Módulo de tiristor/rectificador de soldadura

MTC200,Módulo rectificador de tiristor de soldadura,Enfriamiento por aire

200A,600V~1800V, 229H3/229H3B

Brand:

TECHSEM

Spu:

MTC200

Appurtenance:

Folleto del producto:DESCARGAR

Introducción
Esquema
Esquema del circuito equivalente

Introducción

Breve introducción

Módulo de tiristor de soldadura ,MTC200 ，200A, Refrigeración por aire ,producido por TECHSEM.

VDRM, VRRM

Tipo y contorno

600V

800V

1000V

1200V

1400V

1600V

1800V

MTC200-06-229H3/229H3B

MTC200-08-229H3/229H3B

MTC200-10-229H3/229H3B

MTC200-12-229H3/229H3B

MTC200-14-229H3/229H3B

MTC200-16-229H3/229H3B

MTC200-18-229H3/229H3B

Características ：

Base de montaje aislada 3000V~
Tecnología de unión de soldadura con capacidad de ciclo de potencia aumentada
Ahorro de espacio y peso

Aplicaciones típicas ：

Motor de transmisión de corriente alterna
Varios rectificadores
Suministro de CC para inversor PWM

El símbolo	Características	Condiciones de ensayo	Tj( ℃ )	Valor			Unidad
El símbolo	Características	Condiciones de ensayo	Tj( ℃ )	Mín	Tipo	Máx	Unidad
IT(AV)	Corriente media en estado de conducción	180° media onda senoidal 50Hz Enfriado por un lado, Tc=85 ℃	125			200	A. El
IT(RMS)	Corriente de estado en RMS	180° media onda senoidal 50Hz Enfriado por un lado, Tc=85 ℃	125			314	A. El
No puedo no puedo	Corriente pico repetitiva	en VDRM en VRRM	125			40	el número de
ITSM	Corriente de sobrecarga en estado de conducción	onda sinusoidal de medio ciclo VR=60%VRRM	125			4.0	kA
El 1 de enero	I2t para coordinación de fusibles	onda sinusoidal de medio ciclo VR=60%VRRM	125			80	A. El ²s*10 ³
VTO	Voltaje de umbral		125			0.70	V
rT	Resistencia de pendiente en estado de conducción		125			1.11	mΩ
VTM	Voltaje pico en estado de conducción	ITM=600A	25			1.80	V
dv/dt	Tasa crítica de aumento de la tensión en estado muerto	VDM=67%VDRM	125			1000	V/μs
di/dt	Tasa crítica de aumento de corriente de estado de encendido	Fuente de puerta 1.5A tr ≤0.5μs Repetitivo	125			200	A/μs
IGT	Corriente de disparo de puerta	El valor de la energía de la unidad de carga será igual a la unidad de carga de la unidad de carga.	25	30		200	el número de
Vgt.	Voltaje de disparo de puerta			0.6		2.5	V
IH	Corriente de mantenimiento			10		250	el número de
El	Corriente de retención					1000	el número de
VGD	Voltaje de puerta no disparado	VDM=67%VDRM	125			0.2	V
Rth(j-c)	Resistencia térmica unión a carcasa	Enfriado por un lado por chip				0.16	℃ /W
Rth(c-h)	Resistencia térmica de la caja al disipador	Enfriado por un lado por chip				0.08	℃ /W
VISO (en inglés)	Voltaje de aislamiento	50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX)		3000			V
- ¿ Qué?	Par de conexión de terminal (M6)			2.5		4.0	Nuevo Méjico
- ¿ Qué?	Par de montaje (M6)			4.5		6.0	Nuevo Méjico
TVj	Temperatura de unión			-40		125	℃
TSTG	Temperatura almacenada			-40		125	℃
El	Peso				165		g. El
Esquema	229H3 、229H3B