |
Peso |
|
|
|
100 |
|
G. El |
Esquema |
224H3 、224H3B |
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